Оптические свойства соединений А2В6 с изоэлектронной примесью кислорода с позиций теории антипересекающихся зон (стр. 9 )

102 , , / Исследование растворимости ZnO в ZnS (вюрците) // Изв. АН СССР. Неорган. матер. Т. 14, № 8. С. 1393-1

103 / Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2B6 (на примере ZnSe) // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 2003.

104 Нгуен Чан Ха. / Связь некоторых свойств с дефектообразованием в ZnS и ZnSe // Маг. Дис. – М.: МЭИ. 2007.

105 , / Равновесие точечных дефектов и самоактивированная люминесценция в кристаллах ZnS, ZnSe // Докл. 36 межд. науч.­-техн. семинара “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С. 163-

106 , Нгуен Чан Ха, / Комплексы точечных дефектов, ответственных за самоактивированное свечение и растворимость кислорода в ZnS и ZnSе. // Докл. 38 межд. науч.­-техн. семинара “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С.151 –

107 , , / Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных материалах // Изв. Вузов. Физика. №11, С. 5

108 G. D. Watkins / Optical properties of zinc vacancy in ZnSe // Bull. Amer. Phys. Soc. V. 15, № 3. P.

109 и др. / Электропроводность тонких слоев ZnS // М.: Труды НТ конф. M.: МЭИ. C. 30

110 , , / Характеристика полос люминесценции ZnS(О) и ZnSе(О) с позиций теории антипересекающихся зон // “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С. 146-

111 M. Kitagawa, Y. Tomomura / Photo-assisted homoepitaxial growth of ZnS by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. Vol. 101. P. 52

112 , / Связанный экситон на SA и SAL центрах ZnS(О) и ZnSe(О) // Изв. Вузов. Электроника. (в печати – 2008).

113 , ,  / Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe // ФТП. Т. 35, в. 1. С. 25

114 , ,  , , / Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании // ФТП. Т. 38, в. 1, С. 39

115 , , / Влияние давления и температуры на равновесие точечных дефектов и ширину запрещенной зоны ZnS // Неорг. Матер. Т. 40, № 11, С. 1138-1

116 / Растворимость и кристаллизация сульфида и селенида цинка в щелочных гидротермальных растворах // Автореф. канд. дисс. – М.: ИКАН, 1987.

117 , , / Фотолюминесценция селенида цинка ионно-имплантированного кислородом // Кр. сооб. по физике: ФИАН. № 11-12, С. 23

118 Морозова. Н. К. / Природа оптического поглощения сульфида цинка. // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1964.

119 J. D. Cuthbert, D. G. Thomas / Optical properties of tellurium as an isoelectronic trap in cadmium sulphide // J. Appl. Phys. Vol. 39, № 3. P. 1573-1

120 D. Lee, A. Mysyrowicz, A. V. Nurmikko, B. J. Fitzpatrick / Exciton Self-Trapping in ZnSe-ZnTe Alloys // Phys. Rev. Lett. V. 58, № 14. P. 1475-1

121 A. Reznitsky, S. Permogorov, S. Verbin, et al. / Localisation of exciton Anderson transition in ZnSe1-xTex solid solutions // Sol. m. Vol. 52, №1. P. 13

122 , . , и др. / Кластеры Ten – центры эффективной илучательной рекомбинации в ZnSe1-xTex (х ≤ 0,2) // ФТТ. Т. 27, в. 6. С. 1734-1

123 S. Pergomorov, A. Reznitsky, S. Verbin, et al. / Localized excitons in CdS1-xSex solid solutions // Phys. Stat. Sol. (b). Vol. 113, № 2. P. 589-

124 H. Kanzaki, S. Sakuragi, K. Sakamoto / Excitons in AgBr1-xClx – transition of relaxed state between free and selftrapped exciton // Sol. mun. Vol. 9, № 13. P. 999-1

125 , , / Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS // ФТП. Т. 39, № 5, С.513-

