Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
МИНИСТЕРСТВО ОБРАЗОВАНИЯ И НАУКИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНДУСТРИАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ
МЕТОДЫ СТРУКТУРНОГО
АНАЛИЗА МАТЕРИАЛОВ
И КОНТРОЛЬ КАЧЕСТВА ДЕТАЛЕЙ
ЧАСТЬ I. ПРОСВЕЧИВАЮЩАЯ ЭЛЕКТРОННАЯ МИКРОСКОПИЯ
Учебно-методическое пособие для студентов,
обучающихся по специальности 120800 (150501)
«Материаловедение в машиностроении»
Составители: ,
Москва 2012
УДК 620.187.3 (076)
ББК 22.338
М54
Рецензенты:
к. т.н., доцент,
д. ф. - м. н. проф.
М54 | Методы структурного анализа материалов и контроль качества |
ISBN 978-5-2760-2056-3
Данное пособие посвящено методу просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) как одному из самых информативных в решении проблем материаловедения и физики твердого тела. В пособии изложен теоретический материал для подготовки студентов к семинарским занятиям по курсу «Методы структурного анализа материалов и контроль качества деталей». В состав учебно-методического пособия входит подробное описание устройства и принципов работы просвечивающего электронного микроскопа. Пособие предназначено для студентов специальности 120800 (150501) «Материаловедение в машиностроении», но может быть полезным студентам и аспирантам других специальностей, изучающих курс материаловедения.
УДК 620.187.3 (076)
ББК 22.338
ISBN 978-5-2760-2056-3 © МГИУ, 2012
© ; ,
составление, 2012

СОДЕРЖАНИЕ
Введение. 4
1. Электронный микроскоп. Общие сведения. 4
2. Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ). 6
3. Задачи материаловедения, решаемые с помощью ПЭМ.. 7
4. Основные понятия и закономерности
в электронной микроскопии.. 8
4.1. Краткое теоретическое введение. 8
4.1.1. Основные физические понятия и законы.. 8
4.1.2. Дифракция волн и частиц
на кристаллической решетке. 13
4.2. Обратная решетка. 17
4.2.1. Понятие обратной решетки. 17
4.2.2. Построение обратной решетки. 17
4.2.3. Построение Эвальда (сфера Эвальда) . 18
Обратная решетка поликристалла. 20
5. Устройство современного ПЭМ. 21
5.1. Важнейшие части конструкции ПЭМ. 24
5.1.1. Источники электронов (электронные пушки) 24
5.1.2. Устройство создания и поддержания вакуума. 26
5.1.3. Электронные линзы. 27
6. Образцы, применяемые в ПЭМ. 28
7. Основные понятия, связанные с работой
на ПЭМ. 31
7.1. Контраст и разрешение в ПЭМ. 31
7.2. Режимы работы современного ПЭМ. 37
8. Наблюдение дефектов и элементов микроструктуры
в электронном микроскопе. 40
Контрольные вопросы.. 42
Список литературы.. 44
Введение
Развитие современного индустриального общества требует всё более качественных материалов с различными заданными свойствами. Материаловеды научились контролировать и управлять некоторыми важными свойствами материалов, изменяя их структуру. Для наблюдения структуры требуются качественные, информативные и объективные методы анализа. Одним из самых распространенных методов структурного анализа, отвечающего современным требованиям, является электронная микроскопия. Электронная микроскопия позволяет с помощью электронного микроскопа исследовать микроструктуру объекта при увеличениях до многих сотен тысяч раз (вплоть до атомно-молекулярного уровня), изучать локальный химический состав и количественный характер распределения фаз и дефектов кристаллического строения. Базовые навыки работы на электронном микроскопе и понимание основных принципов его функционирования необходимы для инженера-материаловеда.
1. Электронный микроскоп. Общие сведения
Электронный микроскоп – прибор, позволяющий получать изображение объектов с максимальным увеличением до 106 раз, благодаря использованию вместо светового потока пучка электронов с энергиями 30÷200 кЭв и более. Разрешающая способность электронного микроскопа в 1000÷10000 раз превосходит разрешение светового микроскопа и для современных приборов может составлять несколько ангстрем. Для получения изображения в электронном микроскопе используются специальные магнитные линзы, управляющие движением электронов в колонне прибора при помощи магнитного поля. Это один из важнейших приборов для фундаментальных научных исследований строения вещества, особенно в таких областях науки, как физическое материаловедение и биология. На рисунке 1 представлен общий вид лабораторной комнаты, оснащенной электронным микроскопом.

