Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто

  • 30% recurring commission
  • Выплаты в USDT
  • Вывод каждую неделю
  • Комиссия до 5 лет за каждого referral

Идеальный газ состоит из частиц (молекул), представляющих собой абсолютно твердые упругие шарики бесконечно малого размера, взаимодействием между которыми (кроме редких упругих столкновений) можно пренебречь.

Для реальных газов используют уравнения состояния с поправками, учитывающими собственный размер молекул и взаимодействие между ними. Во многих случаях достаточно приближенного уравнения Ван-дер-Ваальса:

, (7.2)

где a/V2 – поправка, учитывающая взаимное притяжение молекул;

b – поправка, учитывающая собственный объем молекул и их взаимное отталкивание.

7.5 Плазма

При очень высоких температурах газ переходит в особое состояние, называемое плазмой. Плазменное состояние вещества возникает, если кинетическая энергия его частиц превышает энергии ионизации его составляющих атомов. В общем случае плазма − это динамическая система беспрерывно перемещающихся атомов, электронов, положительных ионов и атомных ядер с протеканием процессов ионизации и рекомбинации атомов и ионов. Плазма с температурой 10−100 тыс. градусов называется «холодной» или низкотемпературной, с температурой порядка миллиона градусов – «горячей» (высокотемпературная).

Для низкотемпературной плазмы характерна невысокая степень ионизации. Степень ионизации плазмы (α) − отношение числа заряженных частиц к общему числу всех ее частиц. Низкотемпературная плазма бывает слабоионизированной (α < 1 %) и умеренно ионизированной (α > 1 %). Такая плазма присутствует и применяется во многих важных процессах: дуговой сварке и резке металлов, дуговой плавке металлов, лампах дневного света, пламени газовой горелки и др.

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Для высокотемпературной плазмы степень ионизации близка к 100 %. Она существует на солнце, во время молний, получается при экспериментах по термоядерному синтезу. Плазменное состояние − самое распространенное состояние вещества во Вселенной (около 99 % материи).

Для плазмы характерна высокая электропроводность. Плазма сильно взаимодействует с электрическими и магнитными полями, проявляя упругость.

Плазма − квазинейтральна. Это означает, что в целом она электрически нейтральна.

Характерной особенностью плазмы является высокий энергетический уровень ее частиц, что позволяет проводить в плазме химические реакции, требующие подвода высоких энергий. Плазма подчиняется газовым законам. Основное отличие плазмы от обычных газов проявляется при воздействии магнитных и электрических полей, при котором в плазме возникает направленное движение молекул и электронов.

7.6 Жидкое состояние вещества

В жидком состоянии расстояние между частицами значительно меньше, чем в газообразном. Частицы занимают основную часть объема, постоянно соприкасаясь друг с другом, и притягиваются друг к другу. Наблюдается некоторая упорядоченность частиц (ближний порядок). Частицы подвижны относительно друг друга. В жидком состоянии энергия межмолекулярного взаимодействия частиц соизмерима с кинетической энергией движения частиц.

В жидкостях между частицами возникают вандерваальсовы взаимодействия. Небольшие группы частиц, объединенных теми или иными силами, называются кластерами. В случае одинаковых частиц кластеры в жидкости называются ассоциатами.

В жидкостях при образовании водородных связей увеличивается упорядочение частиц. Однако водородные связи и вандерваальсовы силы непрочны: молекулы в жидком состоянии находятся в непрерывном хаотическом движении, которое получило название броуновского движения.

Для жидкого состояния справедливо распределение молекул по скоростям и энергиям Максвелла − Больцмана.

Теория жидкостей разработана гораздо хуже, чем газов, поскольку свойства жидкостей зависят от геометрии и полярности взаимно близко расположенных молекул.

Между жидкостями и газами нет резкой границы – она полностью исчезает в критических точках. Для каждого газа известна температура, выше которой он не может быть жидким ни при каком давлении; при этой критической температуре исчезает граница (мениск) между жидкостью и ее насыщенным паром. Существование критической температуры («температуры абсолютного кипения») установил в 1860 г.

