Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
• Жузе В. П., Г у с е н к о в а Е. И., Библиография по термоэлектричеству, М.— Л., 1963; Иоффе А. Ф., Полупроводниковые термоэлементы, М.— Л., 1960.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЙ ПРИБОР, представляет собой сочетание термоэлектрич. преобразователя с электроизмерит. механизмом пост. тока. Применяется для измерения силы и напряжения (реже мощности) электрич. тока, особенно при несинусоидальных токах и на повыш. частотах.
и. п. состоит из нагревателя — обмотки с большим уд. электрич. сопротивлением, по к-рой протекает измеряемый ток, термопары,

Схема термоэлектрического измерит. прибора (а — амперметра, б — вольтметра): 1 — нагреватель; 2 — термопара; 3 — нагрузка; 4 — добавочное сопротивление; ИМ — измерительный механизм.
воспринимающей темп-ру нагревателя, и магнитоэлектрического измерительного механизма, через рамку к-рого протекает ток, определяемый эдс термопары (рис.). Различают контактные термоэлектрич. преобразователи (с гальванич. связью термопары и нагревателя) и бесконтактные (нагреватель и термопара электрически изолированы). и. п. градуируется в единицах действующих значений тока и напряжения, на к-рые реагирует прибор. и. п. слабо зависят от частоты (поэтому они применяются как в цепях постоянного, так и перем. тока) и формы кривой тока (напряжения).
Термоэлектрич. амперметры имеют пределы измерений от 100 мкА до 50 А, частотный диапазон до 200 МГц. Сопротивление нагревателя от 0,01 Ом (для больших токов) до 200 Ом (для малых токов). Термоэлектрич. вольтметры имеют пределы измерений от 75 мВ до 50 В, частотный диапазон до 20 - МГц, входное сопротивление от 200 Ом/В до 10 кОм/В. Осн. погрешность Т. и. п. в % от верхнего предела измерений 1—4%.
• Основы электроизмерительной техники, М., 1972; Справочник по электроизмерительным приборам, 2 изд., Л., 1977.
.
ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ТЕРМОМЕТР, прибор для измерения температуры, основанный на Зеебека эффекте. Состоит из термопары в кач-ве чувствит. элемента и электроизмерит. прибора (милливольтметра, автоматич. потенциометра и др.), проградуированного в °С.
ТЕРМОЭЛЕКТРОННАЯ ЭМИССИЯ, испускание эл-нов нагретыми телами (эмиттерами) в вакуум или др. среду. Выйти из тела могут только те эл-ны, энергия к-рых больше энергии эл-на, покоящегося вне тела (см. Работа выхода). Число таких эл-нов в условиях термодинамич. равновесия, в соответствии с Ферми — Дирака распределением, ничтожно мало при темп-рах Т~300 К и экспоненциально возрастает с темп-рой. Поэтому ток Т. э. заметен только для нагретых тел. При отсутствии «отсасывающего» электрич. поля (или при малой его величине) вылетевшие эл-ны образуют вблизи поверхности эмиттера отрицательный пространственный заряд, ограничивающий ток Т. э. При малых напряжениях V<V0 между эмиттером и анодом плотность тока j~V3/2 (см. Ленгмюра формула). При V~V0 пространственный заряд рассасывается, и ток достигает насыщения j0, а при дальнейшем увеличении V — слабо растёт в соответствии с Шоттки эффектом (рис.). В сильных электрич. полях (E>106 В/см) к Т. э. добавляется автоэлектронная эмиссия (т е р м о а в т о э л е к т р о н н а я э м и с с и я).
Плотность тока насыщения j0 можно вычислить по ф-ле Ричардсона — Дэшмана:
j0 = AT2ехр(-Ф/kT). (*)
Здесь А=А0(1-r~), r~ — коэфф. отражения эл-нов от поверхности тела (усреднённый по энергиям); А0= 4πek2m/h3=120,4 А/см2К2 (е — заряд эл-на, т — масса эл-на); Ф — работа выхода эл-на. Ф-ла (*) получена в предположении, что поверхность эмиттера однородна и что электронный газ в нём находится в состоянии термозависимость плотности термоэлектронного тока j от напряжения V между эмиттером и анодом j0 — ток насыщения).

