Аннотации рабочих программ дисциплин (стр. 21 )

г) уметь выявлять новые технические решения в виде строго определенного объекта и характеризовать его  совокупностью существенных признаков;

д) применять знания и умения в области права, экономики интеллектуальной собственности,  проведения патентных исследований для разработки стратегии коммерциализации интеллектуальной собственности

Владеть:

а) навыками самостоятельной творческой работы в области исследования (анализа), создания, охраны и коммерциализации объектов промышленной собственности;

б) навыками проведения патентных исследований.

Дисциплина Б3.В. ОД.4 «Рентгеноструктурный анализ»

Кафедра-разработчик рабочей программы плазмохимических и нанотехнологий высокомолекулярных материалов

1.Цели освоения дисциплины

Целями освоения дисциплины «Рентгеноструктурный анализ» являются

а) изучение структуры кристаллических и аморфных твердых тел;

б) формирование общеинженерных навыков и рациональных приемов при анализе структуры материалов изучение структуры кристаллических и аморфных твердых тел;

2.Содержание дисциплины «Рентгеноструктурный анализ»

1. Теоретические основы рентгеноструктурного анализа.

2. Основные элементы кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей.

3. Особенности структуры кристаллов и нанокристаллов.

4. Аппаратура для рентгеноструктурного анализа.

5. Рентгеноструктурный анализ кристаллов.

6. Методологические аспекты качественного рентгеновского фазового анализа.

7. Методологические аспекты количественного рентгеновского фазового анализа.

8. Метод Ритвельда.

3.Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины  «Рентгеноструктурный анализ»

общепрофессиональных:

владеть основами методов исследования, анализа, диагностики и моделирования свойств веществ (материалов), физических и химических процессов в них и в технологиях получения, обработки и модификации материалов, некоторыми навыками их использования в исследованиях и расчетах (ПК-3);

владеть навыками использования принципов и методик комплексных исследований, испытаний и диагностики материалов, изделий и процессов их производства, обработки и модификации, включая стандартные и сертификационные испытания (ПК-6);

уметь использовать на практике современные представления наук о материалах, о влиянии микро - и нано - масштаба на свойства материалов, взаимодействии материалов с окружающей средой, электромагнитным излучением и потоками частиц (ПК-7).

4.В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

Знать:

а) Физические основы метода рентгеноструктурного анализа, основные элементы кинематической теории рассеяния рентгеновских лучей, особенности структуры кристаллов и нанокристаллов, аппаратуру для рентгеноструктурного анализа, способы расчета структурных параметров, качественный и количественный рентгеноструктурный анализ;

б) методологию рентгенографического изучения монокристальных и порошковых объектов,  в т. ч. нанообъектов.

Уметь:

a) применять понятия и терминологию теории дифракции;

б) изучать свойства материалов с помощью дифракционных методов анализа;

в) осуществлять выбор метода рентгенографического исследования, приготовление объектов исследования и выбор оптимальных параметров работы дифрактометра, учитывать погрешности;

г) применять специальные разделы математики для обработки дифракционных данных;

д) внедрять в практику выполнения научно-исследовательских работ  современные методы  расчета структурных параметров, фазовой и количественной диагностики материалов.

Владеть навыками по:

а) проведению анализа неорганических, органических кристаллических и аморфных веществ;

б) первичной обработке и анализу дифракционных данных.

в) использованию методов получения структурных параметров исследуемых веществ и количественной диагностики фаз, в том числе методов профильного анализа.

Дисциплина Б3.В. ОД.5  «Плазменные технологии получения и модификации наноматериалов»

Кафедра-разработчик рабочей программы :Плазмохимические и нанотехнологии высокомолекулярных материалов

1.Цели освоения дисциплины

Целями освоения дисциплины «Плазменные технологии получения и модификации наноматериалов» являются:

а) формирование знаний о методах получения и модификации наноматериалов органической и неорганической природы с использованием низкотемпературной плазмы;

б) обучение технологии получения и модификации наноматериалов с применением низкотемпературной плазмы,

в) обучение способам применения низкотемпературной плазмы для получения и модификации наноматериалов органической и неорганической природы,

г) раскрытие сущности процессов, происходящих во время создания и модификации наноматериалов с применением плазменных технологий.

2. Содержание дисциплины «Плазменные технологии получения и модификации наноматериалов»

Введение

Классификация плазменных разрядов.