126 S. Iida / Growth and characterization of p-type VPE ZnS layers // J. Cryst. Growth. Vol. 101. P. 141-

127 , , / Влияние газостатирования на SAL люминесценцию ZnSe1-xSx // Тез. докл межд. НТ конф. студентов и аспирантов Радиоэлектроника, электротехника и энергетика секц. Полупр. приборы и микроэлектроника. М.: МЭИ. С. 271-

128 , / Исследование изменения Eg ZnS при легировании кислородом // ЖПС. Т.34, в.6, С. 1094-1

129 , , / Определение содержания кислорода в монокристаллах сульфида цинка методом активации быстрыми нейтронами // Неорг. Матер. Т. 14, в. 8. С. 1389 – 1

130 , , / Исследование растворимости ZnO в ZnS (вюрците) // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. Т. 14, № 8. С. 1393-1

131 Nam Sungun, Rhee Jongkwang, ungsung, Ki-Seon Lee. / Free-exciton luminescence and strain effect of high-quality ZnS/GaAs epilayers // J. Korean Phys. Vol. 32, №2. P. 156-

132 / Спектроскопия различных структурных форм сульфида цинка с изоэлектронными ловушками кислорода // Дис. докт. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1981.

133 S. Larach, R. E. Shrader, C. F. Stocker / Anomalus variation of band gap with composition in Zinc Sulfo - and Seleno-Tellurides // Phys. Rev., Vol. 108, № 3. P. 87

134 K. Kassali, N. Bouarissa / Composition and temperature dependence of electron band structure in ZnSxSe1-x // Mat. Chem. and Phys. № 76. P. 255-

135 , , и др. / Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe1-x // ФТП. Т. 11, № 10. С.1934-1

136 A. Ebina, E. Fukunaga, T. Takahashi / Variation with composition of the E0 and E0+D0 gaps in ZnSxSe1-x alloys // Phys. Rev. B, Vol. 10, № 6. P. 2495-2

137 V. Kumar, T. P. Sharma / Structural and optical properties of sintered ZnSxSe1-x films // Optical Materials. № 10. P. 253-

138 S. Armstrong, P. K. Datta, R. W. Miles / Properties of zinc sulfur selenide deposited using a close-spaced sublimation method // Thin Solid Films. № 000-404. P. 126-

139 , ,  / Спектр поглощения ZnO, выделяющегося в ZnSe при насыщении кислородом // Неорг. Матер. Т. 39, №8, С. 920-

140 J. H. Song, E. D. Sim, K. S. Baek, S. K. Chang / Optical properties of ZnSxSe1-x (x<0.18) random and ordered alloys grown by metalorganic atomic layer epitaxy // J. Cryst. Growth, № 000-215. P. 460-

141 Мидерос Мора оптических свойств сульфоселенидов цинка // Маг. дис. – М.: МЭИ, 2005.

142 , , / Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции и ширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x // ФТП. Т. 40, № 10. C. 1185-1

143 N. Lovergine, P. Prete, G. Leo, et al. / MOVPE Growth of Wide Band-Gap II-VI Compounds for Near-UV and Deep-Blue Light Emitting Devices // Cryst. Res. Technol. Vol. 33, № 2. P. 183-

144 K. Leutwein, A. Rauber, J. Shneider. / Optical and photoelectric properties of the F-center in ZnS // Sol. mun. Vol. 5, № 6. P. 783-

145 , , / Связанный экситон на SA центрах в ZnS // Докл. 33 межд. науч.-техн. семинара “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С. 179-

146 Руманс K./ Структурные исследования халькогенидов при высоком давлении // М.: Мир, 1969.

147 N. K. Morozova, D. A. Mideros, E. M. Gavrishuk / Self-Activated luminescence in ZnS-ZnSe system from positions of the band anticrossing model // Изв. Вузов Физика № 10. С. 166-

148 , , / Особенности спектров люминесценции ZnS(О) и ZnSCu(О) c позиций теории антипересекающихся зон // ФТП (в печати – 2008).

