Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории антипересекающихся зон (стр. 8 )

После перекристаллизации в процессе газостатирования (рис. 5.4.7, кривая 2) селективная полоса поглощения исчезает. В работах [103,115,149] показано, что газостатирование при высокой температуре >10000С сопровождается перекристаллизацией, коалесценцией с образованием участков кристаллов с различными концентрациями кислорода. Это приводит к неоднородному размытию полосы.

Для кристаллов ZnSe в работах [103,114] растворенному кислороду сопоставлена полоса поглощения ~ 10 мкм. Для переходов Е– ® Е+ в ZnSe это соответствует расщеплению 130 мэВ, большему, чем зазор (ЕС – ЕО), равный 114 мэВ. Согласно спектральному смещению экситонных полос (~ 10 мэВ) концентрация растворенного кислорода в исследованных образцах ~ 0,03 мол% (1019cм-3), что согласуется с величиной расщепления и подтверждается результатами анализов на кислород.

В зависимости от концентрации растворенного кислорода спектральное положение полос поглощения, связанных с переходами Е– ® Е+, может быть рассчитано по величине расщепления зоны проводимости из соотношения (5.4.3), приведенного выше или из рис. 5.4.8. График рис. 5.4.8 позволяет определить диапазон, в котором могут проявиться эти полосы как в основном объеме кристалла, так и в выделениях.

Рис. 5.4.8. Изменение спектрального положения полос поглощения ZnSe и ZnS, связанных с переходами Е– ® Е+ в зависимости от концентрации растворенного кислорода и величины расщепления зоны проводимости.

В связи с этим отметим, что спектры ИК пропускания могут давать информацию о распределении и формах присутствия кислорода в кристаллах. Так, в образцах CVD ZnS, рассмотренных выше, SА свечение выявляет скопления со значительно большей [OS], чем в основном объеме (см. разд. 4.1). В пропускании таких образцов при большом количестве скоплений могут появляться дополнительные полосы поглощения, обязанные скоплениям.

Рис. 5.4.9. Спектры пропускания при 300К CVD ZnSe, легированного при росте кислородом, введенным в газовую фазу в количестве 0,9 %. Кривая 1 –эталонный образец, 2 – конец см), 3 – средняя часть конденсата (7 – 9 см).

Сопоставление спектров с селективными полосами (рис. 5.4.9) позволяет по смещению однотипных полос поглощения судить об изменении в них концентрации растворенного кислорода. Например, на рис. 5.4.9 приведены три спектра пропускания: эталонного образца ZnSe (кривая 1) и 2-х разных участков протяженного конденсата (кривые 2 и 3). В целом спектры 2-3 свидетельствуют о неоднородности исследуемого конденсата, полученного при сильном легировании кислородом при росте [103]. Для ZnSe весьма характерна полоса поглощения в области ~ 8 мкм, которая, повидимому, связана с переходами Е– ® Е+. Она наблюдается и в спектре эталонного образца как 8,9 мкм и смещается для исследуемых образцов до 8,7 и 8,4 мкм. Смещение полосы свидетельствует об увеличении концентрации растворенного кислорода от 0,1 мол% до ~ 0,2 мол%. Ранее предполагалось, что поглощение, обязанное кислороду в ИК области, можно сопоставить одной, не смещающейся спектрально, полосе.

Выводы

Результаты работы могут быть представлены в виде следующих основных выводов:

1. Впервые проведены исследования и анализ основных оптических свойств соединений А2В6 – ZnS и ZnSe – с привлечением теории антипересекающихся зон. Это позволило учесть присутствие фоновой примеси кислорода, которая влияет, даже в концентрациях до 1 мол%, на зонную структуру кристалла. Рассмотрены особенности самоактивированного свечения и характерное изменение ширины запрещенной зоны в присутствии кислорода. Анализ экспериментальных данных показал, что многие, ранее не имевшие интерпретации особенности спектров люминесценции, поглощения, отражения и пропускания, получают объяснение с позиций теории антипересекающихся зон.

