Люминесценция (Л.) — нетепловое свечение вещества, происходящее после поглощения им энергии возбуждения (стр. 8 )

  После прогрева кристалла NaCl при температуре 600°С в течение 2 мин, концентрация центров люминесценции на поверхности в 15 раз выше, чем на глубине 2 мм. Исходя из этих фактов, коэффициент диффузии должен быть равен 1-2-103 см2/с. Значения коэффициентов диффузии различных примесей в щелочно-галоидных кристаллах, а также самодиффузии собственных ионов  кристаллов имеют значительно меньшие значения. Столь высокие значения коэффициентов диффузии возможны только для примесей газов. Следовательно, предположения об образовании центров ультрафиолетовой люминесценции вследствие диффузии газов в кристалл при его прогреве не противоречат наблюдающейся кинетике процесса.

  Представляет интерес предположение о влиянии кислорода на создание центров ультрафиолетовой люминесценции. Большинство исследователей получали данные центры выращиванием кристаллов в атмосфере, содержащей кислород, или же при введении в расплав содержащих кислород примесей. Прогрев кристаллов в атмосфере кислорода также приводит к образованию данных центров. Кроме того, в солях щелочно-галоидных кристаллов, полученных без специальной очистки, также содержится кислород. Все это позволило выдвинуть версию о вхождении в состав центров люминесценции атомов кислорода. Однако отсутствие в кристаллах наиболее часто встречающихся групп , - или О затрудняет подтверждение данной версии.

Заключение

  Явление люминесценции позволяет создать источники света, которые обладают значительными преимуществами перед лампами накаливания, излучающими в диапазоне видимого участка спектра лишь около 3 - 5 % расходуемой энергии и имеющими малую светоотдачу. Люминесцентные источники света не требуют нагрева, дают излучение в сравнительно узкой спектральной области и являются весьма экономичными, например натриевые лампы, в которых пары натрия светятся под действием электрического разряда. Натриевые лампы дают излучение, почти полностью сосредоточенное в области около желтой линии натрия с длиной волны 589 нм, что близко к длине волны, соответствующей максимуму чувствительности глаза. Однако натриевая лампа придает всем освещаемым объектам неприятную желтую окраску. Использование явлении люминесценции и люминесцирующих веществ в настоящее время прочно вошло в разнообразные области техники. Применения люминесценции столь важны, с одной стороны, столь специфичны - с другой, что в рамках книги, посвященной физике процессов люминесценции ц ограниченной определенным объемом, они не могут быть освещены с надлежащей полнотой. При практическом использовании люминесцентных веществ возникают многочисленные технологические вопросы, разбор которых чрезвычайно важен для правильного разрешения определенного круга технических задач. Однако вследствие большого интереса и важности технических применений нам казалось неправильным ограничиться теми замечаниями об использовании отдельных процессов или веществ, которые были даны при изложении основного материала. Поэтому в настоящем приложении дается общин обзор практических применений люминесценции, представляющий интерес для лиц, начинающих заниматься изучением люминесценции.

  В чистых щелочно-галоидных кристаллах при их прогреве, независимо от того, происходит ли он при выращивании из расплава или же при термической обработке готового кристалла, образуются высокостабильные центры люминесценции. Многокомпонентность реакции их образования свидетельствует о том, что данные дефекты не элементарны.

Список литературы

С. И. В а в и л о в. Вступительное слово на совещании по вопросам лю­минесценции, созванном физико-математическим отделением АН СССР 5—10 октября 1944 г. Собр. соч., 2, 186, 1952. , П. а. А п а н а с е в и ч. О классификации вторично­го свечения. ДАН СССР, 116, 772, 1957. , А. П. А п а н а с е в и ч. О понятиях фотолюминес­ценции и рассеяния. Изв. АН СССР, сер. физич., 22, 1380, 1958. , П. А. А п а н а с е в и ч. Классификация вторично­го свечения. Опт. и спектр., 7, 437, 1959. К - К - Ребане. Элементарная теория колебательной структуры спек­тров примесных центров кристаллов. М., «наука», 1968. Е. Ф. Г р о с с, С. А. П е р м о г о р о в, в. в. т р а в н и к о в, . Вторичное свечение экситонов в кристаллах CdS. Сб. «Фи­зика примесных центров в кристаллах». Таллин, Изд-во АН ЭССР, 1972, стр. 627. М. н. Аленцев, -Романовский, ­панов, . О выходе резонансной флуоресценции атомов. ЖЭТФ, 28, 253, 1955. . Универсальное соотношение между спектрами по­глощения и люминесценции сложных молекул. ДАН СССР, 112, 839, 1957. Н. А. Б о р и с е в и ч. Возбужденное состояние сложных молекул в га­зовой фазе. Минск, «Наука и техника», 1967. . О границах применимости универсального соотно­шения между спектрами поглощения и люминесценции сложных моле­кул. ЖПС, 17, 245, 1972. , . Об аналогии оптических свойств сложных молекул и полупроводников. Опт. и спектр., 27, 583, 1969. , . Применение понятия хи­мического потенциала для описания оптических свойств сложных мо­лекул. Изв. АН СССР, сер. физич., 34, 513, 1970. , . Универсальное соотноше­ние между спектрами поглощения и люминесценции в полупроводни­ках при больших интенсивностях возбуждения. ДАН СССР, 183, 67,

-  1968.