149 , , // Роль фоновых примесей O и Cu в оптике кристаллов ZnSe c позиций теории антипересекающихся зон // ФТП. Т. 42, № 2. С. 131-

150 / Спектроскопия экситонов Ванье – Мота в чистых и активированных полярных кристаллах // Дис. докт. физ.-мат. наук. – Харков: УГУ, 1990.

151 , / Электрические и люминесцентные свойства ZnSe // Кишинев: Штиинца, 1984.

152 G. D. Watkins / Irradation effects in II-VI compounds – in book Radiation effects in semiconductors // P. 301-

153 F. Rong, G. D. Watkins / ODMR observation of close frencel pairs in electron-irradiated ZnSe // Defects in semiconductors Materials Science Forum V. 10-12. P. 837-

154 / Введение в физическую химию кристаллофосфоров // М.:ВШ, 1971.

155 , / О природе центров зеленой люминесценции ZnS×O, Cu  // ЖПС. Т. 35, №3. С.551-

156 G. B. Stringfellow, R. H. Bube / Photoelectronic properties of ZnSe crystals // Phys. Rev. Vol. 171, № 3, P. 903-

157 / Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений A2B6. Получение, свойства, применение // М.:НИИТЭХИМ 1989.

158 V. D. Ryjikov, V. Havrushin, A. Klazlauskaz et al / Research of the recombination centres in isovalently doping monocrystals ZnSe:Te // J. Lumines. Vol. 52, № 1-4. P. 71

159 / Спектроскопия глубоких центров в монокристалла ZnSeּTe методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения // ФТП. Т. 22, №7. С. 1163-1

160 / Высокоэффективные полупроводниковые сцинтилляторы на основе соединений A2B6 // М.:НИИТЭХИМ, 1984.

161 I. Yao, M. Kato, J. J. Davies, H. Taning / Photoluminescence of exitons bound at Te isoelectronic traps in ZnSe // J. of Crys. Growth. Vol. 86. P. 552-

162 A. Ramos, C. Levelut, J. Petiau, J. Villain / Distribution of chalogen atoms in the wurtzite CdSxSe1-x solid solution: experimental study by x-ray absorption // J. Phys. Condens. Matter. Vol. 5. P. 3507-3

163 C. Gourdon, P. Lavallard, S. Permogorov, A. Reznitsky / Evidence for persistence of free and impurity-bound excitons in Se Rich CdS1-xSex alloys // J. of Luminescence. Vol. 39, № 4. P. 269-

164 , , / Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора ZnSe1-xTex (0 < x < 1) // ФТП. Т. 21, № 2, С. 350-

165 , , / Роль кислорода в формировании глубоких центров люминесценции ZnSe // Неорг. матер. Т. 35, № 8, С. 917-

166 , , / Выращивание и свойства нелегированного ZnSe p-типа проводимости // Изв. АН СССР. Неорг. Матер. Т. 22, № 3. С. 387-

167 , , / Исследование ростовых неоднородностей монокристаллов гидротермального сфалерита с помощью растрового электронного микроскопа // Кристаллография. Т. 25, № 4. С. 829-

168 , , / Возможности использования оптических методов контроля качества монокристаллах гидротермального ZnS // Кристаллография. Т. 24, № 5. С. 1088-1

169 , , и др. / Тущение краевого излучения ZnS при введении центров свечения и тушения // ЖПС. Т. 17, в. 4. С. 636-

170 , ,  и др. / Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью // Неорган. матер. Т. 38, № 6. С. 674-681 (2002).

171 / Физика соединений АIIВVI // М.: Наука, 1986.