2. Предложена зонная модель для кристаллов ZnS×O, ZnS×Cu(O), ZnSе×O, ZnSе×Cu(O). Подтверждено или определено положение уровня кислорода ЕО как 0,11 и 0,16 эВ по отношению ко дну зоны проводимости ЕС чистых соединений ZnSe и ZnS. В зависимости от концентрации растворенного кислорода эта модель в согласии с экспериментальными данными позволяет оценить величины расщепления зоны проводимости (D = Е+ – Е–), спектральное положение края фундаментального поглощения Е–, а также полос SA или SAL самоактивированной люминесценции, как и связанного экситона на кислородных комплексах.

3. Представлена новая интерпретация полос люминесценции Cu в соединениях ZnS×O и ZnSe×O, как и дублетной структуры полос SA и SAL самоактивированного свечения.

В частности, две хорошо известные для ZnSe полосы излучения Cu-R и Cu-G определяются одним и тем же центром, но обязаны переходам из двух подзон Е+ и Е– расщепленной благодаря присутствию кислорода зоны проводимости.

4. Получены результаты, характеризующие распределение кислорода в кристаллах, которое в большинстве случаев неоднородное, что существенно усложняет суммарные спектры люминесценции и поглощения. При этом полосы свободного и связанного экситона из скоплений с повышенным содержанием растворенного кислорода определяют узколинейчатый сложный спектр в краевой области.

5. Построение модели излучательных переходов, позволило по-новому представить природу зеленого свечения ZnS×Cu. Подтвердилось высказанное ранее предположение, что зеленое и синее свечение Cu в ZnS определяются переходами на один и тот же акцепторный уровень. При этом спектральное положение зеленой полосы определяется уменьшением ширины запрещенной зоны Е– в области скоплений кислорода. Эти выводы подтверждены исследованиями спектров возбуждения зеленого свечения. В случае ZnSе×Cu аналогичные по природе полосы должны соответствовать спектральному диапазону ~ 700 – 800 нм.

6. Дана идентификация полос связанных экситонов BE на акцепторных уровнях кислородных центров самоактивированного SA свечения ZnS×O и ZnSe×O. Обнаружено, что полосы связанных на SA центрах экситонов BESA наблюдаются в спектрах, полученных из объема кристаллов. При повышенной плотности возбуждения совершенных образцов полоса BESA, резко усиливается, сужается и превалирует во всей видимой области спектра. Высказано предположение, что связанный экситон на кислородных центрах будет определять свечение при лазерном эффекте.

7. Изменение зонной структуры, инициированное кислородом, приводит к усложненной системе уровней, определяющей переходы с поглощением. Представлена модель, соответствующая основным компонентам спектра поглощения (отражения, пропускания), возбуждения люминесценции в системе твердых растворов ZnS×O - ZnSe×O.

Показано, что при введении кислорода усиливается абсорбция, которая обязана переходам ЕV ® Е–(+) и характеризуется величиной коэффициента поглощения на уровне фундаментального 5×104-105 см-1. Уточнены возможные типы переходов.

Выделены селективные полосы поглощения в ближнем ИК диапазоне спектра, которые определяются переходами между подзонами Е– ® Е+. Показано, что спектральное положение этих полос зависит от концентрации кислорода. При неоднородном распределении кислорода имеет место их размытие.

8. Представленные зависимости смещения экситонных полос, как и самоактивированной люминесценции, с увеличением [OS] могут быть использованы для прямого определения концентрации растворенного кислорода в ZnS или в ZnSe в основном объеме кристалла (матрице) и в скоплениях. Спектральное положение этих полос может быть использовано для контроля [OS], а тип свечения – для оценки отклонения состава кристаллов от стехиометрии.

Отмечается, что при большом коэффициенте поглощения сложная система уровней повышает эффективность абсорбции света твердыми растворами ZnS×O и ZnSe×O, что благоприятно для создания ряда новых приборов оптоэлектроники.