Жидкости характеризуются давлением насыщенных паров, температурой кипения, поверхностным натяжением и другими физическими велечинами.

Давление насыщенных паров – парциальное давление, при котором скорости испарения и конденсации пара равны.

Температура кипения – температура, при которой давление насыщенных паров жидкости равно атмосферному давлению.

Жидкости обладают текучестью – способностью к перемещению под действием небольших сдвигающих усилий; жидкость занимает объем, в который ее помещают.

Сопротивление жидкости текучести получило название вязкости.

Поверхностное натяжение – работа, необходимая для создания единицы поверхности.

Жидкокристаллическое состояние – вещества в жидком состоянии, обладающие высокой степенью упорядоченности, занимают промежуточное положение между кристаллами и жидкостью. Они обладают текучестью, но в то же время имеют дальний порядок. Например: производные коричневой кислоты, азолитинов, стероидов.

Температура просветления – температура, при которой жидкие кристаллы переходят в обычное жидкое состояние.

Структура жидких кристаллов изменяется под воздействием электрических и магнитных полей и механических воздействий. Наличие этих свойств позволило применять жидкие кристаллы для изготовления экранов дисплеев, микрокалькуляторов, измерительных приборов в медицине.

7.7 Твердое состояние вещества

В твердом состоянии частицы настолько сближаются друг с другом, что между ними возникают прочные связи, отсутствует поступательное движение и сохраняются колебания около своего положения.

Твердое состояние вещества определяется тем, что энергия взаимодействия его частиц между собой выше кинетической энергии их движения.

Твердые вещества могут находиться в аморфном и кристаллическом состоянии.

7.7.1 Вещества в аморфном состоянии

В аморфном состоянии вещества не имеют упорядоченной структуры.

Главный признак аморфного состояния вещества − отсутствие атомной или молекулярной решетки, то есть трехмерной периодичности структуры, характерной для кристаллического состояния.

При охлаждении жидкого вещества не всегда происходит его кристаллизация. При определенных условиях может образоваться неравновесное твердое аморфное (стеклообразное) состояние. В стеклообразном состоянии могут находиться простые вещества (углерод, фосфор, мышьяк, сера, селен), оксиды (например, бора, кремния, фосфора), галогениды, халькогениды, многие органические полимеры.

В этом состоянии вещество может быть устойчиво в течение длительного промежутка времени, например, возраст некоторых вулканических стекол исчисляется миллионами лет. Физические и химические свойства вещества в стеклообразном аморфном состоянии могут существенно отличаться от свойств кристаллического вещества. Например, стеклообразный диоксид Германия химически более активен, чем кристаллический. Различия в свойствах жидкого и твердого аморфного состояния определятся характером теплового движения частиц: в аморфном состоянии частицы способны лишь к колебательным и вращательным движениям, но не могут перемещаться в толще вещества.

Стеклообразное состояние – твердое аморфное состояние вещества, которое получается в результате глубокого переохлаждения жидкости. Это состояние неравновесно, однако стекла могут существовать длительное время. Размягчение стекла происходит в некотором диапазоне температур – интервале стеклования, границы которого зависят от скорости охлаждения. С увеличением скорости охлаждения жидкости или пара возрастает вероятность получения данного вещества в стеклообразном состоянии.

В конце 60-х годов XX века получены аморфные металлы (металлические стекла). Для этого потребовалось охлаждать расплавленный металл со скоростью град/с. Большинство аморфных металлов и сплавов кристаллизуются при нагреве свыше 300 оС. Одно из важнейших применений аморфных металлов – микроэлектроника.

Аморфные вещества изотропны, т. е. имеют одинаковые свойства во всех направлениях. Переход аморфного вещества из твердого состояния в жидкое не сопровождается скачкообразным изменением свойств. Физическая модель аморфного состояния до сих пор не создана.

7.7.2 Вещества в кристаллическом состоянии

7.7.2.1 Основные определения. Кристаллы (от греч. krystallos, первонач. − лед) – твердые тела, атомы, ионы или молекулы которых образуют упорядоченную периодическую структуру (кристаллическую решетку). Кристалл – равновесное состояние твердых тел: каждому веществу, находящемуся при данных температуре и давлении, в кристаллическом состоянии соответствует определенная кристаллическая структура. При изменении внешних условий структура может измениться.

