Масоперенесення в металічних системах на основі Fe, Cu І Al при імпульсному та інтенсивному опроміненні іонами (стр. 9 )

Значно більше, ніж при поверхневому підведенні енергії, різноманітні slush-зони можуть реалізовуватись при об’ємному введенні енергії. Це зумовлене різноманітними принципами формування slush-зон в означених випадках. В першому випадку (поверхневе джерело енергії) slush-зона утворюється за рахунок перенесення тепла від джерела енергії в тверду фазу і її підігріві до Tпл. Процес теплоперенесення описується законом Фурьє, причому цей закон накладає певні обмеження на температурне поле в матеріалі, а, отже, і на розмір slush-зони. В другому випадку (об’ємне джерело енергії) з’являється можливість переміщати область виділення енергії по об’єму зразка, впроваджуючи таким чином задану кількість теплоти в заздалегідь обумовлені локальні об’єми твердого тіла, завдяки цьому створюючи протяжні області з температурою Tпл в них. Якщо вводити енергію достатньо швидко, то процеси теплоперенесення за час введення енергії не будуть грати істотної ролі і не матимуть впливу на формування таких областей. Звичайно, потік частинок, який був створений об’ємним джерелом енергії в матеріалі, не може практично реалізувати будь-який профіль енерговиділення, внаслідок того, що втрати енергії частинки в процесі її руху в зразку також підкоряються певним законам. Однак, міняючи тип частинок (іони, електрони, фотони) та їхню кількість і енергію, можна варіювати цим профілем в широких межах. В роботах [33, 70,71] при моделюванні температурних полів в Si, індукованих лазером, автори розглядали питання про формування slush-зони. Однак вони вважали, що ця зона формується тільки в області об’ємного енерговиділення, а за її межами існує чітка межа між твердою та рідкою фазами.

Ще одна проблема виникає при вивченні процесів фазових переходів в матеріалі при об’ємному введенні в нього енергії у випадку, коли максимум енерговиділення розташований не на поверхні, а в глибині зразка. Це має місце, наприклад, при опроміненні зразка імпульсним та інтенсивним іонним пучком. Якщо енергія вводиться досить швидко, то температурний максимум в глибині матеріалу не встигає вирівнятися, і температура Тпл спочатку досягається не на поверхні, а на деякій відстані від неї, і може початися так зване внутрішнє плавлення [2,4]. Однак плавлення, незважаючи на те, що температура Тпл досягнута, може і не відбутися, а температура цієї локальної області буде продовжувати збільшуватися. Зумовлене це з тим, що Тпл – це температура, при якій починається плавлення з вільної поверхні. І ця температура може істотно відрізнятися від температури плавлення, що починається з міжзеренної межі у полікристалі, і, тим більш, від температури плавлення, що починається в глибині монокристала. Немає жодних підстав вважати, що ці температури повинні бути рівні. Це явище, на наш погляд, має деяку аналогію з тим, що величини переохолоджень, що досягаються при гомогенній нуклеації, значно вище тих, що мають місце при гетерогенному механізмі кристалізації. Останнє пов’язане з відмінністю величин робіт утворення критичного зародку в об’ємі розплаву і на змочуваній підкладці [169]. У відомій нам літературі проблема внутрішнього плавлення не обговорюється, а якщо її і обговорюють, то вважають, що температура плавлення не залежить від того, в яких умовах воно протікає - починаючись від поверхні або з глибини зразка [139].

При опромінення зразків a-Fe ПІП з густиною струму j=() A/см2 на поверхні плівки відбувається плавлення, випаровування та сублімація. В результаті цих процесів у поверхневому шарі a-Fe виникають термомеханічні напруги Hv=() Па. Зі збільшенням густини потоку енергії (5,2ּ 105 Дж/м2) товщина розплавленого шару a-Fe змінюється в межах d=(0,2-2,5) мкм, а час його існування t=(0,5-3) мкс. Максимальна швидкість охолодження розплаву змінюється Vc=() К/с, а швидкість фронту кристалізації Vf=(5-2) м/с. Значення цих характеристик досить великі щоб забезпечити захват домішок межею „розплав - тверде тіло” і в значній мірі запобігти сегрегації розчинних домішок при перекристалізації [138]. Слід зазначити, що ми не враховували явище переохолодження розплаву.

