, Мошников и химия материалов оптоэлектроники и наноэлектроники: Практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007. 68 с (стр. 14 )

Ограниченный объем настоящего издания не позволил рассмотреть на уровне задач многие актуальные вопросы материаловедения, отмеченные в разд. 5. Отметим, что перечень этих вопросов, заимствованный из Нобелевской лекции академика , в настоящее время следует расширить. Прежде всего это касается одномерной и нуль-мерной электроники.

Активно развивается фотоника на нанонитях (лазеры и волноводы). В практикуме не рассмотрены новые углеродные материалы (фуллерены, графены, углеродные нанотрубки, металлофуллерены, эндоэдральные материалы, наноалмазы), хотя следует отметить, что успехи электроники и оптики на нанотрубках привели к устоявшемуся термину "углеродной наноэлектроники".

Углубление понимания физической сущности кулоновской блокады и реализации приборов на основе этого эффекта требует выделить в отдельный раздел одноэлектронику и металлическую наноэлектронику. Значительные перспективы, на взгляд авторов, у нанотехнологии, предложенной Принцем, позволяющей значительно расширить типы нанотрубок для широкого класса материалов.

Авторы считают своим долгом продолжить работу по составлению задач для закрепления практических навыков у обучающихся.

СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ

, Цветков полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учеб. для вузов. 3-е изд. СПб.: Лань, 2003. Пихтин и квантовая электроника: Учеб. для вузов. М.: Высш. шк., 2001. Справочник по электротехническим материалам: В 3 т. Т. 3 / Под ред. , , . Л.: Энергоатомиздат, 1988. , , Лазарева и элементы электронной техники: Учеб. для вузов: В 2 т. М.: Академия, 2006. Ормонт в физическую химию и кристаллохимию полупроводников. М.: Высш. шк., 1982. , Александрова полупроводниковых материалов: Учеб. пособие. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2003. Нанотехнология:  физика,  процессы,  диагностика,  приборы  /  Под. ред.

, . М.: Физматлит, 2006.

Лучинин в индустрию наносистем // Нано - и микросистемная техника. 2005. № 5. С.2−9. Курнаков в физико-химический анализ. 4-е изд. М.– Л., 1940. , Мошников микроанализ в полупроводниковой технологии: Учеб. пособие / ЛЭТИ. Л., 1991. Захаров состояния двойных и тройных систем. М.: Металлургия, 1978. Гиммельфарб микроанализ сложных материалов. М.: Металлургия, 1986. , Лебедев А3В5: Справ. М.: Металлургия, 1984. , , Средин твердые растворы и их применение: Справ. таблицы / Под ред. . М.: Воениздат, 1982. , Яськов микроанализ в физической химии полупроводников: Учеб. пособие / ЛЭТИ. Л., 1986. Горюнова алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. Алферов гетероструктуры: концепция и применения// Успехи физических наук. 2002. Т. 172, № 9. С. 1075–1085. Елисеев в физику инжекционных лазеров. М.: Наука, 1983. Кейси Х, азеры на гетероструктурах: В 2 т. М.: Мир, 1981. Ермаков оптоэлектроника. М.: Техносфера, 2004. Шаскольская : Учеб. пособие. 2-е изд. М.: Высш. шк., 1984. , Хазан деформация и дислокации несоответствия в гетероэпитаксиальных системах. Киев: Наук. думка, 1993. , Освенский дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. , Дашевский полупроводников и диэлектриков: Учеб. для вузов. М.: МИСИС, 2003. Инжекционные лазеры:  Учеб. пособие /  ,  ,  , ; СПбГЭТУ. СПб., 1999. Физика низкоразмерных систем / , , ; Под ред. . СПб.: Наука, 2001. , , Гридин наноэлектроники: Учеб. пособие. Новосибирск: Изд-во НГТУ, 2000. ислокации. М.: Мир, 1968. Амелинкс прямого наблюдения дислокаций. М.: Мир, 1968. равление кристаллов. Теория, эксперимент, применение. М.: Мир, 1990. , , Стогней направления физического материаловедения. Воронеж: Изд-во Воронежского ГУ, 2000. , , Равич свойства неупорядоченных систем. СПб.: Наука, 2000.