Твердые кристаллические вещества обладают упорядоченной структурой с повторяющимися элементами, что позволяет исследовать их методом дифракции рентгеновских лучей.

Монокристаллы (одиночные соединения) характеризуются анизотропностью – зависимостью свойств от направления в пространстве.

Регулярное расположение частиц в твёрдом теле изображается в виде кристаллической решётки. Кристаллические вещества плавятся при определённой температуре, называемой температурой плавления.

Кристаллы характеризуются энергией, постоянной кристаллической решётки и координационном числом.

Постоянная решётка характеризует расстояние между центрами частиц, занимающих узлы в кристалле, в направлении характеристических осей.

Координационным числом обычно называется число частиц, непосредственно примыкающих к данной частице в кристалле (смотри рисунок 7.1 – координационное число восемь и по цезию и по хлору).

Рисунок 7.1 − Строение кристалла хлористого цезия CsCl (а) и объёмноцентрированная кубическая элементарная ячейка этого кристалла (б)

Энергией кристаллической решётки называют энергию, необходимую для разрушения одного моля кристалла и удаления частиц за пределы их взаимодействия.

7.7.2.2 Кристаллические структуры. Основой структуры вещества в твердом состоянии является кристалл. На его размеры сильно влияют условия кристаллизации, которую обычно проводят из растворов. Желая получить мелкие кристаллы, заставляют быстро охлаждаться раствор, насыщенный при высокой температуре. Наоборот, желая вызвать образование крупных кристаллов, оставляют раствор стоять при обычной температуре, чтобы кристаллизация медленно протекала по мере испарения растворителя.

Наименьшей структурной единицей кристалла, которая выражает все свойства его симметрии, является элементарная ячейка. При многократном повторении ячейки по трём измерениям получают кристаллическую решётку.

Все многообразие кристаллических форм различных веществ может быть сведено к 32 группам симметрии, которые подразделяются на три категории: низшую, среднюю и высшую.

Категории делятся на 7 основных элементарных ячеек (сингоний): кубическая, тетраэдрическая, гексагональная, ромбоэдрическая, орторомбоэдрическая, моноклинная и триклинная. Имеется семь производных от основных элементарных ячеек, например, объёмноцентрированная, кубическая гранецентрированная.

Высшая категория − кубическая (правильная) и октаэдрическая системы. Все три оси взаимно перпендикулярны и равны по величине. Наиболее простой формой кубической системы являются куб и октаэдр. Также возможны комбинации куба с октаэдром (рисунок 7.2).

Рисунок 7.2 − Кубическая и октаэдрическая системы

Слева изображён кристалл каменной соли (NaCl), а справа кристалл октаэдрической формы – кристалл хромокалиевых квасцов.

Низшая категория − моноклинная система. Две оси взаимно перпендикулярны, а третья наклонна по отношению к их плоскости, оставаясь перпендикулярной одной из двух первых. На долю этой системы приходится наибольшая часть всех изученных кристаллов – около 42 % (рисунок 7.3).

Рисунок 7.3 − Моноклинная система

К этой системе относятся кристаллы никелевого купороса.

Изоморфные вещества – вещества близкой химической природы, образующие одинаковые кристаллические структуры: CaSiO4 и MgSiO4.

Полиморфизм – соединения, существующие в двух и более кристаллических структурах, например SiO2 (в виде гексагонального кварца, ромбического тридимита и кубического кристобаллита.)

Аллотропные модификации – полиморфные модификации простых веществ, например, углерод: алмаз, графит, карбин, фуллерен.

По природе частиц в узлах кристаллической решётки и химических связей между ними кристаллы подразделяются:

на молекулярные. В узлах находятся молекулы, между которыми действуют вандерваальсовы силы, имеющие невысокую энергию: кристаллы льда.