Зміна субструктури a-Fe за глибиною, ймовірно, при впливі ПІП пов’язана з пластичною деформацією внаслідок дії хвилі напруг та наступними процесами рекристалізації, викликаними поширенням теплової хвилі. Фронт теплової хвилі значно відстає від фронту хвилі напруг, внаслідок чого пластична деформація супроводжується процесами повернення, одним з яких є рекристалізація. Зокрема, інтерес представляє мікроструктура приповерхневого шару товщиною d ≈ 1 мкм, тому що в ньому водночас діють високі температури та значні термопружні напруги. В цьому шарі, ймовірно, утворюються точкові дефекти типу вакансій внаслідок швидкого загартування з розплаву. Починаючи с густини струму 700 А/см2 товщина розплавленого шару зменшується внаслідок випаровування і абляції, а межа «рідина – тверде тіло», відповідно, буде наближатися до поверхні і градієнт термомеханічних напруг, відповідно, підвищуватися. Досить високий вихід розсіяних іонів 4He+, свідчить про недосконалу кристалічну комірку у початковому стані a-Fe. Для орієнтування зерна, що знаходилося в поверхневому шарі a-Fe, до і після впливу ПІП були виміряні енергетичні спектри канальованих іонів He. Складна дефектна структура добре корелює зі зміною мікротвердості за глибиною модифікованих шарів після імпульсного впливу.

4.5.3. Випаровування. Основним механізмом руйнування матеріалу при опроміненні його ПІП помірної густини є поверхневе випаровування [4]. В моделі поверхневого випаровування нехтують конвекцією в розплаві матеріалу і пов’язаним з нею крапельним розльотом рідини. Швидкість руху межі розділу “пар – рідина” залежить тільки від температури поверхні матеріалу Ts і має вигляд [4]

, (4.26)

де vs – швидкість звука в матеріалі;

qe – питома теплота випаровування матеріалу;

R – універсальна газова стала;

Ts – температура поверхні матеріалу;

А – заряд ядра.

Оскільки випаровування відбувається в вакуумі, конденсація буде мала, і в розрахунок не приймається. Для заліза при температурі Ts ~ 4000 К з виразу (4.26) маємо Ve ~ 0,14 м/с. При цьому густина потоку енергії, що іде на випаровування Le=rveqe, рівна 7,1·109 Вт/м2, що складає 10% від густини Le.

Аналогічні результати були одержані для інших металів зокрема Cu, W та Al. Результати експериментів показують, що основні зміни структури та елементного складу відбуваються, в основному, в зоні теплового впливу і в області формування фронту ударної хвилі.

Висновки до розділу 4

1. З’ясовано, що імплантація іонів вольфраму в монокристал Fe/Cr/Ni/Mn дозою 5·1016 см-2 з осадженням із залишкового вакууму плівки вуглецю призводить до того, що на поверхні утворюється шар аморфної вуглецевої плівки товщиною близько 20 нм. Під шаром плівки знаходиться шар з порівняно бездефектною структурою. Даний шар має ГЦК-решітку, параметри якої практично не відрізняються від параметрів основного матеріалу. При підвищенні дози імплантації до 2·1017 см-2 в поверхневому шарі утворюється підшар з різкою межею відокремлення від основного матеріалу.

2. Показано, в результаті впливу на металічну систему Fe/Pb/Fe ПІП з потоком енергії (9-11)∙103 Дж/м2 відбувається перемішування в рідкій і газоподібній фазі, і в поверхневому шарі формується неідентифікована фаза, яка має ГЦК-решітку, а знайдені рефлекси відповідають міжплощинним відстаням 0,2608 нм.

3. Визначені коефіцієнти дифузії за час опромінювання, які складають 2·10-10 м2/с при твердофазному перемішуванні Pb у Fe і 10-9 м2/с при рідкофазному перемішуванні з урахуванням градієнтів температури і тиску. У шарі Pb на межі з α-Fe формуються сполуки Pbх Fe1-х і Pb Fe С, стехіометрія утворених фаз складає х=(0,3-0,7).

4. З’ясовано, після ПІП-впливу в системі Au/Fe/Ni утворюються метастабільні сполуки. Найкраще перемішування системи Au/Fe/Ni відбувається при опроміненні ПІП з потоком енергії близько (9-10)∙103 Дж/м2. Термін служби герконів збільшується в (4-5) раз в порівнянні із звичайним покриттям електрохімічного сплаву.

