Методическое пособие к лабораторным работам по курсу «Материалы электронной техники» (стр. 3 )

  (2)

Для равновесного состояния полупроводника справедливо равенство

Процессы рекомбинации неравновесных носителей заряда в полупроводниках можно разделить на два основных типа:

1.Межзонная, или прямая, рекомбинация происходит при переходе свободного электрона из зоны проводимости в валентную зону на один из свободных энергетических уровней, что соответствует исчезновению пары носителей заряда – свободного электрона и дырки.

Рекомбинация через ловушки. Рекомбинационными ловушками являются примеси и дефекты, создающие в запрещенной зоне энергетические уровни, достаточно удаленные от ее краев. Дефект решетки, способный захватить электрон из зоны проводимости и дырку из валентной зоны, осуществляя их рекомбинацию, называют рекомбинационной ловушкой.

Кроме рекомбинационных ловушек в запрещенной зоне полупроводника существуют уровни, которые могут захватывать носители только одного какого – либо типа. Такие уровни называют ловушками захвата. Ловушками захвата являются примеси или дефекты, создающие мелкие уровни в запрещенной зоне. Характерной особенностью их является то, что они взаимодействуют только с одной зоной – зоной проводимости или валентной зоной. Носитель заряда, находящийся на таком уровне, через некоторое время освобождается и снова участвует в электропроводности. Этот процесс может повторяться.

Роль одних и тех же ловушек может изменяться от внешних условий, в частности, от температуры и уровня нетеплового возбуждения полупроводника.

Избыточная энергия, которая освобождается при рекомбинации электронов и дырок, либо излучается в виде фотона, либо безызлучательным путем передается кристаллической решетке в виде теплоты (фононов). В первом случае рекомбинацию называют излучательной, во втором – безизлучательной (фононной).

Основными характеристиками процесса рекомбинации являются время жизни и диффузионная длина неравновесных носителей заряда.

Время жизни носителей заряда.

Время жизни свободного носителя – это время, в течение которого носитель вносит вклад в проводимость, т. е. время, в течение которого возбужденный электрон находится в зоне проводимости (Ec) или возбужденная дырка – в валентной зоне (Ev). Время жизни свободного носителя ограничивается моментом рекомбинации этого носителя или моментом экстракции (вытягивание) его из кристалла электрическим полем, если при этом из противоположного электрода не поступает такой же носитель. Оно может прерываться при захвате носителя ловушкой и продолжается вновь, когда носитель будет освобожден из ловушки, или продолжаться, не прерываясь, если в тот момент, когда носитель экстрагируется полем из кристалла, такой же носитель инжектируется в кристалл из противоположного электрода.

Рекомбинация неравновесных носителей заряда оказывает значительное влияние на работу полупроводниковых приборов. Рекомбинацию в объеме характеризует объемное время жизни ?v, а рекомбинацию на поверхности – поверхностное время жизни ?s. Временем жизни неравновесных носителей заряда называют отношение избыточной концентрации неравновесных носителей заряда (?n или ?p) к скорости изменения этой концентрации вследствие рекомбинации в объеме:

  (3)

?s – отношение избыточного количества неравновесных носителей заряда в объеме полупроводника к общему их потоку у поверхности.  Эффективное время жизни ?эф рассматривают как составленное из отдельных времен жизни для объемной ?v и поверхностной ?s  рекомбинации.

Время жизни ?v является одним из важнейших критерий качества полупроводникового материала и степени его пригодности для изготовления полупроводниковых приборов, оно меняется в широких пределах от кристалла к кристаллу, зависит от температуры, химических примесей. Различные примеси в разной степени влияют на время жизни носителей заряда. Некоторые примеси (например, золото в германии и кремнии) представляют собой исключительно активные центры рекомбинации и резко уменьшают время жизни носителей заряда, хотя и не обладают резко выраженными донорными и акцепторными свойствами.

Время жизни ?s зависит не только от свойства материала, но и от состояния поверхности, размеров образца, технологии его изготовления. Химическая обработка полированной поверхности образца позволяет увеличивать время жизни носителей у поверхности настолько, как в объеме полупроводника.