Молекулярные кристаллы построены из отдельных молекул, внутри которых атомы соединены ковалентными связями. Между молекулами действуют более слабые межмолекулярные силы. Они легко разрушаются, поэтому молекулярные кристаллы имеют низкие температуры плавления, малую твердость, высокую летучесть. Вещества, образующие молекулярные кристаллические решетки, не обладают электрической проводимостью, их растворы и расплавы также не проводят электрический ток.

Межмолекулярные силы возникают за счет электростатического взаимодействия отрицательно заряженных электронов одной молекулы с положительно заряженными ядрами соседних молекул. На силу межмолекулярного взаимодействия влияет много факторов. Важнейшими среди них является наличие полярных связей, то есть смещения электронной плотности от одних атомов к другим. Кроме того, межмолекулярное взаимодействие проявляется сильнее между молекулами с большим числом электронов.

Большинство неметаллов в виде простых веществ (например, иод I2, аргон Ar, сера S8) и соединений друг с другом (например, вода, диоксид углерода, хлороводород), а также практически все твердые органические вещества образуют молекулярные кристаллы;

− атомно-ковалентные кристаллы. В узлах кристаллов располагаются атомы, образующие друг с другом прочные ковалентные связи, обладают высокой энергией решётки, например, алмаз (углерод), кремний.

Атомные кристаллы состоят из отдельных атомов, объединенных ковалентными связями. Из простых веществ только бор и элементы IVA-группы имеют такие кристаллические решетки. Нередко соединения неметаллов друг с другом (например, диоксид кремния) также образуют атомные кристаллы.

Атомные кристаллы можно считать гигантскими молекулами. Они очень прочные и твердые, плохо проводят теплоту и электричество. Вещества, имеющие атомные кристаллические решетки, плавятся при высоких температурах. Они практически нерастворимы в каких-либо растворителях. Для них характерна низкая реакционная способность;

− ионные кристаллы. Структурными единицами кристаллов этого типа являются положительно и отрицательно заряженные ионы, между которыми происходит электрическое взаимодействие, характеризуемое достаточно высокой энергией, например NaCL, KCL.

Обычно ионные кристаллы твердые, но хрупкие. Их хрупкость обусловлена тем, что даже при небольшой деформации кристалла катионы и анионы смещаются таким образом, что силы отталкивания между одноименными ионами начинают преобладать над силами притяжения между катионами и анионами, и кристалл разрушается.

Ионные кристаллы отличаются высокими температурами плавления. В расплавленном состоянии вещества, образующие ионные кристаллы, электропроводны. При растворении в воде эти вещества диссоциируют на катионы и анионы и образующиеся растворы проводят электрический ток. К соединениям с ионной связью относятся большинство солей и небольшое количество оксидов;

− металлические кристаллы. Вещества, которые обладают высокой электропроводимостью, теплопроводимостью, ковкостью, пластичностью, металлическим бликом и высокой отражательной способностью по отношению к свету; связь в кристаллах металлическая, энергия металлической связи является промежуточной между энергиями ковалентных и молекулярных кристаллов.

Для металлов характерна металлическая кристаллическая решетка. В ней имеется металлическая связь между атомами. В металлических кристаллах ядра атомов расположены таким образом, чтобы их упаковка была как можно более плотной. Связь в таких кристаллах является делокализованной и распространяется на весь кристалл. Металлические кристаллы обладают высокой электрической проводимостью и теплопроводностью, металлическим блеском и непрозрачностью, легкой деформируемостью. Металлические решетки образуют простые вещества большинства элементов периодической таблицы − металлы;

− кристаллы со смешанными связями. Между частицами существуют сложные взаимодействия, которые можно описать наложением двух или более видов связей друг на друга, например, клатраты. Они образованы включением молекул (гостей) в полости кристаллического каркаса, состоящего из частиц другого вида (хозяев), например, газовые клатраты метана CH4.∙∙6H2O, клатраты мочевины.

Классификация кристаллических решеток отвечает предельным случаям. Большинство кристаллов неорганических веществ принадлежит к промежуточным типам − ковалентно-ионным, молекулярно-ковалентным и т. д. Например, в кристалле графита внутри каждого слоя связи ковалентно-металлические, а между слоями − межмолекулярные. Во многих неорганических соединениях, например, BeO, ZnS, CuCL, связь между частицами, находящимися в узлах решетки, является частично ионной и частично ковалентной.