5. З’ясовано, глибина розташування межі розділу фази „рідина – тверде тіло” відносно поверхні може істотно перевищувати проективну глибину пробігу іонів. При імпульсному впливі ПІП в зразках виникають потужні нерівноважні поля температур і тисків градієнти яких досягають 109 К/м і 1014 Па/м. При рухові фронту затвердіння в ньому буде відбуватися сегрегація домішки при її різних границях розчинності в рідкій і твердій фазах.

Висновки

На основі проведених комплексних досліджень масоперенесення в металічних системах імплантованих імпульсними та інтенсивними іонними пучками з енергією Е =кеВ і дозою від 8·1015 см -2 до 8·1017 см -2, а також перемішуванням ПІП (С+ (30%), Н+ (70%)) з енергією Е = (0,2 – 0,5) МеВ і потоком енергії (0,9 – 2,5)×10-4 Дж/м2 методами РЗР, ОЕС, КЕМС, анігіляції повільних позитронів, ПЕМ, ВІМС, РЕМ, мікропучка протонів (ПІРВ, РЗР) та розрахунку динаміки плавлення були виявлені закономірності процесів масоперенесення в системах Ta/Cu/Al, Pb/Fe, Fe/Pb/Fe, Au/Fe/Ni та ін. і вирішені поставлені завдання.

Основні результати дисертаційної роботи можна сформулювати у вигляді таких узагальнюючих висновків:

1. Уперше за допомогою методів ВІМС, ЕРВІ, ОЕС досліджені процеси перемішування при одночасному осадженні та послідовній імплантації іонів Cu, Ta у Al. Одержано, що спільне осадження та імплантація - більш ефективний процес модифікації порівняно тільки з імплантацією.

2. Досліджені структура і морфологія осаджених плівок з аморфного та алмазоподібного вуглецю при імплантації іонів W на поверхню монокристалів нержавіючої сталі.

3.Уперше за допомогою мікропучка протонів (ПІРВ, РЗР) вивчені й визначені розміри областей локалізації домішок (L≈20мкм) при імплантації іонів Al у залізо і досліджений процес сегрегації алюмінію.

4. Вивчено зміну форми енергетичних спектрів вторинних іонів (ЕРВІ) в умовах динамічного перемішування іонів Ta+ і Cu+ з поверхнею твердого тіла (алюмінію). Зміщення максимуму енергетичного розподілу невелике до 10 еВ у бік збільшеній енергії, збільшується ширина спектрів (20-25) еВ та з’являються декілька максимумів на кривих Al+ і Ta+.

5. На прикладі систем Pb/Fe і Fe/Pb/Fe показано, що у випадку опромінення ПІП при густині струму (40-150) А/см2 основний внесок у перенесення атомів дає бародифузійний потік, зумовлений градієнтом температури і термомеханічною напругою, а міграція і перемішування у полі градієнта концентрації в рідкій фазі не є визначальними факторами в установленні концентраційного профілю. Визначений ефективний коефіцієнт масоперенесення при перемішуванні ПІП свинцю і заліза, що становить від 4,25·10-8 м2/с до 5,6·10-9 м2/с залежно від густини струму.

6. Визначені стехіометрія, яка становить величину від 0,3 до 0,7, структура перемішаних під дією ПІП подвійних і потрійних металічних систем (Pb/Fe, Fe/Pb/Fe, Au/Fe/Ni), особливості яких полягають у тому, що їх компоненти нерозчинні один в одному в рівноважних умовах, а система Au/Fe/Ni є основою для герконів і дозволяє зменшити “замкненість” герконів і збільшує число спрацювань у 5 разів.

СПИСОК ВИКОРИСТАНИХ ДЖЕРЕЛ

1. Модифицирование и легирование поверхности лазерными, ионными и электронными пучками / Под ред. Дж. М. Поута, Г. Фоти, . – М.: Машиностроение, 1987. – 424 с.

2. Zigler J. F. Stopping power and ranges of ions in solid. – Oxford: Pergamon Press, 1985. – 179 p.

3. , , Плотников -механические эффекты в твердых телах при облучении высокоинтенсивными импульсными электронными и ионными пучками. - Алматы: Гылым, 1998.– 267 с.

4. , , и др. Действие излучения большой мощности на металлы. – М.: Наука, 1970. – 272 с.

5. , Кинг превращения при облучении / Под ред. . - Челябинск: Металлургия, 1989. – 118 с.

6. Новиков кристаллического строения металлов. – М.: Металургия, 1983. – 232 с.

7. , Кикинев легких элементов (C, N, O) и пределы их обнаружения методом резерфордовского обратного рассеяния в конструкционных материалах // Материалы III Междунар. Конф. “Взаимодействие излучений с твердым телом” (ВИТТ’99). Том 2. – Минск: АНБ. – 1999. – С. 220-222.

