Для атома бора с позиций АвМ характерно чисто ковалентное связывание с селеном, характеризующееся большими отрицательными значениями лапласиана электронной плот-ности и плотности электронной энергии в критической точке связи. Применение критериев Наканиши-Хаяши-Нарахара [32] позволяет отнести данные взаимодействия к слабым ковалентным связям. Индекс делокализации в комплексе с трибромидом бора (III) равен 0.584, а это означает, что более 0.5 электрона обобществлено атомами, принимающими участие в образовании связи. Заметим, что лапласиан электронной плотности положителен в критической точке связи B–F и отрицателен в точке B–Br. В обоих случаях плотность электронной энергии в данных точках отрицательна. Эти данные свидетельствуют о том, что связь B–F сильно полярна и обладает свойствами ионной. Связь бора с бромом, напротив, ковалентна и характеризуется большим обобществлением электронов составляющими ее атомами, почти вдвое превышающим значения, характерные для B–F связи.
В отличие от связей бора с селеном, все критические точки связей алюминия в комплексах характеризуются положительными значениями лапласиана электронной плотности, а также величинами {-G(r)/V(r)}, превышающими 0.5. Это означает, что, с одной стороны, для атома алюминия характерны взаимодействия типа закрытых оболочек (учитывая большие разноименные заряды на составляющих связь атомах Al и Br, 2.208 и -0.736 ē соответственно, эти взаимодействия сродни ионным связям), и, с другой стороны, данные взаимодействия характеризуются достаточно высокой ковалентностью связывания. Взаимодействие селена с алюминием характеризуется большей величиной плотности электронной энергии в критической точке межмолекулярной связи и меньшим значением отношения {-G(r)/V(r)} в сравнении с комплексом диметилселенида с иодом [11, 12]. При этом значения индекса делокализации электронов межмолекулярной связи селена с металлами в комплексах I, II и IV меньше, чем в связях с иодом. Таким образом, стабилизация электронов в критической точке связи Se…Al, по-видимому, обусловлена в большей мере кулоновскими силами, нежели обменно-корреляционными взаимодействиями. Согласно критериям Наканиши-Хаяши-Нарахара [32], данная система может быть отнесена к комплексам с переносом заряда.
Для комплексов диметилселенида с соединениями бора характерна более выраженная тенденция к делокализации электронной плотности и образованию более тесной ковалентной связи; в данных комплексах происходит существенный перенос заряда на молекулу тригалогенида бора (0.222 ē для II и 0.327 ē для III).
Таким образом, топологический анализ критических точек связей Se…Zn, Se…Al и Se…B в комплексах различных типов позволил выявить существенные отличия в их природе.
4. Перенос заряда и разбиение энергии комплексообразования
Величина перенесенного NBO-заряда, вычисляемого как отклонение от нуля суммы NBO-зарядов на атомах в молекуле, составляющей комплекс, в комплексе диметилцинка составляет всего 0.024 электрона, что мало даже по сравнению с водородносвязанными комплексами. Это подтверждает преимущественно ван-дер-ваальсовскую природу взаимодействий в комплексе с диметилцинком (IV). Перенос заряда в комплексе диметилселенида с бромидом алюминия равен 0.074 электрона, и перенесенная электронная плотность локализуется преимущественно на атомах брома. Взаимная поляризация атомов селена и алюминия приводит к уменьшению заселенности атома алюминия и росту – атома селена. Особенно велика величина перенесенного заряда в комплексах с бором. По этой причине положительный заряд на атоме селена растет. В наибольшей степени заряд переносится на атом бора (в комплексе с бромидом бора это составляет примерно 77% от общей величины электронной плотности, перенесенной на молекулу электроноакцептора) и в меньшей степени – на другие атомы, связанные с бором.
Ввиду вычислительных сложностей анализ составляющих энергии взаимодействия в рамках подхода IQF удалось провести только на достаточно простой модели – комплексе селеноводорода с гидридом алюминия (табл. 3). В последней таблице мы для сравнения привели данные для других комплексов в участием селеноводорода, исследованных нами тем же методом [11, 12].
Увеличение электронной заселенности атома селена, имеющее место при образовании комплекса, приводит к сильному повышению его собственной энергии (EdefA). Заселенность атомов водорода молекулы селеноводорода при комплексообразовании падает. Все это в сумме приводит к возрастанию собственной энергии фрагмента H2Se. Изменение заселенности атомов селена и водорода при комплексообразовании приводит в целом к падению электростатической составляющей взаимодействия селена и водорода внутри молекулы и увеличению энергии связей в ней (ΔEintА>0). Это приводит к большой величине энергии деформации молекулы (Edef), существенно превышающей таковую в комплексе H2Se…HOH и особенно – в H2Se…I2 [11, 12], в которых величины переноса заряда меньше (0.014 и 0.018 ē соответственно).