172 , , / Влияние ионного легирования кислородом на оптические свойства сульфида кадмия // Неорг. матер. Т. 30, № 6. С. 731-

173  ,  , , / Собственные дефекты в люминесценции CVD-конденсатов ZnSe // ЖПС. Т. 63, №5. С. 731-

174 , , / Влияние контролируемого изменения собственных точечных дефектов и кислорода на оптические свойства CdS // ФТП. Т. 28, №10. С. 1699-1

175 , , Недеогло Д. Д. и др. / Влияние способа легирования кристаллов n-ZnSe медью на структуру центров свечения длинноволновой люминесценции // ФТП. Т. 32, №2. С. 171-

176 R. Тriboulet, J. O. Ndap, A. Tromson-Carli, et. al. / Growth by solid phase recrystallization and assessment of large ZnSe crystals of high purity and structural perfection // J. Cryst. Growth. Vol. 159, № 1-4. P. 156-

177 H. Samelson, A. Lempicki / Fluorescence of cubic ZnSּCl crystals // Phys. Rev. В. Vol. 125, № 3. С. 901-

178 , и др. / Исследование оптических и структурных свойств порошков сульфида цинка и люминофоров на их основе с целью отработки методики контроля их качества // Отчет о научно-исследовательской работе – М.: МЭИ, 1990.

179 , , и др. / Получение массивных слоев ZnSxSe1-x CVD-методом с последующей газостатической обработкой // Неорг. Матер. Т. 42, № 8. С. 928-

180 S. Kishida, K. Matsuura, H. Mori / Temperature dependence of the 2,5 eV emission in Se – treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). Vol. 109, № 2, P. 617-

181 S. Kishida, K. Matsuura, A. Matsuoka / The transient behaviors of the 2,5 eV emission band in Se – treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 105, № 2. P. K165-K

182 , , / Фотолюминесценция кристаллов n-ZnSe, легированных донорной и акцепторной примесями из солевого расплава LiCl // ФТП. T. 31, в. 11. С. 1327-1

183 , , / Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами // ФТП. Т. 24, № 2. С. 538-

184 , / Оптические свойства F+-центра в ZnSe // Мат. Элект. Тех. № 2. С. 66

185 , , / Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка. // ЖПС. Т. 30, № 3. С. 459-

186 I. M. Catalano, A. Cingoliani and A. Minafra / Spontaneous and stimulated luminescence in CdS and ZnS excited by multiphonon optical pumping // Phys Rev. B. Vol. 8, № 4. P. 1488-1

187 S. Kishida, K. Matsuura, H. Mori / The 2,5 eV emission band in the Se-treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). Vol. 106, № 1. С. 283-

[1] Коэффициенты пересчета концентрации кислорода в ZnS: 1 мол% » 6,1 масс% » 2,5×1020 см-3 и в ZnSe: 1 мол% » 9 масс% » 2,2×1020 см-3.

[2] Энергия связи свободного экситона в ZnS (s и w) по данным [88,131] равна 40 мэВ. Пересчет положения экситонных полос с температурой (от 300 до 80 К) осуществлялся с помощью зависимостей приведенных в разд. 4.1.

[3] Чувствительность микроанализатора по кислороду низкая ³ 0,5 % (порядка 5×1020 см-3).

[4] Согласно [139] в исходных CVD - конденсатах, которые медленно охлаждаются после выращивания, кислород почти полностью выделяется из твердого раствора в микроскопления и не дает ДВ сдвигов экситонных полос.

[5] В работе [143] снят спектр фотолюминесценции при 10 K на совершенных эпитаксиальных слоях ZnS при лазерном возбуждении. Напряжения на границе с подложкой приводят к расщеплению полосы свободного экситона: FEhh-FElh (табл. 4.1.1).

[6] Спектры МКЛ исследованы в растровом электроном микроскопе при 100К на монокристаллах ZnSe, выращенного из расплава после ионной имплантации кислорода при 300 К дозой 1016 см-2 (1020 см-3), энергии 300 кэВ и последующего отжига при 400˚С 0,5ч (2). Исследования проведены на однородных в РЭМ участках ионнолегированного слоя [98,101].

[7] Следует отметить, что чаще всего FE определяет в спектрах отражения (поглощения) край КДП. В излучении же при этом превалирует ВЕ, соответствующий типу свечения SA или SAL.