8. , Дудонис твердых тел ионными пучками. – Вильнюс: Макслас, – 1980. – 242 с.

9. Kyмaxoв M. A., Комаров потери и пробеги ионов в твердых телах. – Мин.: Изд-во БГУ, 1979. – 320 с.

10. Ионная имплантация. – М.: Изд-во наука, 1983. – 360 с.

11. Гусева имплантация в металлы // Поверхность. – 1982. – №4. – С. 27-51.

12. Вавилов методы анализа в области ФТТ. – Сов.- западногерманский научно-техн. семинар 3-5 апреля, 1984. – М.: Энергоатомиздат, 1984. – С. 9.

13. , , Куракин пучков заряженных частиц на поверхность металлов и сплавов. – М.: Энергоатомиздат, 1987. – 184 с.

14. , , Фоминский и лазерная имплантация металлических материалов. – М.: Энергоатомиздат, 1991. – 240 с.

15. Matteson S., Nicolet M. A. In : Metastable materials formation by ion implantation // Proc. Mat. Res. Soc. Annul. Meet., ed. Picraux S. T., Choyke W. I. – New York e. a., 1982. – P.3.

16. Взаимодействие излучения с твердым телом и образование элементарных дефектов. – М.: Атомиздат, 1979. – 269 с.

17. Nicolet M. A., Banwell T. C., Paine B. M. Ion implant. and ion beam // Proc. Mater. Symp., – 1983. New-York e. a., 1984. – P. 3.

18. Carter G., Grant W. A. Ion implantation of semiconductors. – London: E. Arnold, 1976. – 214 p.

19. Оцуки заряженых частиц с твердыми телами. – М.: Мир, 1985. – 277 с.

20. , Бажин воздействия ионных пучков на материалы. – М.: «Вузовская книга», 1998. – 391 с.

21. Nicolet M. A., Banwell T. C., Paine B. M. Ion mixing processes // Mat. Res. Soc, SIMP. Pros. – 1984. – V. 27. – P. 3-11.

22. , , Шаповалов примеси в упругопластическом поликристале // Металофизика и новейшие технологии. – 2002. – Т.24. – № 8. – С. .

23. Физические процессы в облученных полупроводниках / Под ред. – Новосибирск, 1977. – 117 с.

24. , , О влиянии ионнои имплантации на природу структурно-фазового состояния ионнолегированного слоя в металах и сплавах // Поверхность. – 2004. – №1. - С. 46-55.

25. Gratias P. Quasicrystals // Conjemp. Phys– V. 28, № 3. – P. 219-239.

26. , Атомные столкновения в кристаллах. – Москва: Атомиздат, 1980. – 180 с.

27. Mayer J. W., Rimini E. Ion ban handbook for material analysis. New York: Academic Press, 1977. – 318 p.

28. Williams J. S. Materials modification with ion beams // Rep. Prog. Phys. – 1986. – V. 49. – P. 491-587.

29. Александров кристаллизации и перекристаллизации полупроводниковых пленок. – М.: Наука, 1986. – 230 с.

30. Бокштейн в металлах. – М.: Металлургия, 1978. – 248 с.

31. , , и др. Ионно-лучевое смешивание металлов: изменение состава поверхности // Поверхность. – 1993. – № 11. – С. 5-29.

32. Holland O. W., Narayan S., Fathy D. Ion beam processes in Si // Nucl. Instrum. Met. Phys. Res. – 1985. – V. 7/8. – P. 243-250.

33. , Комаров процессы при ионной имплантации в твердые тела. – Минск: УП «Технопринт», 2001. – 392 с.

34. , Самохвалов и окисление полупроводников. – М.: «Металлургия», 1975. – 352 с.

35. , , Зайцев этап термического окисления и формирование пограничного слоя в системе Si-SiO2 // Поверхность. – 2003. – С. 98-104.

36. Дефекты структуры в ионно-имплантированом кремнии / , , . – Минск: «Университетское», 1990. – 318 с.

37. Болтакс и точечные деффекты в полупроводниках. – Л.: Наука, 1972. – 384 с.

38. Прохождение атомных частиц через вещество. – М.: Физматгиз, 1950. – 364 с.

39. Brown L. O., Galvin S. E., Yu K. N. High dose uranium ion implantation into silicon // Nucl. Instrum. Met. Phys. Res. – 1988. – V. 31. – P. 558-562.