7.7.2.3 Зонная теория кристаллов. Общий подход к рассмотрению ионных, ковалентных и металлических кристаллов даёт зонная теория кристаллов, которая рассматривает твёрдое тело как единый коллектив взаимодействующих частиц.

Эта теория представляет собой теорию молекулярных орбиталей с очень большим числом атомов.

При образовании кристаллов в химические связи вступает огромное число частиц (N) и соответственно образуется огромное число молекулярных орбиталей (МО), охватывающих весь кристалл, разность между энергетическими уровнями МО чрезвычайно мала. В результате образуются энергетические зоны, состоящие из огромного числа подуровней. Разность между верхней и нижней энергиями зоны называется шириной зоны. Заполнение зон электронами происходит согласно принципу Паули и правилу Гунда. Зона, полностью заполненная электронами, называется валентной. Зона, свободная от электронов и находящаяся по энергии выше валентной зоны, называется зоной проводимости. Валентная зона и зона проводимости могут либо перекрываться, либо не перекрываться друг с другом.

Если зоны не перекрываются, то между ними существуют запрещённая зона с шириной DЕ. Ширина зоны определяет тип кристалла:

1) металлы – валентная и зона проводимости перекрываются;

2) полупроводники – ширина запрещённой зоны <4 эВ;

3) диэлектрики – ширина запрещённой зоны > 4 эВ.

Зонная теория позволяет объяснить электрические, тепловые свойства металлов, полупроводников, полупроводников и диэлектриков.

7.8 ВОПРОСЫ ДЛЯ САМОКОНТРОЛЯ

1. Что такое система?

2. Что такое дисперсная система?

3. Что такое фаза?

4. Какие системы называются гомогенными?

5. Что такое гетерогенные системы? Приведите примеры гетерогенных систем.

6. Как подразделяются дисперсные системы по агрегатному состоянию?

7. Что такое коллоидные системы?

8. Что такое грубодисперсные системы?

9. Что такое массовая доля, молярная (мольная) доля, объемная доля растворенного вещества? Есть ли размерность у этих величин?

10. Чем различается строение вещества в твердом, жидком и газообразном состоянии?

11. Почему химические реакции с участием твердых веществ протекают с бóльшим трудом, чем с участием газов и жидкостей?

12. Определите молярные массы газов, имеющих плотность при стандартных условиях соответственно 1,43 и 0,179 г/дм3. Назовите эти газы.

13. Объясните, почему алмаз имеет исключительно высокую твердость, а другая аллотропная разновидность углерода, графит, достаточно мягкое вещество?

14. Привести примеры кристаллов с различными видами химической связи.

Заключение по первому модулю

«Строение атома и вещества»

Квантово-механические представления позволяют объяснить взаимодействия между электронами и ядром в атоме; между атомами – в молекуле; между атомами, ионами и молекулами в комплексных соединениях, газах, жидкостях и твёрдых телах. На базе квантово-механической теории получил дальнейшее развитие основополагающий закон химии −− периодический закон .

Зная квантовые числа, понятия «атомная орбиталь», принципы минимума энергии и запрета Паули, правила Гунда и Клечковского и, основываясь на понимании периодического закона , можно представить электронную конфигурацию любого атома и предсказать свойства элементов.

На базе теории о химическом строении развилась теория химических связей. Метод валентной связи даёт возможность описать особенности химической связи, структуру и свойства большинства молекул, а также валентность элементов в соединениях. Более широкие возможности для объяснения химических связей и построения электронных структур представляет метод молекулярных орбиталей. Он достаточно сложен, особенно для многоатомных молекул, тем не менее широко используется в количественных расчётах с применением компьютеров.

На основе представлений о вандерваальсовых силах и водородной связи можно выяснить взаимодействия между молекулами в газах, жидкостях и молекулярных кристаллах и предсказать свойства веществ в этих состояниях. Координационная теория и донорно-акцепторный механизм образования ковалентной связи объясняют взаимодействие между комплексообразователями и лигандами в комплексных соединениях и свойства этих соединений.

