Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
До появления квантовой электроники свечение полупроводников изучалось при невысоком уровне возбуждения. Стимулированное испускание и усиленная люминесценция отсутствовали. Так как для видимой и ближней инфракрасной областей спектра при комнатной и более низких температурах фон теплового испускания ничтожно мал и им можно пренебречь, то в таких условиях все рекомбинационное излучение полупроводников практически сводилось к люминесценции. Это давало основания называть люминесценцию рекомбинационным излучением.
В современных условиях, когда широко используются мощные источники возбуждения и интенсивно исследуются стимулированное излучение, усиленная люминесценция и генерация, термин «рекомбинационное излучение» представляется неудачным и его нельзя использовать как синоним люминесценции.
1.1. Универсальное соотношение между спектрами поглощения и люминесценции.
В 1957 г. показал [9], что мощность люминесценции и коэффициент поглощения системы частиц с двумя электронно-колебательными состояниями связаны соотношением.
![]()
(6)
где ![]()
и ![]()
— населенности верхнего и нижнего электронно-колебательных уровней; ![]()
— частота чисто электронного перехода; v — фазовая скорость света. Формула (6) получила широкую известность как универсальное соотношение Степанова и многократно проверялась на опыте. Соотношение (6) справедливо в тех случаях, когда можно пренебречь стимулированным испусканием и когда перед актом испускания света успевает установиться равновесное распределение возбужденных центров по всем степеням свободы. В парах сложных молекул функция распределения по колебательным уровням молекулы зависит не только от температуры среды, но и от частоты возбуждающего света [10]. Поэтому для паров связь между ![]()
и ![]()
несколько отличается от (6). Границы применимости универсального соотношения и его обобщения на некоторые более сложные системы рассмотрены в [11]. Механизмы поглощения и испускания света в сложных молекулах и полупроводниках существенно различны. В сложных молекулах распределение системы по уровням энергии описывается функцией Больцмана, а число актов поглощения или испускания света пропорционально населенности исходного колебательного уровня. В полупроводниках равновесное распределение электронов по уровням разрешенных зон удовлетворяет функции Ферми-Дирака, а скорость оптических переходов пропорциональна произведению числа электронов в исходном состоянии на число дырок в конечном состоянии. Несмотря на это, в оптических свойствах сложных молекул и полупроводников обнаруживается далеко идущая аналогия [12, 13]. Широким энергетическим зонам в полупроводниках соответствуют электронно-колебательные зоны в сложных молекулах. Сложные молекулы характеризуются обычно равновесным распределением по колебательным уровням энергии верхнего и нижнего электронных состояний. Такое частное равновесие устанавливается даже при интенсивном возбуждении и переводе значительной части молекул в возбужденное электронное состояние. Аналогичное явление наблюдается в полупроводниках. Нарушение полного термодинамического равновесия и перевод части электронов в зону проводимости сопровождается установлением равновесного распределения электронов отдельно по уровням валентной зоны и уровням зоны проводимости. Именно поэтому некоторые оптические свойства сложных молекул и собственных полупроводников весьма близки друг к другу.
Это проявляется особенно наглядно в универсальном соотношении между спектрами поглощения и люминесценции.
Рассмотрим собственный полупроводник, в общем случае не находящийся в состоянии термодинамического равновесия. Под действием внешнего возбуждения электроны будут переходить из валентной зоны в зону проводимости, где их концентрация станет больше, чем при термодинамическом равновесии. Одновременно происходит обратный процесс спонтанной, вынужденной и безызлучательной рекомбинации электронов и дырок.
Так как время установления равновесия между носителями в пределах одной зоны порядка 10-11—1012 сек, а время рекомбинации, как правило, больше 10-10 сек, то распределение электронов по уровням энергии зоны проводимости Ес и валентной зоны Ev будет характеризоваться функцией Ферми — Дирака
![]()
, ![]()
(7)
и двумя квазиуровнями Ферми Fe и Fh для электронов и дырок соответственно.
Легко убедиться, что для любой выделенной пары уровней выполняются равенства
![]()
(8)
![]()
(9)
где ![]()
- разность квазиуровней Ферми.
Используя эти соотношения, с помощью (6.16 из [51]) и (6.18 из [51]) независимо от правил отбора находим [6]
![]()
. (1.10)
Так как мощность спонтанного испускания Wсп(![]()
)= гсп(![]()
)h![]()
, а коэффициент поглощения ![]()
связан с ![]()
соотношением (6.24 из [51]), то с помощью (10) приходим к универсальному соотношению между спектрами поглощения и спонтанного испускания [14]:
![]()
(11)
При термодинамическом равновесии распределение электронов и дырок характеризуется" одним уровнем Ферми, а N(E) будет давать число фотонов в заданном типе электромагнитных колебаний планковского излучения:
![]()
(12)
Подставляя (12) в (10) и учитывая, что ![]()
, получим — ![]()
. При термодинамическом равновесии скорость спонтанного испускания равна скорости поглощения планковской радиации, а из формулы (11) следует закон Кирхгофа
![]()
(13)
На основании (1.11) суммарную по частоте скорость спонтанной рекомбинации можно представить в виде интеграла
![]()
(14)
В частном случае, когда ![]()
, этот интеграл переходит в формулу ван Русбрека и Шокли [125]

(15)
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 |