40. Ossi F. M. Ion beam induced amorphhization // Materials science and engineering. 1987. – V. 99. – P. 55-68.

41. , , // Ионная имплантация в полупроводники и другие материалы. – Вильнюс: ВГУ. – 1985. – С. 221-223.

42. ЭВМ-эксперимент в атомном материаловедении. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 304 с.

43. D’Anna E., Leggler G., Luchea A., Vasslei V., Nava T., Nobili C. Pulsed annealing of silicon / platinum systems // Journal de physigue.-1983. - V. 44.-P. 421-425.

44. D’Anna E., Leggleri G., Luchea A., Nava T., Blasi C. De., Masnl G. Reaction mechanisms of Si/Pt systems under pulsed heat slow // Vacuum. – 1985. – V. 3. – № 1. – P. 25-28.

45. Zukowski P., Komarov F., Kurwat C., Komarov A. Wybrane zagadnienia teоrii i zastosowan implantacs i sonowes / Pod redaksja naukowa Zukowskjego P. Lublin: Uezelnione, 2003. – 190 p.

46. Paine B. M., Averback R. S. Ion beam mixing basis experiments // Nucl. Instrum. Met. Phys. Res. – 1985. – V. 7/8. – P. 666-675.

47. Fustow R., Mayer J. W., Brat T., Eirenberg M., Olowotate S. O. Eutectic melting by pulsed ion beam irradiation // Appl. Phys. Lett. – 1985. – V. 46(II). – P. .

48. Nung L. S. Mayer S. W. Ion indused phase formation metal-metal, and metal-silicon and thin film structures // Nucl. Instrum. Met. Phys. Res.-1985. – V. 7/8. – P. 671-678.

49. , , Исследование структурных изменений в кристалах при онной имплантации // Металофизика и новейшие технологии. – 1999. – Т. 21, №8. – С. 40-45.

50. , , Куницкий превращение металлов в области фазовых перемещений // Успехи физики металлов. – 2003. – Т.4, №3. – С . 123-233.

51. , Машаров концентрация вакансий и коэфициент диффузии меченых атомов в бинарных пленках замещения // Поверхность. – 2003. – №6. – С. 43-48.

52. Блащук зависимость, поверхносная сегрегация и параметр порядка в сплаве FeNi3(III) // Металофизика и новейшие технологии– Т.21, №8. – С.75-80.

53. , К модели дивакансии в Германии // ФТТ. – 2002. –Т. 44, В.11. – С. .

54. Littmark U., Hofer W. C. The тheory of recoil mixing in solids. Ber. Kernforschungsanlage Julich, – 1983. – № 000. – P. 81.

55. Kurwat C. Zastosowanie technik sonowych do modyfikacsi materialow elektrotechnicznych. – Lublin: Uezelnione, 2003. – 145 p.

56. Хаинанов упорядочение точечных дефектов в поверхностных слоях кристалов // Поверхность. – 2004. - №2. – С. 89-94

57. , , Горелин паладия на фазовые превращения в сплавах золото – медь – паладий // Физика металов и металоведение. – 2004. – Т.97, №2. – С. 93-97.

58. Комаров имплантация и металлы. – Москва: Металлургия, 1990. – 216 с.

59. Mahaulwy N. A.Eh. - Тana M. A. Melt spinning of Al-Cu alloys; modelling of heat transter // Journah of materials science lettersV.6. – Р. 385-389.

60. Toмпcoн M. Дефекты и радиоционные повреждения в металлах. – М.: Мир, 1971. – 367 с.

61. Простанственные распределения енергии выделенной в каскадах атомных столкновений в твердых телах / , , M. A. Kyмaxoв, н. – М.: Энергоиздат, 1985. – 248 с.

62. Chu W. K., Mayer J. W., Mаcolet M. A. Back-scattering spectrometry. – New York: Academic Press, 1978. – 388 p.

63. , , Шевелько атомных смещений в твердых телах, динамическая стадия // ЖЭТФ. – 2004. – Т.125, В.2. – С. 362-376.

64. , Верхний миграции зерен на формирование концентрационных профилей имплантированной примеси // Поверхность. – 2003. – №5. – С. 18-21.

65. Ляшенко дифузия в тройных системах с двухфазовыми областями: подходы и модели // Успехи физики металлов. – 2003. – Т.4,№2. – С. 81-122.