Принятые обозначения

(E+ - E–)	Величина расщепления зоны проводимости, инициирован­ная изоэлектронной примесью Δ = (E+ - E-), мэВ
ΔЕ	Полуширина полос люминесценция, мэВ
BAC	Антипересекающиеся зоны (bands anticrossing)
ВЕ	Связанный экситон
BGB	Резкое ниспадающее изменение запре­щенной зоны, иниции­рованный изоэлектронной примесью (band gap bowing)
SA(I)	Самоактивированная люминесценция, обязанная SA комплек­сам {Zni·×VZn/ /}/× O*S(Se)
Cu(I)	Самоактивированная люминесценция, обязанная Cu(I) комплек­сам {Сui·×VZn/ /}/× O*S(Se)
SAL(II)	Самоактивированная люминесценция, обязанная SAL(II) комплек­сам {Zni··×VZn/ /}´× O*S(Se)
Cu(II)	Самоактивированная люминесценция, обязанная Cu(II) комплек­сам {Cui··×VZn/ /}´× O*S(Se)
e	Энергия связи экситона
EA	Положения акцепторного уровня
EO, EN	Уровни изоэлектронных примесей: кислорода, азота в зонной модели
EC	Зона проводимости
Е–	Минимум нижней подзоны (протяженных состояний) рас­щепленной зоны проводимости
E+	Минимум верхней подзоны (локализованных состояний) расщепленной зоны проводимости
FE	Свободный экситон
Н, L	Высокоэнергетическая и низкоэнергетическая составляю­щие излучательных переходов из подзон Е+ и Е­– соответственно
HMAs	твердые растворы с резким несоответствием свойств компо­нентов (highly mismatched alloys – HMAs), когда имеет ме­сто изменение зонной структуры
SO	спин-орбитальное расщепление
Z	Атомный (порядковый) номер элемента
ДВ, КВ	Длинноволновое, коротковолновое
ГС	Газостатирование – обработка при высоком давлении газа и высокой температуре
ИКЛ	Импульсная катодолюминесценция (см. гл. 2)
ИРЛ	Импульсная рентгенолюминесценция
ИЭПHMAs	Изоэлектронная примесь замещения с резким несоответст­вием свойств по сравнению с атомом матрицы
ИЭАHMAs	Изоэлектронный акцептор типа HMAs
ИЭДHMAs	Изоэлектронный донор типа HMAs
КДП	край “дополнительного поглощения”, возникающий на спек­трограммах ZnS×O, ZnSе×O
КЛ	Катодолюминесценция
МКЛ	Микрокатодолюминесценция (съемка в растровом элек­тронном микроскопе)
РЭМ	Растровый электронный микроскоп
СТД	Собственные точечные дефекты
ФЛ	Фотолюминесценция
ХГХ	Химический газохроматографический анализ (см. гл. 2)

СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

7 , / Комплексное исследование в РЭМ особенностей ионной имплантации сульфида цинка // Тезисы докл. III Республ. конф. Электронная микроскопия и вопросы диагностики. Кишинев. С. 152-

8 H. P. Hjalmarson, P. Vogl, D. J. Wolford, J. D. and Dow / Theory of substitutional deep traps in covalent semiconductors // Phys. Rev. Lett. Vol. 44, № 12. P. 810-

9 M. Weyers, M. Sato, H. Ando / Red Shift of Photoluminescence and Absorption in Dilute GaAsN Alloy Layers // Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 31. P. L853-L

10 M. Kondow, K. Uomi, A. Niwa, T. Kitatani, et al. / GaInNAs: A Novel Material for Long-Wavelength-Range Laser Diodes with Excellent High-Temperature Performance // Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 35. P. 1273-1

11 B. N. Murdin, M. Karmal-Saadi, A. Lindsay, E. P. O`Reilly, et al. / Auger recombination in long-wavelength infrared InNxSb1–x alloys // Appl. Phys. Lett. Vol. 78, № 11. P. 1568-1

12 J. Wu, W. Shan, and W. Walukiewicz / Band anticrossing in highly mismatched III–V semiconductor alloys // Semicond. Sci. Technol. Vol. 17. P. 860-

13 W. Shan, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, E. E. Haller, J. F. Geisz, et al. / Band Anticrossing in GaInNAs Alloys // Phys. Rev. Lett. Vol. 82, № 6. P. 1221-1

14 J. W. Ager III and W. Walukiewicz / Current status of research and development of III–N–V semiconductor alloys // Semicond. Sci. Technol. Vol. 17. P. 741-

15 W. Walukiewicz / Narrow band gap group III-nitride alloys // Physica E. Vol. 20. P. 300-

16 J. Wu, W. Walukiewicz and E. E. Haller / Band structure of highly mismatched semiconductor alloys: Coherent potential approximation // Phys. Rev. B. Vol. ).