Табл. 3. Составляющие энергии взаимодействия селеноводорода с гидридом алюминия,
иодом и водой по данным IQA, в ккал/моль, и изменение зарядов на атомах, Δq,
наблюдающиеся при комплексообразовании, в единицах заряда электрона
Атом | ΔTA | ΔVenAA | ΔVCAA | ΔVXAA | EdefA | ΔEintА | Edef | Δq |
Комплекс H2Se…AlH3 | ||||||||
фрагмент H2Se | ||||||||
Se1 | 22.17 | -88.33 | 79.57 | 0.23 | 13.64 | 7.66 | 21.30 | -0.026 |
H2 | -5.44 | 13.95 | -13.38 | 4.57 | -0.31 | 3.14 | 2.83 | 0.034 |
H3 | -5.92 | 14.56 | -14.07 | 4.84 | -0.58 | 3.38 | 2.79 | 0.035 |
фрагмент AlH3 | ||||||||
Al4 | 1.60 | 4.27 | -0.86 | 2.26 | 7.27 | -1.36 | 5.91 | 0.008 |
H5 | 3.46 | -8.86 | 12.27 | -1.90 | 4.97 | 1.22 | 6.19 | -0.021 |
H6 | 1.89 | -6.17 | 7.83 | 0.11 | 3.66 | 3.34 | 7.00 | -0.013 |
H7 | 2.61 | -7.02 | 9.36 | -0.66 | 4.29 | 2.58 | 6.87 | -0.016 |
взаимодействие между атомами фрагментов | ||||||||
Взаимодействие | VnnAB | VenAB | VneAB | VCAB | VXAB | Eel АВ | VintAB | |
H-Se…Al-H | 2133.04 | -2092.88 | -516.76 | 506.56 | -13.70 | 29.96 | 16.27 | |
H-Se…Al-H | 583.52 | -560.82 | -1050.32 | 1010.43 | -6.88 | -17.19 | -24.07 | |
H-Se…Al-H | 596.08 | -577.70 | -1073.46 | 1041.11 | -7.56 | -13.97 | -21.53 | |
H-Se…Al-H | 596.07 | -577.70 | -1069.62 | 1037.40 | -7.54 | -13.85 | -21.38 | |
H-Se…Al-H | 297.42 | -340.54 | -72.29 | 82.79 | -0.21 | -32.62 | -32.83 | |
H-Se…Al-H | 95.52 | -109.65 | -171.06 | 196.36 | -0.30 | 11.17 | 10.88 | |
H-Se…Al-H | 91.26 | -104.55 | -163.73 | 187.58 | -0.16 | 10.56 | 10.39 | |
H-Se…Al-H | 76.11 | -87.05 | -136.32 | 155.91 | -0.20 | 8.65 | 8.45 | |
H-Se…Al-H | 297.42 | -340.00 | -72.43 | 82.83 | -0.21 | -32.19 | -32.40 | |
H-Se…Al-H | 95.52 | -109.47 | -170.99 | 195.96 | -0.29 | 11.02 | 10.73 | |
H-Se…Al-H | 76.11 | -86.92 | -136.86 | 156.28 | -0.20 | 8.62 | 8.42 | |
H-Se…Al-H | 91.27 | -104.41 | -163.12 | 186.61 | -0.16 | 10.35 | 10.19 | |
суммарная энергия взаимодействия | ||||||||
Edef(X…) | Edef(H2O) | Σ EelАВ | Σ EXАВ | Ebind | ΔEcomp | |||
26.92 | 25.97 | -19.48 | -37.42 | -4.01 | -7.41 |
Комплекс H2Se…HOH | Комплекс H2Se… I2 | ||||||
Взаимодействие | VXAB | Eel АВ | VintAB | Взаимодействие | VXAB | Eel АВ | VintAB |
Н-Se…H-O-H | -3.1 | 19.5 | 16.4 | H-Se…I-I | -6.8 | 0.0 | -6.8 |
Н-Se…H-O-Н | -1.8 | -34.7 | -36.5 | H-Se…I-I | -0.4 | -0.1 | -0.5 |
Н-Se…H-O-H | 0.0 | 15.1 | 15.0 | H-Se…I-I | -0.2 | -0.5 | -0.6 |
H-Se…H-O-Н | 0.0 | 19.3 | 19.3 | H-Se…I-I | 0.0 | 0.0 | 0.0 |
H-Se…H-O-Н | -0.1 | -11.7 | -11.8 | ||||
H-Se…H-O-H | 0.0 | -8.3 | -8.3 | ||||
суммарная энергия взаимодействия | |||||||
X…HOH | Edef(X) | Edef(H2O) | Σ EelАВ | Σ EXАВ | Ebind | ΔEcomp | |
H2Se…HOH | 3.5 | 1.6 | -1.6 | -5.2 | -1.6 | -1.5 | |
H2Se…I2 | 5.3 | 2.1 | -1.1 | -7.5 | -1.2 | -1.1 | |
Молекула гидрида алюминия в комплексе характеризуется значительной энергией деформации (Edef). Заметим, что, несмотря на потерю электронной заселенности атомом алюминия при комплексообразовании, кинетическая энергия электронов в комплексе растет (ΔTA>0). Аналогично, в атоме селена, вопреки ожидаемому при росте заселенности атома понижению обменной энергии ΔVXAA, происходит ее небольшой рост. Изменения обменной и кинетической энергии могут свидетельствовать в пользу того, что электронные оболочки атомов существенно сжимаются при комплексообразовании. Образование комплекса приводит к увеличению разделения зарядов в молекуле гидрида алюминия, росту электростатического притяжения атомов алюминия и водорода. По этой причине ΔEintА(Al в AlH3) падает, а отталкивание между водородами в AlH3 сильно растет. С другой стороны, образование комплекса усиливает локализацию электронов на атомах, удаленных от межмолекулярной связи, и приводит к падению обменной составляющей их взаимодействия (VX{Al-H в AlH3} равна примерно -57 ккал/моль в изолированной молекуле и примерно -53 ккал/моль в комплексе).
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 |