66. , , Новицкий перераспределения кобальта на поверхности пленок неоднородных сплавов кобальт – медь // Журнал технической физики. – 2003. – Т.73. – В.4. – С. 117-123.

67. , , Яновский вакансионного дефекта на поверхности Ge(100) // Поверхность. – 2004. – №2. – С. 10-16.

68. Старк Дж. П. Диффузия в твердых телах. – М.: Энергия, 1980. – 239 с.

69. Шуляев -стимулируемая диффузия в металах. М.: Атомиздат, 1972. – 148 с.

70. Степанов -стимулированная дифузия в твердых телах // ЖТФ. – 1998. – Т. 68. – С. 67-72.

71. Массоперенос и фазообразование в металах при импульсных воздействиях / , , . – Самара: Издательство „Самарский университет”, 2001. – 230 с.

72. , Давыдов в теоретическую радиационную физику металлов и сплавов. – К.: Наукова думка, 1985. – 144 с.

73. Брюсов стойкости инструментов методом ионной имплантации. – Томск: Издательство научно-технической литературы, 2003. – 120 с.

74. Kobzev A. P. Element depth profiling of implamted samples // Proc. II International symp. “Ion implantation and other application of ions and electrons” (ION’98). Kazimertz Dolny (Poland). – 1998. – P. 309-319.

75. , , Погребняк металлических материалов импульсными мощными пучками частиц // УФН. – 1999. – Т.169, №11. – С. .

76. Модификация свойств материалов и синтез тонких пленок при облучении интенсивными электронными и ионными пучками / , Наоки Кишимото, , . – Казахстан, Усть-Каменогорск, Восточно-Казахстанский технический университет, 2000. – 345 с.

77. Rastogi R. S., Vankar V. D., Choprat K. L. Molybdenum disilicide formation by ion beam mixing and rapid thermal annealing of Mo/Si (III) // Thin Solid Films – 1988. V 164. – P. 449-454.

78. , , Стриковский мощных импульсивных потоков малой энергии на Си Аs // Физика и техника полупроводников. – 1984. – Т.18, В. 10. – С. .

79. , , Будинавичус раздела Аg-Si сформирована в условиях одновременного осаждения и облучения ионами высоких энергий // Письма в ЖТФ. – 1988. – Т.14, В. 21. – С. .

80. Лубченко распределение заряженных частиц и излучение // Поверхность. – 2003. – №4. – С. 22-31.

81. Масоперенос в металлах при низких температурах в условиях внешних воздействий / , , . – Киев: РИО ИМФ, 2001. – 443 с.

82. , Вершинин в кристаллах в поле быстродвижущейся деформационной волны // Поверхность. – 2003. – №5. – С. 9-13.

83. , , Соловьев поверхностных дислокационных ансамблей в кремнии при наличии механических и магнитных возмущений // Физика твердого тела. – 2003. – Т.48, В. 4. – С. 613-617.

84. Dionisio P. H., de Barros B. A.S., Baumvol I. J.R. Ion implantation Si in iron and steel // App. Phys. – 1984. – V. 55, №12. – P. .

85. , Гуменов фазового перемешивания быстрых легких ионов в кристале: режим двойного каналирования // Поверхность.- 2004. – №2. – С. 43-52.

86. , , Бугаев структурно-фазовых превращений в металлических сплавах при высокодозной ионной имплантации // Известия ВУЗов. Физика. – 1994. – №5. – С. 59-71.

87. , , и др. Зернограничная диффузия золота в тонких пленках в системе золото-медь // Поверхность. –1992. – №10-11. – С. 111-117

88. Pogrebnjak A. D., Tolopa A. M. A review of high-dose implantation and production of ion mixed structures // Nucl. Instrum and Meth.-1990- B. 52. – P. 25-43.

89. , , Яновский - физические методы анализа и их применение для анализа состава вещества // М.: Атомиздат, 1983. – 67 с.

90. , , Пирогов -спектрометр для анализа // ПТЭ. – 1986. – № 3. – С. 67-69.

91. , Стайко особенности анализа поверхностных слоёв металлов после имплантации ионов // Вопросы атомной науки и техники. Вакуум, чистый материал, сверхпроводники, Харьков. – 1998. – Т. 2(3), 2(4). – С. 30-34.

92. , Толопа ионно-плазменных потоков металлов для обработки конструкционных материалов // Аналитический обзор. Харьков, ХЦНТИ. – 1990. – 34 с.

93. Вакуумные дуги / Под редакцией Дж. Лифферти. – М.: Мир, – 1982. – 282 с.