W. Van Roosbroeck, W. Shoe lev. Photon-radiative recombina­tion of electrons and holes in germanium. Phys. Rev., 94, 1558, 1954; Проблемы физики полупроводников. M., ИЛ, 1957, стр. 122. Y. P. Varshni. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI, and III— V semiconductors. I. Phys. Status. Solidi, 19, 459, 1967. Band-to-band radiative recombination in groups IV, VI and III—V semi­conductors. II. Phys. Status. Solidi, 20, 9, 1967. Излучательная реком­бинация в полупроводниках. М., «Наука», 1972, стр. 9—124. -Романовский, , А. П. X а п а н ю к. Выход люминесценции системы частиц с тремя уровнями энергии. ДАН СССР, 105, 50, 1955. . Отрицательная люминесценция н отрицательный фотоэффект. Опт. и спектр., 1, 125, 1956. . Отрицательная люминесценция. Тр. Ин-та физики и матем. АН БССР, вып. 1, Минск, 1956, стр. 46. . Основы спектроскопии отрицательных световых потоков. Минск, Изд-во Б ГУ, 1961. Б. И. С т е п а н о в, Я - С. X в а щ е в с к а я. Получение спектров погло­щения с помощью холодных источников света. ДАН СССР, 116, 588, 1957. , Я - М. Хващевская. Спектроскопия отрицатель­ных потоков лучистой энергии. Изв. АН СССР, сер. физич., 22, 1089, 1958. . Фотоэлектрические явления в полупроводниках. М., Физматгиз, 1963. . Выход флуоресценции растворов красителей. Собр. соч., i. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 150. . Выход люминесценции растворов красителей в за­висимости от длины волны возбуждающего света. Собр. соч., I. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 222. СИ. Вавилов. Выход и длительность флуоресценции. Собр. соч., i. М., Изд-во АН СССР, 1954, стр. 424. . Фотолюминесценция жидких и твердых веществ. М., ГИТТЛ, 1951. . Люминесценция сложных молекул. Минск, Изд-во АН БССР, 1955. . Замечания о понятиях «выход», «средняя длитель­ность» и «закон затухания» люминесценции и их применение. Опт. и спектр., 11, 362, 1961. G. С. Dousmanis, С. W. Mueller, Н. Nelson, К. G. Petrin-g е г. Evidence of refrigerating action by means of photon emission in semiconductor diodes. Phys. Rev., 133A, 316, 1964. M. A. We in stein. Thermodynamic Limitation on the conversion of heat into light. JOSA, 50, 594, 1960. Ю. H. Николаев, M. В. Фок. Принципы преобразования электри­ческой энергии в световую. Тр. Физич. института АН СССР, 50, 106, 1970. . Люминесценция и ее длительность. Собр. соч., 2. М., Изд-во АН СССР, 1952, стр. 293. ев а, . Влияние параметров разря­да на интенсивность линий 1850 и 2537 А в люминесцентных лампах. Изв. АН СССР, сер. физич., 13, 271, 1949. , . Чувствительность люминофо­ров для люминесцентных ламп в коротковолновом ультрафиолетовом излучении. Изв. АН СССР, сер. физич., 21, 541, 1957. Методы расчета оптических квантовых генераторов под ред. ­панова, т. i. Минск, «Наука и техника», 1966. К - И. Б р и ц ы н, . О процессе фотоионизации в крем­нии. Опт. и спектр., 8, 851, i960. И. Н. Б р о н ш т е й н, К. А. С е м е н д я е в. Справочник по математи­ке. М., «Наука», 1964. В. П. Г р и б к о в с к и й, П. А. А п а н а с е в и ч, Б. И. С те па но в. Оптические свойства гармонического осциллятора. Тр. Ин-та физики и матем. АН БССР, вып. 3, 131, 1959. Р. Бью б. Фотопроводимость твердых тел. М., ИЛ, 1962. A. Many, R. Bray. Life time of excess carriers in semiconductors. Prog. Semicond., 3, 117, 1958. А. Э. Ю н о в и ч. Излучательная рекомбинация в р—re-переходах в по­лупроводниках. Сб. «Инжекционная электролюминесценция». Тарту, Изд-во ТГУ, 1968. w. P. Dumke. Spontaneous radiative recombination in semiconduc­tors. Phys. Rev., 105, 139, 1957. w. P. Dumke. Optical transitions involving impurities in semiconduc­tors. Phys. Rev., 132, 1998, 1963.
P. E. Landsberg. A contribution to the recombination statistics of excess carriers in semiconductors. Proc. Phys. Soc, B70, 282, 1957. Г. С. Л а н д с б e p г. Оптика. M., ГИТТЛ, 1952. P. Дитиберн. Физическая оптика. M., «Наука», 1965. . Поляризованная люминесценция атомов, моле­кул и кристаллов. М., Физматгиз, 1959. A. Yablonskii. Zur Theorie der Polarisation der photolumineszenz von Forbstofflosungen. Ztschr. f. Physik, 96, 236, 1936. . Природа элементарных осцилляторов н поляриза­ция фотолюминесценции. Собр. соч., 2. М., Изд-во АН СССР, 1952. , В. П. Г р и б к о в с к и й. Введение в теорию лю­минесценции. Минск, Изд-во АН БССР, 1963 , Теория испускания и поглощения света в полупроводниках, Минск, 1975 , «Формирование и свойства центров люминесценции в щелочно-галоидных кристаллах», М. : Физматлит, 2006. - 188 с