Если считать время жизни постоянным, т. е. не изменяющимся при изменении избыточной концентрации носителей заряда (линейная рекомбинации), то изменение избыточной концентрации носителей заряда после отключения источника возбуждения:

  (4) 

где ?n0 – начальная избыточная концентрация носителей заряда (в момент времени t = 0).

Из (4) видно, что время жизни – это характеристическое время, по истечении которого избыточная концентрация носителей заряда при линейной рекомбинации уменьшается в е раз.

Фотопроводимость.

Изменение электрической проводимости (удельного сопротивления) вещества под воздействием электромагнитного излучения называют фотопроводимостью (фоторезистивным эффектом).

При фотопроводимости первичным является процесс поглощения фотонов. Если нет поглощения, то нет и фотопроводимости. Поглощение излучения в полупроводниках может быть связано с изменением состояния, как свободных, так и связанных электронов. В связи с этим в полупроводниках различают несколько механизмов оптического поглощения: собственное, экситонное, примесное, поглощение света носителями заряда и кристаллической решеткой. Из всех механизмов оптического поглощения света лишь собственное и примесное поглощение сопровождается генерацией избыточных носителей заряда. За счет оптической генерации неравновесных носителей заряда изменяются электрические свойства полупроводника при его освещении. Поэтому два выделенных механизма поглощения называют фотоактивными.

Фотопроводимость ?? равна разности проводимостей полупроводника на свету и в темноте:

  (5)

Скорость оптической генерации носителей заряда g0 определяется интенсивностью падающего света  I и показателем поглощения ?:

  (6)

где ?0 – квантовый выход внутреннего фотоэффекта.

Квантовым выходом внутреннего фотоэффекта называют количество пар носителей заряда, приходящееся на один поглощенный квант. В фотоэлектрически активной  области электромагнитного спектра квантовый выход чаще всего равен единице т. е. каждый фотон создает при возбуждении решетки одну пару носителей заряда. Однако экспериментально измеряемая величина ?0 может быть как меньше, так и больше единицы. Значение квантового выхода меньше единицы объясняется нефотоактивными механизмами поглощения света (экситонное, свободными электронами и др.). Значение квантового выхода больше единицы объясняется тем, что при облучении полупроводника квантами света с большим значением энергии электрон получает большую кинетическую энергии, достаточную для того, чтобы при последующих столкновениях вызвать еще один или несколько актов ионизации.

Существует два основных типа фотопроводимости – собственная и примесная. В первом типе поглощение кванта света с энергией приводит к переходу электрона из валентной зоны в зону проводимости, и образуются подвижные электрон и дырка. Во втором типе поглощение кванта с приводит к ионизации донорного или акцепторного уровня и образуется подвижный носитель только одного знака.

Релаксация фотопроводимости.

Изменение электрических свойств полупроводников под влияние электромагнитного излучения носит временной характер. После прекращения облучения проводимость более или менее быстро возвращается к тому значению, которое она имела до облучения. У одних полупроводников это длится микросекунды, у других измеряется минутами и даже часами.  Знание инерционности фотопроводимости различных полупроводниковых материалов важно при разработке, например, фоторезисторов.

Рассмотрим процессы, происходящие в полупроводнике при воздействии на него прямоугольными световыми импульсами (рис.1). Закон нарастания избыточной концентрации носителей заряда при включении освещения при начальном условии при :

  (7)

где .

По такому же закону происходит и нарастание фотопроводимости:

.  (8)

При отключении света изменение проводимости определяется только скоростью рекомбинации, т. е.  .

Таким образом, крутизна фронтов нарастания и спада фотопроводимости находится в тесной связи со временем жизни неравновесных носителей заряда.

Рис. 1. Кривые релаксации фотопроводимости полупроводника.

Описание установки.

Для определения ?н  и ?сп подают на фоторезистор (фоторезистор представляет собой полупроводниковый резистор, сопротивление которого изменяется под действием излучения) рабочее напряжение и освещают его прямоугольным импульсами света,  получают на экране осциллографа устойчивую картину нарастания и спада фототока во времени. Включив метки времени на осциллографе, определяют значения ?н  и ?сп путем подсчета числа калибровочных меток времени на участках нарастания и спада фототока 63% от установившегося значения тока.