Характер химических связей и свойства веществ в твёрдом состоянии можно понять, используя теории электростатического взаимодействия (ионные кристаллы), ковалентной химической связи (атомные кристаллы) и свободных электронов (металлические кристаллы). Метод молекулярных орбиталей в виде зонной теории позволяет объяснить электрические и теплофизические свойства кристаллических тел.

Как следует из этого краткого изложения, периодический закон и квантово-механическая теория позволяют объяснить строение и свойства многих веществ, причём для относительно простых веществ можно получить количественные результаты. Для сложных веществ даются качественные объяснения.

В настоящее время происходит усложнение теории, в частности, более широкое распространение метода молекулярных орбиталей, возможности которого расширяются при использовании компьютерной техники. Дальнейшее развитие квантово-механической теории позволяет повысить её предсказательные способности.

По окончании изучения этой темы студент должен знать:

1. Квантовые числа и атомные орбитали.

2. Принцип Паули, правила Гунда и Клечковского.

3. Периодическую систему .

4. Энергию ионизации, сродство к электрону, электроотрицательность.

5. Понятия о размерах атомов.

6. Виды и характеристики химической связи.

7. Ковалентную связь и ее природу.

8. Метод валентных связей. Валентность по обменному и донорно-акцепторному механизму.

9. Гибридизация атомных орбиталей.

10. Структуру и полярность молекул. Электрический момент диполя.

11. Метод молекулярных орбиталей. Связывающие и разрыхляющие орбитали. Порядок связи.

12. Вандерваальсовы силы.

13. Водородные связи.

14. Донорно-акцепторное взаимодействие молекул.

15. Координационную теорию Вернера.

16. Комплекс, лиганды, комплексообразователи, координационное число и заряд комплекса.

17. Уравнение состояния идеального и реального газа.

18. Молекулярно-кинетическую теорию газов и жидкостей.

19. Аморфное и кристаллическое состояние твердых тел.

20. Химические связи в твердых телах: ковалентные, ионные и металлические.

21. Элементы зонной теории кристаллов. Валентную зону, запрещенную зону и зону проводимости.

Должен уметь:

1. Составить электронную конфигурацию любого атома и определить квантовые числа электронов.

2. По электронным конфигурациям определить элемент, его место в таблице и его свойства.

3. Определить валентность элементов в основном и возбужденном состояниях по обменному и донорно-акцепторному механизмам.

4. Определить полярна или неполярна химическая связь и степень ее полярности. Привести примеры полярных и неполярных связей.

5. Объяснить структуру молекул с sp-, sp2- и sp3-гибридизацией атомных орбиталей.

6. Показать энергетическую диаграмму молекулярных орбиталей. Определить порядок связи в молекуле.

7. Указать примеры веществ, у которых между молекулами возникают: а) вандервальсовы силы, б) водородные связи.

8. Определить заряд и координационное число комплексов.

9. Привести примеры кристаллов с различными видами химической связи.

10. Объяснить свойства тех или иных кристаллических веществ на основании знания характера химических связей.

ЛИТЕРАТУРА

1. Коровин, химия / . – М.: Высшая школа, 2002. − 558 с.

2. Глинка, химия: учебное пособие для вузов / : под. ред. . – М.: Интеграл-Пресс, 2003, 728 с.

3. Ахметов, и неорганическая химия: учебник для вузов / . – М.: Высшая школа, 1998. 743 с.

4. Карапетьянц, и неорганическая химия / , . М. : Химия, 2000. 592 с.

5. Угай, и неорганическая химия / . М.: Высшая школа, 2000. 527 с.

6. Лидин, химия в вопросах / . –М.: Химия, 1991. 256 с.

7. Глинка, и упражнения по общей химии / : под ред. и . – Л.: Химия, 1987. 272 с.

8. Ефимов, неорганических соединений: справочник / , , : под ред. . – Л.: Химия, 1983. 389 с.

9. Денисов, процессы и аппараты химической технологии. Часть 2. Типовые процессы и аппараты химической технологии: учебное пособие для модульно-рейтинговой технологии обучения / . – Бийск.: БТИ Алт ГТУ, 2002. – 164 с.