Физическая модель обработки

Математическая модель обработки плазмой поверхности твердых тел

Методы диагностики модифицированных наноматериалов и наноструктур

Методы получения наноматериалов и наноструктур 

Методы модификации наноматериалов и наноструктур 

Модификация поверхностных слоев материалов плазменной обработкой

3.Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины 

Выпускник должен обладать следующими общекультурными компетенциями:

стремлением к саморазвитию, повышению своей квалификации и мастерства, к устранению пробелов в знаниях и к обучению на протяжении всей жизни; (ОК-6) ;

Выпускник должен обладать следующими профессиональными компетенциями:

общепрофессиональными:

1) основными методами, способами и средствами получения, хранения, переработки информации, иметь навыки работы с компьютером как средством управления информацией  (ПК-5);

производственно-технологическая деятельность:

2) уметь использовать на практике современные представления наук о материалах, о влиянии микро - и нано - масштаба на свойства материалов, взаимодействии материалов с окружающей средой, электромагнитным излучением и потоками частиц(ПК-7);

организационно-управленческая деятельность:

3) владеть навыками использования традиционных и новых технологических процессов, операций, оборудования, нормативных и методических материалов по технологической подготовке производства, качеству, стандартизации и сертификации изделий и процессов с элементами экономического анализа и учетом правил техники безопасности, производственной санитарии, пожарной безопасности и норм охраны труда; (ПК-10)

научно-исследовательская деятельность:

4) владеть навыками использования технических средств для измерения и контроля основных параметров технологических процессов, свойств материалов и изделий из них; (ПК-11)

проектная деятельность:

5) использовать принципы механизации и автоматизации процессов производства, выбора и эксплуатации оборудования и оснастки, методы и приемы организации труда, обеспечивающие эффективное, экологически и технически безопасное производство; (ПК-12)

4. В результате освоения дисциплины обучающийся должен:

Знать:

а) теоретические основы плазменного метода получения и модификации наноматериалов;

б) способы применения плазменной технологии при получении и модификации наноматериалов.

в) методы контроля наноматериалов.

Уметь:

а) проводить анализ свойств материалов из наноматериалов полученных и модифицированных низкотемпературной неравновесной плазмой;

б) разрабатывать технологические схемы производства наноматериалов с использованием плазменного метода модификации материалов.

в) участвовать в проведении расчетных работ (по существующим методикам) при проектировании нанообъектов и формируемых на их основе изделий (включая электронные, механические, оптические и другие).

Владеть:

а) приемами получения и модификации наночастиц с использованием низкотемпературной плазмы

б) инструментарием диагностики полученных и модифицированных наночастиц

в) процедурами защиты интеллектуальной собственности в области нанотехнологии и наноматериалов. и т. д.

Дисциплина Б3.В. ОД.6 «Проектирование предприятий наноиндустрии»

Кафедра-разработчик рабочей программы плазмохимических и нанотехнологий высокомолекулярных материалов

1. Цели освоения дисциплины

Целями освоения дисциплины является изучение основ инженерного проектирования предприятий отрасли; выбор наиболее правильных теоретических, технических, экономических и экологически обоснованных решений, грамотное решение технологических и инженерно-строительных вопросов.

2. Содержание дисциплины

Дисциплина включает следующие разделы: основные сведения о реальном проектировании, основные направления проектирования предприятий наноиндустрии, требования к проектной документации, требования к текстовым и графическим документам, научно - технический прогресс в наноиндустрии - теоретическое обоснование выбора технологии,  характеристика исходного сырья, обоснование выбора наиболее прогрессивного оборудования, определение расхода химических материалов, воды, электрической и тепловой энергии на технологические нужды, решение экологических проблем при проектировании, использование отходов производства, конструктивные и объектно-планировочные решения производственных корпусов, административных и вспомогательных помещений, особенности архитектурно-строительного проектирования вновь возводимых зданий, основные части здание, конструктивные и объемно-планировочные решения главных производственных корпусов предприятий.

3. Компетенции обучающегося, формируемые в результате освоения дисциплины

Дисциплина направлена на формирование следующих компетенций:

культурой мышления, способностью к обобщению, анализу, восприятию информации, постановке цели и выбору путей ее достижения (ОК-1);

владением основными методами, способами и средствами получения, хранения, переработки информации, навыками работы с компьютером как средством управления информацией (ОК-11);

владением основными методами защиты производственного персонала и населения от возможных последствий аварий, катастроф, стихийных бедствий (ОК-14);

владеть основами методов исследования, анализа, диагностики и моделирования свойств веществ (материалов), физических и химических процессов в них и в технологиях получения, обработки и модификации материалов, некоторыми навыками их использования в исследованиях и расчетах (ПК-3);