Рис. 1. Электронный микроскоп
Существуют три основных типа электронных микроскопов. В 1930-х годах был изобретен обычный просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ), в 1950-х годах – растровый (сканирующий) электронный микроскоп (РЭМ), а в 1980-х годах – растровый туннельный микроскоп (РТМ). Эти три вида микроскопов дополняют друг друга в исследованиях структур и материалов разных типов. Все они успешно используются при решении металловедческих задач, но наибольшее распространение в физическом металловедении получили электронные микроскопы просвечивающего типа.
В данном методическом пособии подробно рассматривается просвечивающий электронный микроскоп и некоторые фундаментальные принципы электронной микроскопии.
2. Просвечивающий электронный микроскоп (ПЭМ)
Просвечивающая электронная микроскопия – один из наиболее информативных методов исследования структуры металлов и сплавов, в котором сочетаются возможности получения в одном эксперименте изображений с высоким разрешением и дифракционных картин одного и того же участка образца. Применение просвечивающей электронной микроскопии оказало решающее влияние на формирование современных представлений о механизмах фазовых превращений (мартенситных превращений, распада пересыщенных твердых растворов), строении границ, о процессах пластической деформации, разрушения и рекристаллизации, о структурных проявлениях радиационных повреждений, о тонкой химической периодичности сплавов и т. д.
С помощью ПЭМ возможно изучение объектов даже на атомарном уровне. ПЭМ является одним из основных методов исследования в целом ряде прикладных областей: физике, биологии, материаловедении и т. д. Вряд ли остался какой-либо сектор исследований в области биологии и материаловедения, где бы не применялась просвечивающая электронная микроскопия.
Просвечивающий электронный микроскоп – установка, в которой изображение от ультратонкого объекта (толщиной порядка 0,1 мкм) формируется в результате взаимодействия пучка электронов с веществом образца с последующим увеличением магнитными линзами (объектив) и регистрацией на флуоресцентном экране.
ПЭМ во многом подобен световому микроскопу, но только для освещения образцов в нем используется не свет, а пучок электронов, который способен проникать сквозь объект. На рисунке 2 показано рабочее место оператора электронного микроскопа и внешний вид установки.
Для металлофизических исследований обычно используют микроскопы с ускоряющим напряжением 100–200 кВ, позволяющие просвечивать электронными лучами объекты толщиной 0,2–0,4 мкм (предельная толщина зависит от атомной массы материала). С увеличением ускоряющего напряжения возрастает проникающая способность электронов, что дает возможность изучать объекты большей толщины.

Рис. 2. Работа за просвечивающим электронным микроскопом
3. Задачи материаловедения, решаемые
с помощью ПЭМ
Метод просвечивающей электронной микроскопии позволяет изучать внутреннюю структуру исследуемых металлов и сплавов, в частности:
1) определять тип и параметры кристаллической решетки матрицы и фаз;
2) определять ориентационные соотношения между фазой и матрицей;
3) изучать строение границ зерен;
4) определять кристаллографическую ориентацию отдельных зерен, субзерен;
5) определять углы разориентировки между зернами, субзер-нами;
6) определять плоскости залегания дефектов кристалличес-кого строения;
7) изучать плотность и распределение дислокаций в материалах изделий;
8) изучать процессы структурных и фазовых превращений в сплавах;
9) изучать влияние на структуру конструкционных материалов технологических факторов (прокатки, ковки, шлифовки, сварки и т. д.).
4. Основные понятия и закономерности
в электронной микроскопии
4.1. Краткое теоретическое введение
4.1.1. Основные физические понятия и законы
Для корректной работы электронного микроскопа электронный пучок в ПЭМ должен иметь определенные характеристики, которые задаются как электронным источником, так и конструкцией пушки. Основными характеристиками электронного источника являются такие, как интенсивность, яркость, когерентность, стабильность.
Не следует путать яркость и интенсивность.
Интенсивность источника – это число испускаемых электронов за единицу времени, отнесенное к единице площади излучающей поверхности, т. е. плотность эмитируемого тока.
Яркость – это плотность тока в единице телесного угла. Очевидно, что, чем выше яркость, тем больше плотность тока на образце, тем больше информации можно получить, но тем боль-ше радиационных нарушений в радиационно-чувствительных образцах.
Когерентность (от лат. cohaerentio – связь, сцепление) –согласованное протекание в пространстве и во времени нескольких колебательных или волновых процессов, при котором разность их фаз остается постоянной. Это означает, что волны (звук, свет, волны на поверхности воды и пр.) распростра-няются синхронно, отставая одна от другой на вполне определенную величину. При сложении когерентных колебаний возникает интерференция. Всем известно, что белый свет некоге-рентен, поскольку является смесью волн с разными длинами. Чтобы получить когерентный пучок электронов, необходимо создать пучок, в котором электроны имеют одинаковую длину волны, т. е. монохроматичный пучок. В реальном пучке имеется разброс по энергиям электронов, и электрон можно представить как волновой пакет с длиной когерентности (шириной пакета).
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 |


