, Мошников и химия материалов оптоэлектроники и наноэлектроники: Практикум. СПб.: Изд-во СПбГЭТУ "ЛЭТИ", 2007. 68 с (стр. 15 )

       Таблица П 4

Основные свойства халькогенидов свинца

Физические свойства	PbS	PbSe	PbTe
Тип кристаллической решетки	NaCl	NaCl	NaCl
Период решетки а, нм	0,594	0,612	0,646
Температурный коэффициент линейного расширения: a(300 K)∙106, К-1 a(77 K)∙106, К-1	19,4 16,0	19,4 16,0	19,8 15,9
Температура плавления Т, К	1351	1338	1193
Ширина запрещенной зоны, эВ: ΔEg(300 K) ΔEg(77 K) ΔEg(4,2 K)	0,410 0,310 0,286	0,280 0,180 0,165	0,320 0,220 0,190
, эВ/К	4	4	4
, эВ/Па	-8	-8	-8
Диэлектрическая проницаемость (77 K):  ест еопт	178…184 18…40	227 24	1300 33…35
Показатель преломления с (л = 3 мкм, Т = 300 К)	4,1	4,59	5,35
Эффективная масса  (Т = 4,2 К): - электронов mnl/m0 mnt/m0 - дырок mрl/m0 mрt/m0	0,105 0,080 0,105 0,075	0,070 0,040 0,068 0,034	0,240 0,024 0,310 0,022
Коэффициент анизотропии К: - электронов - дырок	1,3 1,4	1,75 2,0	10 14
Подвижность носителей заряда м (77 К), см2/(В∙с): - электронов - дырок	~20 000 ~20 000	~30 000 ~30 000	~40 000 ~40 000
Концентрация собственных носителей заряда ni (300 K), см−3	2∙1015	3∙1016	1,5∙1016
Коэффициент теплопроводности, Вт/(м∙К)	144	94	115
Модули упругости cij, ГПа: c11 c12 c44	127 29,8 24,8	124 14,5 15,9	108 7,7 13,4

Оглавление

Введение	3
1. Основы физико-химического анализа многокомпонентных систем……………....	4
2. Триангуляция и тетраэдрация. иаграммы состояния  многокомпонентных систем………………………………………………………………………………………….	6
3. Диаграммы состав – свойство многокомпонентных систем……...............................	12
4. Прогнозирование полупроводниковых свойств в многокомпонентных системах…………………………………………………………………………………………	16
5. Материалы современной оптоэлектроники и наноэлектроники…………...............	19
5.1. Расчет параметров кристаллической решетки и ширины запрещенной зоны  в гетероструктурах………………….................................................................................	23
5.2. Приближение ковалентного радиуса и виртуального кристала……………....	29
5.3. Построение зонных диаграмм гетероструктуры………………….....................	30
5.4. Расчет коэффициентов преломления и диэлектрической проницаемости твердых растворов…………………………………………………………………….......	31
5.5. Расчет упругих напряжений и деформаций……………………….....................	34
5.6. Влияние пластической деформации на электрофизические и оптические свойства материалов и характеристики приборов на гетероструктурах	45
5.7. Твердые растворы на основе соединений А2В6 и А4В6………………………....	51
Заключение…………………………………………………………………………….....	57
Список литературы……………………………………………….....................................	62
Приложение	64

,

Физика и химия материалов оптоэлектроники и наноэлектроники

Практикум

Редактор

________________________________________________________________

Подписано в печать  Формат 6084 1/16. Бумага офсетная.

Печать офсетная. Гарнитура "Times". Печ. л. 4,25.

Тираж 575 экз. Заказ

_______________________________________________________________

Издательство СПбГЭТУ "ЛЭТИ"

197376, С.-Петербург,