Основы электронной техники (стр. 22 )

Рис. 19.26.

61. Блок А па рис. 19.24 это

а) ЧМ-демодулятор, б) АМ-детектор,

в) усилитель звуковой частоты (УЗЧ),

г) цепь коррекции предыскажений.

62. Ток через сопротивление на схеме рис. 19.25 ранен

а) 0,5 А, б) 1 А, в) 2 А, г) 5 А.

63. Блок Х на блок-схеме рис. 19.26 это

а) буферный каскад,

б) цепь обратной связи,

в) расщепитель фаз,

г) усилитель напряжения.

64. Блок А на рис. 19.27 — это

а) усилитель звуковой частоты (УЗЧ),

б) ЧМ-декодер,

в) импульсный генератор,

г) АМ-детектор.

65. Блок С на рис. 19.27 — это

а) декодер,

б) генератор кадровой развертки,

в) генератор строчной развертки,

г) схема выделения сигналов синхронизации.

Рис. 19.27.

Рис. 19.28.

66. Блок Е на рис. 19.27 — это

а) канал звукового сопровождения,

б) канал генератора развертки,

в) цепь отрицательной обратной связи,

г) селектор (дискриминатор) цвета.

67. Постоянная времени сигнала, изображенного на рис. 19.28, равна

a) t1, б) t2, в) t3, г) t4.

68. Преимущество 625-строчной телевизионной системы над 405-строчной состоит в том, что она

а) упрощает антенну,

б) использует более дешевые приемники,

в) воспроизводит более качественное изображение,

г) может использоваться в цветном телевидении.

69. При увеличении девиации частоты на входе дискриминатора на выходе

а) повышается уровень звука,

б) повышается частота звука,

в) понижается уровень звука,

г) понижается частота звука.

70. Блок А на рис. 19.29 — это

а) канал генератора развертки,

б) канал звукового сопровождения,

в) декодер,

г) усилитель яркости.

71. Блок В на рис. 19.29 — это

а) матричный декодер,

б) схема выделения сигналов синхронизации,

в) усилитель звуковой частоты (УЗЧ),

г) расщепитель фаз.

72. Среднее напряжение сигнала, изображенного на рис. 19.30, равно

а) 2 В, б) 3,5 В, в) 5 В, г) 7 В.

73. Два последовательно соединенных конденсатора емкостью 1 мкФ каждый имеют общую емкость

а) 0,25 мкФ, б) 0,5 мкФ, в) 1 мкФ, г) 2 мкФ.

Рис. 19.29.

Рис. 19.30. Рис. 19.31.

Рис. 19.32.

74. Сопротивление между точками А и В в цепи, показанной на рис. 19.31, равно

а) 3,86 Ом, б) 10,8 Ом, в) 12 Ом, г) 26 Ом.

75. Блок Х на рис. 19.32 — это

а) стирающая головка,

б) усилитель воспроизведения,

в) генератор ВЧ-смещения,

г) генератор сигналов синхронизации.

76. В телевизионной системе высокой четкости число строк развертки равно

а) 50, б) 425, в) 625, г) 1250.

Рис. 19.33.

Рис. 19.34.

77. На рис. 19.33 изображены сигналы на входах и выходе логического элемента с двумя входами. Данный элемент представляет собой схему

а) И, б) ИЛИ, в) Исключающее ИЛИ, г) ИЛИ-НЕ.

78. В какой строке правильно описаны блоки А, В и С, изображенные на схеме рис. 19.34?

А а) индикатор секунд б) индикатор минут в) индикатор часов г) индикатор секунд

В индикатор минут индикатор секунд индикатор минут индикатор часов

С индикатор часов индикатор часов индикатор секунд индикатор минут

79. Блок Х на рис. 19.35 — это

а) аналого-цифровой преобразователь,

б) цифро-аналоговый преобразователь,

в) цифровой декодер,

г) мультиплексор.

Рис. 19.35.

80. Система NICAM обеспечивает

а) высокое качество воспроизведения монофонического звука,

б) высокое качество воспроизведения стереозвука,

в) высокое качество изображения,

г) улучшение выделения сигналов синхронизации.

20

Полупроводниковый диод

Проводники и изоляторы

Все вещества состоят из одного или более химических элементов, таких, как кислород, сера и т. д. Мельчайшей составной частью вещества явля­ется атом. Атомы различных элементов могут, соединяясь, образовывать молекулы вещества: например, молекула воды включает в себя два атома водорода и один атом кислорода. Таким образом, получаются различные вещества.

