где                

для                

       где                

                                                               (погрешность 1%)



Индуктивные элементы ИС СВЧ

       Входное сопротивление короткого короткозамкнутого отрезка линии

       

        имеет либо резистивный, либо индуктивный характер, в зависимости от соотношения и .

       В отличие от линий передачи роль подложки для сосредоточенных элементов заключается в физической поддержке и изоляции.

Последовательные индуктивные элементы:        

а). «Балочная»



       


б). Кольцевая        


                 

 

 


в). Меандровая        


               

 

       

       

       


г). Спиральная круглая:        



д).


Все длины должны быть


Схемная модель для индуктивностей а)., б)., в).

НЕ нашли? Не то? Что вы ищете?

Схемная модель для индуктивностей г)., д).

Большие значения позволяют получать спиральные и меандровые индуктивности.

Параллельные индуктивности:

Короткозамкнутый параллельный шлейф:


Емкостные элементы ИС СВЧ

для короткой замкнутой линии                

               

при                


разрыв линии


               


последовательный конденсатор на встречных штырях


параллельный конденсатор на встречных штырях


плоский последовательный конденсатор

Схемная модель 2).

Конденсаторы с "боковой связью" (штыревые, щелевые) имеют и по сравнению с конденсаторами с "лицевой связью", но более технологичны.

Увеличение штыревых конденсаторов достигается увеличением числа секций (широких и коротких для уменьшения ).


Могут быть перестраиваемые конденсаторы на обратно смещенном диоде Шоттки (для перестраиваемых генераторов и контуров) – варикапы.

на анод подключен

Для увеличения применяют встречно-штыревую структуру (анод и катоды).


Резистивные элементы ИС СВЧ

       Пленочные резисторы используются в качестве нагрузок, делителей, цепей управления и питания. Основные параметры – – поверхностное сопротивление, температурный коэффициент удельного сопротивления (ТКС), тепловое сопротивление, максимально допустимая рассеиваемая мощность. В качестве материалов используют металлы, керметы, (смеси Cr и SiO). Для изготовления полупроводниковых резисторов используется тот же слой, что и для каналов ПТШ, но имеют два недостатка: а). нелинейные ВАХ (насыщение скорость); б). положительный ТКС.

Пленочные


        – коэффициент формы, указывающий на то, что значение резистора зависит не от площади.


резонаторы с четвертьволговыми разомкнутыми шлейфами.


Схемная модель:

Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19