ПРИЛОЖЕНИЕ

Tаблица П 1

Таблица П 2

Зависимость энергетических зазоров для прямых и непрямых оптических переходов от состава твердых растворов при Т = 300 К [3]

Твердый раствор	Энергетический зазор Д,эВ	Параметры переходной точки
Для прямых переходов Δ (х) , эВ	Для непрямых переходов Δ (х), эВ	хс, ат. дол.	ДЕg(xc) эВ
AlxGa1–xN	3,39 + 2,81x – 0,36 x(1 – x)	−	−	−
GaxIn1–xN	2,07 + 1,32 – 1,0 x(1 – x)	−	−	−
AlxGa1–xP	2,78 + 0,82x	2,27 + 0,18x	−	−
AlxIn1–xP	1,351 + 2,249x – 1,44 x(1 – x)	2,31 + 0,14x – 0,57x(1 – x)	0,55	2,25
GaxIn1–xP	1,351 + 1,429x – 0,70x(1 – x)	2,31 – 0,04x – 0,21x(1 – x)	0,72	2,24
AlxGa1–xAs	1,424 + 1,594x – 0,37x(1 – x)	1,90 + 0,27x – 0,03x(1 – x)	0,44	1,95
AlxIn1–xAs	0,356 + 2,71x – 0,70x(1 – x)	1,83 + 0,33x – 0,45x(1 – x)	0,68	2,05
GaxIn1–xAs	0,356 + 1,072x – 0,60x(1 – x)	1,83 + 0,07x – 0,35x(1 – x)	−	−
GaPxAs1–x	1,428 + 1,352x – 0,20x(1 – x)	1,895 + 0,375 x – 0,21 x(1 – x)	0,46	2,02
InPxAs1–x	0,356 + 0,995x – 0,23x(1 – x)	1,83 + 0,48x – 0,27x(1 – x)	−	−
AlxGa1–xSb	0,726 + 1,497x – 0,368x(1 – x)	1,02 + 0,57x – 0,077x(1 – x)	0,2	0,65
AlxIn1–xSb	0,172 + 2,05x – 0,43x(1 – x)	1,0 + 0,59x – 0,29x(1 – x)	0,65	1,4
GaxIn1–xSb	0,172 + 0,554x – 0,415x(1 – x)	1,0 + 0,02x – 0,24x(1 – x)	−	−
AlAsxSb1–x	2,22 + 0,8x – 1,06x(1 – x)	1,59 + 0,57x – 1,0x(1 – x)	−	−
GaAsxSb1–x	0,726 + 0,698x – 1,2x(1 – x)	1,02 + 0,88x – 0,97x(1 – x)	−	−
InAsxSb1–x	0,172 + 0,184x – 0,58x(1 – x)	1,0 + 0,83x – 0,6x(1 – x)	−	−

Таблица П 3

Основные свойства широкозонных полупроводников при 300 К [24]

Физические свойства	ZnS, вюрцит	ZnS, сфалерит	ZnSe, сфалерит	CdS, вюрцит	CdSe, вюрцит
Период решетки а, нм	а = 0,3822 с = 0,6260	0,5410	0,5668	а = 0,4136, с = 0,6714	а = 0,4300, с = 0,7011
Температурный коэффициент линейного расширения б∙106, К-1	6,2	6,0	7,14	5,4	4,4
Температура плавления Т, К	2013	1293 (ф. п.)	1793	2023	1537
Ширина запрещенной зоны , эВ	3,74	3,68	2,70	2,48	1,85
, эВ/К	-3,8	5,2	-7,2	-5,0	-4,6
, эВ/Па	9,0	5,7	6,0	3,3	−
Диэлектрическая проницаемость: ест   е	9,6 5,4	8,3 5,4	8,1 5,4	8,8 5,32	9,7 6,2
Показатель преломления с (вблизи края поглощения)	2,4	2,4	2,89	2,5	−
Эффективная маcса: - электронов mn/m0 - дырок* mр/m0   mр/m0	0,28 ||С:1,4 С:0,49	0,34 h:1,76 l:0,23	0,17 0,70	0,21 ||С: 5,0 С:0,7	0,13 ||С:1,0 С:0,45
Подвижность, см2/(В∙с): - электронов - дырок	- 100	280 -	600 28	300 50	900 50
Удельная теплопроводность, Вт/(м∙К)	16	16	19	20	4,5
Модули упругости сij, ГПа: с11 с12 с44 с13 с33 с66	123,4 58,5 32,5 45,5 28,9 139,6	98,1 62,7 44,8 - - -	90,0 53,4 39,6 - - -	83,1 50,4 15,33 46,2 94,8 16,3	74,9 46,1 13,15 39,26 84.51 14,41

* - ||С, С – в направлении, параллельном и перпендикулярном выделенной оси 6-го порядка для гексагональной сингонии; h, l – подзоны легких и тяжелых дырок для кубической сингонии.