Атом, в свою очередь, состоит из более мелких частиц, электронов, вращающихся вокруг ядра, которое находится в центре атома и содержит один или более протонов (рис. 20.1). Отрицательно заряженные электро­ны притягиваются положительно заряженными протонами и непрерывно вращаются по орбитам, или оболочкам, вокруг ядра. Количество элек­тронов в точности равно количеству протонов.

Атомы различных элементов отличаются друг от друга количеством электронов: например, у атома водорода один электрон, тогда как атом углерода имеет шесть электронов. Под действием электрического потен­циала электроны, слабо связанные с ядром (так называемые свободные электроны), покидают свои орбиты и начинают упорядоченное движение, образуя поток электронов, или электрический ток. Возникает электри­ческая проводимость.

Рис. 20.1. Атомы состоят из отрицательно заряженных электронов, вращаю­щихся вокруг положительного ядра.

Рис. 20.2. Проводники, полупроводники и изоляторы.

Хороший проводник имеет большое число «несвязанных», или свобод­ных, электронов, которые способствуют возникновению электрического тока. Хороший проводник обладает столь малым сопротивлением, что им можно пренебречь. Примерами могут служить серебро, медь или алюми­ний (рис. 20.2).

Изолятор — это материал, имеющий очень малое количество свобод­ных электронов. Изоляторы препятствуют протеканию электрического тока и, следовательно, обладают очень большим сопротивлением, при­ближающимся к сопротивлению разомкнутой цепи. Примерами могут служить стекло, сухое дерево, резина, поливинилхлорид, слюда и полистирол.

Полупроводники

Атомы полупроводников сгруппированы в правильную структуру, назы­ваемую «кристаллической решеткой». Они не являются хорошими про­водниками (откуда и их название), поскольку содержат очень мало сво­бодных электронов. Количество свободных электронов возрастает при повышении температуры, что приводит к увеличению проводимости. Эти свободные электроны называют неосновными носителями.

Проводимость также может быть улучшена посредством добавления определенного количества примесей. Такие примеси, как атомы мы­шьяка, вносят в решетку дополнительные электроны, в результате че­го получается полупроводник n-типа. Эти атомы называются атомами-донорами. Добавление атомов, называемых атомами-акцепторами (например, атомов алюминия) приводит к недостатку электронов, или к образованию так называемых дырок, при этом получается полупровод­ник p-типа (рис. 20.3). Электроны и дырки, полученные при внедрении примесей, называют основными носителями.

Рис. 20.3. Полупроводники n- и p-типа Рис. 20.4. Плоскостной диод с рп-переходом.

Плоскостной диод

Если полупроводник р-типа соединить с полупроводником n-типа (рис. 20.4), то под действием диффузии электроны из области с прово­димостью n-типа начнут перетекать в область с проводимостью р-типа, чтобы заполнить дырки в этой области. Перетекание электронов продол­жается до тех пор, пока по обе стороны рта-перехода не образуется ней­тральная зона, или так называемый обедненный слой. Этот обедненный слой приводит к возникновению потенциального барьера, препятствую­щего дальнейшему движению электронов через границу раздела.

Чтобы пересечь границу раздела, электроны должны теперь обладать энергией, достаточной для преодоления потенциального барьера. Ис­точником этой энергии может служить внешняя электродвижущая сила (ЭДС). Высота потенциального барьера зависит от типа применяемого полупроводника. Например, для Германия (Ge) она составляет 0,3 В, а для кремния (Si) – 0,6 В.

Характеристики диода

При обратном включении диода (рис. 20.5) электроны области с проводи­мостью n-типа (n-области) притягиваются положительным полюсом ис­точника напряжения смещения, а дырки р-области притягиваются отри­цательным полюсом. В результате обедненный слой расширяется, и уве­личившийся потенциальный барьер еще сильнее препятствует проникно­вению электронов через границу раздела.

При прямом включении диода (рис. 20.6) обедненный слой исчезает, и электроны получают возможность перетекать через границу раздела, т. е. ток, создаваемый основными носителями, свободно протекает через диод.

Рис. 20.5. Обратное включение диода. На рис. (а) видно, что обедненный слой расширился.

Рис. 20.6. Прямое включение диода. На рис, (а) показано исчезновение обед­ненного слоя.

Но следует отметить, что на диоде существует постоянное падение напряжения, называемое падением напряжения при прямом включении или прямым напряжением диода (0,3 В для диодов из Германия и 0,6 В для кремниевых диодов).