10. Макрушина, законы химии: методические рекомендации для выполнения лабораторных работ / , , . – Бийск.: БТИ Алт ГТУ, 2004 – 36 с.

11. Макрушина, расчетные задания: методические рекомендации и задания к выполнению контрольных работ по курсу Химия для студентов всех форм обучения. / , , . – Бийск.: БТИ Алт ГТУ, 2006. – 104 с.

ПРИЛОЖЕНИЕ А

МОДУЛЬНО-РЕЙТИНГОВАЯ ТЕХНОЛОГИЯ ИЗУЧЕНИЯ КУРСА «ХИМИЯ»

Для изучения дисциплины «Химия» применяется модульно-рейтинговая технология обучения. В основе построения данной технологии лежит деление учебного материала курса на крупные блоки (модули), по завершении которых студент сдает промежуточные (модульные) экзамены (ПЭ). Полученные им баллы за все ПЭ суммируются и составляют его рейтинг по данной дисциплине. При получении достаточной суммы баллов за все ПЭ их результаты могут засчитываться ему как итоговый (семестровый) экзамен, если весь материал курса вошел в программы модулей.

а) Этапы и формы контроля

По дисциплине «Химия» в течение семестра применяются контрольные испытания следующих видов: текущие, рубежные, итоговые.

Текущие испытания проводятся в процессе изучения дисциплины (на лабораторных занятиях, по итогам контроля выполнения текущих заданий) и направлены на определение уровня подготовленности по разделу, фрагменту дисциплины. Технология их проведения должна предусматривать существенный обучающий компонент.

Рубежные испытания, как правило, предназначены для определения уровня подготовки по модулю дисциплины. Рубежный контроль проводится перед каждой аттестацией студентов, а также в конце семестра.

Итоговые семестровые испытания по дисциплине проводятся в форме экзамена и предназначены для определения уровня подготовленности студента в период проведения сессии. Испытания проводятся в письменной форме.

1 − График контроля

Модуль

Контрольное испытание

Время проведения

Вес в итоговом рейтинге

Примечания

1

2

3

4

5

1

Защита лабораторной работы

№ 1

4 неделя

0,05

Выполнение работы – 10 баллов; оформление отчета – 10 баллов, ответ на основной вопрос – 40 баллов; ответ на карточку – 40 баллов

Контрольное тестирование

6 неделя

0,07

25–49 − удовлетворительно; 50–74 – хорошо;

75–100 – отлично

Продолжение таблицы А.1

1

2

3

4

5

2

Защита лабораторной работы № 2

8 неделя

0,05

Выполнение работы – 10 баллов; оформление отчета – 10 баллов, ответ на основной вопрос – 40 баллов; ответ на карточку – 40 баллов

Защита расчетного задания.

Часть 1

9 неделя

0,05

25–49 − удовлетворительно; 50–74 – хорошо;

75–100 − отлично

Промежуточный экзамен 1

10 неделя

0,08

1 основной вопрос (55 баллов), 3 дополнительных (по 15 баллов)

3

Защита лабораторной работы № 3

12 неделя

0,05

Выполнение работы – 10 баллов; оформление отчета – 10 баллов, ответ на основной вопрос – 40 баллов; ответ на карточку – 40 баллов

Контрольное тестирование

14 неделя

0,07

25–49 − удовлетворительно; 50–74 – хорошо;

75–100 − отлично

4

Защита лабораторной работы № 4

16 неделя

0,05

Выполнение работы – 10 баллов; оформление отчета – 10 баллов, ответ на основной вопрос – 40 баллов; ответ на карточку – 40 баллов

Защита расчетного задания.

Часть 2

16 неделя

0,05

25–49 − удовлетворительно; 50–74 – хорошо;

75–100 − отлично

Промежуточный экзамен 2

16

0,08

1 основной вопрос (55 баллов), 3 дополнительных (по 15 баллов)

Итоговое испытание − экзамен

17 неделя

0,5

25–49 – удовлетворительно; 50–74 – хорошо;

75–100 – отлично

П р и м е ч а н и я

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13