[8] Величина смещения экситона ZnSe1-xTex соответствует зависимости [164],

где х, м. д.

[9] При повышении температуры исследования, как видно из рисунка 4.3.1, происходит смена типа свечения SAL® SA, что объясняется в [103,165] изменением положения уровня Ферми и, как следствие, перезарядкой центров.

[10] Некоторое уменьшение расстояния между двумя компонентами SAL, скорее всего, определяется воздействием лазера и выходом кислорода в процессе съемки из тонкого облучаемого слоя твердого раствора. Величина уменьшения [OSe] при этом наблюдалась от 6 до 3ּ1019 см-3.

[11] Детально конденсат CVD-ZnSe описан в [173].

[12] Предельная растворимость кислорода при избытке цинка в ZnSе может быть оценена из соотношения (3.2).

[13] Следует учитывать также, что появление края ~ 350 нм может быть обязано и возбуждению электрона с уровней ЕCu(I) - ЕSA(I) в зону Е– (см. разд. 3.5, рис. 3.5.3, кр. 6).

[14] Согласно рис. 4.5.3, изменение ширины запрещенной зоны ZnSxSe1-x за счет возрастания отношения S/Se на 0,07 м. д. составит 0,105 эВ, так что изменение состава и ширины запрещенной зоны ZnSxSe1-x за счет возрастания отношения S/Se при ГС не определяет эффект смещения SA полос в область SAL, связанный с изменением стехиометрического состава: уменьшением отношения Zn/S(Se). Действительно, величина сдвигов самоактивированных полос достигает сотен мэВ, например до 600 мэВ на рис. 4.5.3.

[15] Выводы о влиянии ГС на уменьшение количества избыточного Zn, т. е. отклонение от стехиометрии ZnSxSe1-x в сторону избытка металлоида, подтверждаются возникновением после газостатирования триады полос фоновой примеси Cu в ИК области спектра (вставка к рис. 4.5.2). Возникновение ИК спектра иона Cu 3d9 при избытке металлоида связано с опусканием уровня Ферми (см. разд. 3.2), и перезарядкой иона Сu 3d10® Cu 3d9 [114,115].

[16] Характерно, что наблюдающийся в спектре ИКЛ связанный экситон 470 нм обязан тем же SA центрам (см. разд. 5.3).

[17] Можно отметить, что насыщение достигается при концентрации центров £1018 см-3, если принять время жизни неравновесных носителей заряда для разрешенных электронных переходов равной 10-8 с. Этого следовало ожидать при концентрациях СТД, входящих в состав комплексов самоактивированной люминесценции ~ 1018 см-3.

[18] С увеличением интенсивности возбуждения связанный экситон ВЕSA усиливается быстрее, чем FE (см. ниже), поэтому при высокой плотности возбуждения превалирует полоса ВЕ, как это показано на рис. 5.3.1.

[19] При этом интенсивность полосы ВЕSA матрицы исследованных нами кристаллов (рис. 5.3.1) очень высока, тогда как области, сильно легированные кислородом, дают слабый по интенсивности FЕZnS·O экситон [114,148].

[20] Неоднородность негазостатированных образцов подтверждается смещением максимума SA полосы в спектрах ИКЛ при изменении Iвозб (рис 5.3.4, кривые 1-3). Это отмечалось ранее в разд. 4.4 (рис. 4.4.3, кривые 2-5).

[21] На рис. 2 экситонные полосы отмечены черточками на спектрах. Для исследуемых образцов они соответствуют (А, В) и С экситонам гексагональной пленки [118].

[22] В области 320 – 330 нм в спектре ФВЛ фиксируются также слабые минимумы, обязанные поглощению экситонными состояниями.

[23] В спектрах исследованных нами кристаллов ZnSּСu(O) мы чаще наблюдали полосу “зеленого ” свечения с максимумом 520 нм, хотя она смещается в диапазоне 505-530 нм, как показано в разд. 4.4.