17 W. Shan, K. M. Yu, W. Walukiewicz, E. E. Haller, M. C. Ridgway, et al. / Reduction of the band-gap energy in GaNAs and AlGaNAs synthesized by N+ implantation // Appl. Phys. Lett. Vol. 75, № 10. P. 1410-1

18 C. Skierbiszewski, P. Perlin, P. Wisniewski, W. Walukiewicz, W. Shan, and J. F. Geisz, et al. / Large, nitrogen-induced increase of the electron effective mass in InyGa1–yNxAs1–x // Appl. Phys. Lett. Vol. 76, № 17. P.  (2000).

19 K. M. Yu, W. Walukiewicz, W. Shan, E. E. Haller, J. F. Geisz, D. J. Friedman, et al. / Nitrogen-induced increase of the maximum electron concentration in group III-N-V alloys // Phys. Rev. B. Vol. 61, № 20, P. R13 337- R13

20 W. Shan, W. Walukiewicz, K. M. Yu, E. E. Haller, H. P. Xin, et al. / Nature of the fundamental band gap in GaNxP1-x alloys // Appl. Phys. Lett. Vol. 76, № 22. P. 3251-3

21 J. D. Perkins, A. Mascarenhas, J. F. Geisz, D. J. Friedman, et al. / Nitrogen- Activated transitions, level repulsion, and band gap reduction in GaAs1-xNx with x < 0,03 // Phys. Rev. Lett. Vol. 82, № 16. P. 3312-3

22 K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, I. Mitkowski, P. Becla, et al. / Band anticrossing in group II-Ox-VI1-x highly mismatched alloys: Cd1-yMnyOxTe1-x quaternaries synthesized by O ion implantation // Appl. Phys. Lett. Vol. 80, № 9. P. 1571-1

23 W. Shan, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Beeman, et al. / Effects of pressure on the band structure of highly mismatched Zn1-yMnyOxTe1-x alloys // Appl. Phys. Lett. Vol. 84, № 6. P. 924-

24 W. Shan, W. Walukiewicz, K. M. Yu, E. E. Haller, Y. Nabetani, et al. / Effect of oxygen on the electronic band structure in ZnOxSe1-x alloys // Appl. Phys. Lett. Vol. 83, № 2. P. 299-

25 Y. Nabetani, T. Mukawa, Y. Ito, T. Kato and T. Matsumoto / Epitaxial growth and large band-gap bowing of ZnSeO alloy // Appl. Phys. Lett. Vol. 83, № 6. P. 1148-1

26 J. Jansinski, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Washburn, et al. / Influence of microstructure on electrical properties of diluted GaNxAs1-x formed by nitrogen implantation // Appl. Phys. Lett. Vol. 79, № 7. P. 931-

27 K. Uesugi, N. Marooka and I. Suemune / Reexamination of N composition dependence of coherently grown GaNAs band gap energy with high-resolution x-ray diffraction mapping measurements // Appl. Phys. Lett. Vol. 74, № 9. P. 1254-1

28 B. M. Keyes, J. F. Geisz, P. C. Dippo, R. Reedy, C. Kramer, et al. / Optical Investigation of GaNAs // AIP Conference Proceedings 462. Woodbury, NY: American Institute of Physics. P. 511-

29 L. Malikova, F. H. Pollak and R. Bhat / Composition and temperature dependence of the direct band gap of GaAs1-xNx (x ≤ 0,0232) using contactless electroreflectance // J. Electron. Mater. Vol. 27, № 5. P. 484-

30 R. Bhat, C. Caneau, L. Salamanca-Riba, W. Bi, C. Tu / Growth of GaAsN/GaAs, GaInAsN/GaAs and GaInAsN/GaAs quantum wells by low-pressure organometallic chemical vapor deposition // J. Crystal Growth. Vol. 195, № 1-4. P. 427-

31 P. W. Anderson / Localized Magnetic States in Metals // Phys. Rev. Vol. 124. P. 41

32 A. N. Kocharian / Change of valence in rare earth semiconductors in the multiimpurity Anderson model / Sov. Phys. Solid State. Vol. 28. P. 6

33 A. Lindsay, E. P. O`Reilly / Theory of enhanced bandgap non-parabolicity in GaNAs and related alloys // Sol. m. Vol. 112. P. 443-

34 P. Perlin, P. Wisniewski, G. Subramanya, Dan E. Mars, W. Walukiewicz, et al. / Interband optical absorption in free standing layer of Ga0.96In0.04As0.99N0.01 // Appl. Phys. Lett. Vol. 76, № 10. P. 1279-1

35 K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, W. Shan, et al. / Diluted II-VI Oxide Semiconductors with Multiple Band Gaps // Phys. Rev. Lett. Vol. 91, № ).

36 W. Shan, W. Walukiewicz, E. E. Haller, J. F. Geisz, C. Nauka, et al. / Effect of nitrogen on the electronic band structure of group III-N-V alloys // Phys. Rev. B. Vol. 62, № 7. P. 4211-4

37 W. Shan, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. Wu, J. W. Ager III and E. E. Haller / Band anticrossing in dilute nitrides // J. Phys: Condens. Matter. Vol. 16. P. S3355-S3

38 W. Walukiewicz et al., in Proceedings of the 195th meeting of the electrochemical society (The Electrochemical society, Inc., Pennington NJ) Vol. 99-11. P. 190-

39 D. G. Thomas, J. J. Hopfield and C. J. Frosch / Isoelectronic Traps Due to Nitrogen in Gallium Phosphide // Phys. Rev. Lett. Vol. 15. P. 857-

40 D. G. Thomas and J. J. Hopfield / Isoelectronic Traps Due to Nitrogen in Gallium Phosphide // Phys. Rev. Vol. 150. P. 680-

41 J. D. Cuthbert and D. G. Thomas / Fluorescent Decay Times of Excitons Bound to Isoelectronic Traps in GaP and ZnTe // Phys. Rev. Vol. 154. P. 763-

42 J. J. Hopfield, D. G. Thomas and R. T. Lynch / Isoelectronic Donors and Acceptors // Phys. Rev. Lett. Vol. 17. P. 312-

43 J. W. Allen / Isoelectronic impurities in semiconductors: a survey of binding mechanisms // J. Phys. C. Vol. 4. P. 1936-1

44 J. C. Phillips / Cancelation Theorem for Isoelectronic Impurity Binding Energies // Phys. Rev. Lett. Vol. 22. P. 285-

45 J. Wu W. Walukiewicz, K. M. Yu, and J. W. Ager III W. Shan E. E. Haller, et al. / Band anticrossing effects in MgyZn1-yTe1-xSex alloys // Appl. Phys. Lett. Vol. 80, № 1. P. 34

46 K. P. Tchakpele and J. P. Albert / Excitons Bound to Te Impurities in CdS, ZnS, and Their Mixed Compounds with Wurtzite Structure // Phys. Status Solidi B. Vol. 149, № 2. P. 641-

47 W. Walukiewicz, W. Shan, K. M. Yu, M. J. Seong, H. Alawadhi, A. K. Ramdas / Interaction of localized electronic states with the conduction band: band anticrossing in II-VI semiconductor ternaries // Phys. Rev. Lett. Vol. 85, № 7. P. 1552-1

48 M. J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A. K. Ramdas and S. Miotkowska / The anomalous variation of band gap with alloy composition: cation vs anion substitution in ZnTe // Sol. mun. Vol. 112, № 6. P. 329-

49 M. J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A. K. Ramdas and S. Miotkowska / Role of electronegativity in semiconductors: Isoelectronic S, Se, and O in ZnTe // Phys. Rev. B. Vol. 62, № 3, P. 1866-1

50 G. W. Iseler and A. J. Strauss / Photoluminescence due to isoelectronic oxygen and tellurium traps in II-IV alloys // J. Lum. Vol. 3. P. 1

51 , / Изоэлектронные примеси в полупроводниках. Состояние проблемы. // ФТП. Т. 18, в. 8. С. 1345-1

52 M. J. Seong, H. Alawadhi, I. Miotkowski, A. K. Ramdas and S. Miotkowska / Oxygen isoelectronic impurity in ZnSxTe1-x // Phys. Rev. B. Vol. 60, № 24, P. R16 275-R16

53 I. Suemune, K. Uesugi and W. Walukiewicz / Role of nitrogen in the reduced temperature dependence of band-gap energy in GaNAs // Appl. Phys. Lett. Vol. 77, № 19. P. 3021-3

54 K. M. Yu, W. Walukiewicz, W. Shan, J. F.Geisz, M. C. Ridgway, et al. / Nitrogen-induced enhancement of free electron concentration in sulfur implanted GaNxAs1-x // Appl. Phys. Lett. Vol. 77, № 18. P. 2858-2

55 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, I. Mitkowski, A. K. Ramdas, Ching-Hua Su, et al. / Composition dependence of the hydrostatic pressure coefficients of the bandgap of ZnSe1-xTex allos // Phys. Rev. B. Vol. ).

56 A. Lindsay and E. P. O’Reilly / Influence of nitrogen resonant states on the electronic structure of GaNxAs1-x // Sol. m. Vol. 118. P. 313-

57 J. L. Merz / Isoelectronic Oxygen Trap in ZnTe // Phys. Rev. Vol. 176, № 3. P. 961-

58 R. E. Dietz, D. G. Thomas and J. J. Hopfield / "Mirror" Absorption and Fluorescence in ZnTe // Phys. Rev. Lett. Vol. 8, № 10. P. 391-

59 Jingbo Li and Su-Huai Wei / Alignment of isovalent impurity levels: Oxygen impurity in II-VI semiconductors // Phys. Rev. B. Vol. ).

60 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, E. E. Haller, et al. / Origin of the band-gap bowing in highly mismatched semiconductor alloys // Phys. Rev. B. Vol. ).

61 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. D. Denlinger, et al. / Valence band hybridization in N-rich GaN1-xAsx alloys // Phys. Rev. B. Vol. ).

62 P. R.C. Kent and A. Zunger / Theory of electronic structure evolution in GaAsN and GaPN alloys // Phys. Rev. B. Vol. ).

63 J. Endicott, A. Patane, M. Hopkinson, R. Airey, et al. / Magnetotunneling spectroscopy of dilute Ga(AsN) quantum wells // Phys. Rev. Lett. Vol. 91, № ).

64 A. Patane, J. Endicott, S. B. Healy, A. Lindsay, M. Hopkinson, et al. / Breakup of the conduction band structure of dilute GaAs1-yNy alloys // Phys. Rev. B. Vol. ).

65 P. J. Klar, H. Gruning, W. Heimbrodt, J. Koch, F. Hohnsdorf, W. Stolz, et al. / From N isoelectronic impurities to N-induced bands in the GaNxAs1-x alloy // Appl. Phys. Lett. Vol. 76. P. 3439-3

66 Klar, P. J., Gruning, H., Heimbrodt, W., Weiser, G., Koch, O’Reilly, E. P., Hofmann, et al. / Interband transitions of quantum wells and device structures containing Ga(N, As) and (Ga, In)(N, As) // Semicond. Sci. Technol. Vol. 17. P. 830-

67 X. Liu, M.-E. Pistol, L. Samuelson, S. Schwetlick, and W. Seifert / Nitrogen pair luminescence in GaAs // Appl. Phys. Lett. Vol. 56. P. 1451-1

68 S. B. Healy, A. Lindsay and E. P. O’Reilly / Influence of cluster states on band dispersion in bulk and quantum well (ultra-)dilute nitride semiconductors // IEE Proc.-Optoelectron. Vol. 151, № 5, P. 397-

69 P. R.C. Kent, L. Bellaiche and A. Zunger / Pseudopotential theory of dilute III-V nitrides // Semicond. Sci. Technol. Vol. 17. P. 851-

70 A. Lindsay and E. P. O’Reilly / A tight-binding based analysis of the band anti-crossing model in GaNxAs1-x // Physica E. Vol. 21. P. 901-

71 , , / Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTe1-x // ФТП. Т. 6, в. 4. С. 698-

72 , , / Исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSxTe1-x // Физика полупроводников. Т. 10, в. 6. С. 1193-1

73 / Твердые растворы (ZnTe)x(CdSe)1-x Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTe1-x // ФТП. Т. 6, в. 4. С. 698-

74 , / Обработка порошковых рентгенограмм несовершенных монокристаллов методом наименьших квадратов // Сб. Труды МИИТ. № 000. С. 113-

75 / Исследование и разработка нейтронно-активационных методов определения некоторых легких элементов // Дис. канд. техн. наук. – М.: ЦНИИЧермет им. Бардина, 1968.

76 / Термодинамика поведения кислорода в соединениях A2B6 в процессе химического анализа с использованием газовой хроматографии // Маг. Дис. – М.: МЭИ. 1999.

77 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, S. X. Li, E. E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff. / Universal bandgap bowing in group-III nitride alloys // Sol. m. Vol. 127. P. 411-

78 S. X. Li, E. E. Haller, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, J. Wu, W. Shan, Hai Lu and William J. Schaff. / Effect of Native Defects on Optical Properties of InxGa1-xN Alloys // Lawrence Berkeley National Laboratory, Paper LBNL-57

79 ,  , и др. / Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe // ФТТ. Т. 40, в. 6. С. 1010-1

80 F. A. Kroeger and J. A.M. Dikhoff / The function of oxygen in Zinc Sulfide Phosphors // J. of the Electrochemical Soc. Vol. 99, № 4. P. 144-

81 , , / О центрах люминесценции самоактивированного ZnS и ZnS–O, Cu // Тр. ФИАН. Т. 138. С. 157-

82 , , / Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов // Рига: Зинатне, 1979.

83 Экситоны / Под. ред. , // М.: Наука, 1985.

84 M. Hanke, D. Henning, A. Kaschte / A tight-binding description of isovalent impurity clusters // Phys. Stat. Sol. (b). Vol. 143. P. 665-

85 , , / Сосуществование связанных с дефектами экситонов большого и малого радиуса в твердых телах // Письма в ЖЭТФ. Т. 39, в. 2. С. 54

86 , , / Экситонные спектры твердого раствора ZnSe1-xTex // ФТТ. Т. 29, в. 2. С. 337-

87 U. Flesh, R. A. Hoffman and R. Rass / Exciton luminescence of cubic ZnS crystals // J. Lumines. № 3. P. 137-

88 Физика и химия соединений АIIВVI / Под. ред. М. Авена // М.: Мир, 1970.

89 / Химия несовершенных кристаллов // М.: Мир, 1969.

90 / Влияние сложного легирования изоэлектронными примесями кислорода и теллура на оптические свойства сульфида кадмия и селенида цинка // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1995.

91 , / Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред.  В. – М.: Наука, 1987.

92 W. Van Gool / Fluorescent centers in ZnS // Phys. Res. Reр. Suppl. № 3. P. 1-

93 , , / О растворимости кислорода в CdS // Неорган. матер. Т. 29, № 7. C. 1014-1

94 , ,  / Экситонный спектр CdS с контролируемым изменением стехиомет­рии и концентрации кислорода // ЖПС. Т. 60, № 3. C. 341-

95 , , / Определение содержания кислорода в соединениях А2В6 кинетическим методом с использованием газовой хроматографии // Докл. межд. науч.-тех. 30 семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: МЭИ. С. 211-

96 , Назарова К. Н. / Изменение собственно-дефектной структуры CdS (ZnSe) при легировании изоэлектронными примесями O и Te // Неорган. матер. Т. 32, № 5. С. 542-

97 / Исследование цинксульфидных люминофоров, активированных кислородом // Дис. канд. хим. наук. – М.: МХТИ, 1974.

98 , ,  и др. / Селенид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред. – М.: Наука, 1992.

99 , / Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS // ЖПС. Т. 17, № 2. С. 261-

100 / Кислород в сульфиде кадмия и его влияние на оптические свойства // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1993.

101 / Оптические свойства селенида цинка, содержащего кислород // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1986.