динамич. равновесия. В действительности равновесие нарушается отбором тока и проникновением внеш. электрич. поля в эмиттер, а также зависимостью Ф от Т. Поэтому Ф и А (обычно определяемые из 'зависимости j(Т)) не явл. константами в-ва. Для большинства чистых металлов учёт указанных факторов приводит к значениям А от 15 до 350 А/см2К2.
Ф-ла (*) применима и для описания Т. э. из полупроводников. Однако влияние темп-ры, электрич. поля, примесей в эмиттере и т. п. на эмиссионный ток и на величины Ф и А в этом случае существенно иное, чем в металлах. Различия обусловлены малой концентрацией эл-нов проводимости и наличием локализованных поверхностных электронных состояний, влияющих на расположение уровня Ферми оF для поверхности ПП, вплоть до его «закрепления» в нек-рой точке запрещённой зоны (см. Поверхностные свойства полупроводников). При этом ни оF на поверхности ПП, ни Ф не зависят от оF в объёме (т. е. от типа и концентрации легирующей примеси). Такое закрепление реализуется обычно в кристаллах с ковалентной связью (Ge, Si и др.), и в этом случае хар-р Т. э. такой же, как Т. э. из металлов. На чистых поверхностях ионных кристаллов структура поверхностных состояний такова, что уровень Ферми на поверхности может перемещаться внутри запрещённой зоны, следуя за его положением в объёме. Поэтому при изменении типа и концентрации примесей в объёме ПП изменяются Ф и ток Т. э. Кроме того, электрич. поле в таких ПП не экранируется зарядом поверхностных состояний, а проникает в эмиттер на значит. глубину.
Поверхность большинства эмиттеров неоднородна, на ней существуют «пятна» с разной работой выхода. Между ними возникает контактная разность потенциалов и электрич. поля («поля пятен»). Эти поля создают дополнительные потенц. барьеры для эмитируемых эл-нов, что приводит к более сильной зависимости тока от анодного напряжения (аномальный эффект Шоттки), а также увеличивает зависимость тока от Т.
Т. э. лежит в основе работы термоэлектронных катодов, к-рые применяются во многих электровакуумных и газоразрядных приборах, в пром. установках, а также в нек-рых элек-
757
тронных приборах (диоды Шоттки и др.).
• Добрецов Л. Н., Г о м о ю н о в а М. В., Эмиссионная электроника, М., 1966; Фоменко В. С., Эмиссионные свойства материалов, 3 изд., К., 1970; Термоэлектронные катоды, М., 1966.
Т. М. Лифшиц, С. Г. Дмитриев.
ТЕРМОЭЛЕКТРОННЫЙ КАТОД (термокатод), катод электровакуумных и газоразрядных приборов, эмитирующих эл-ны при нагревании (см. Термоэлектронная эмиссия). Т. к. характеризуется величиной тока эмиссии I при определ. темп-ре Т, работой выхода Ф, временем жизни (долговечностью) t, уд. мощностью накала (зависящей от темп-ры и потерь мощности Q на излучение и нагрев элементов конструкций). к. тем больше, чем больше запас активного в-ва и чем нище скорость его испарения, т. е. чем ниже Т; она зависит также от условий работы (электронная и ионная бомбардировка,«отравление» остаточными газами и др.). Эффективностью Т. к. наз. отношение рабочего тока к мощности накала.
Различают прямонакальные Т. к. (накаливаемые проволоки, спирали и ленты) и Т. к. косвенного подогрева с отдельным нагревателем. Наиболее распространены Т. к. на основе тугоплавких металлов (W, Та), обладающих мин. отношением Ф/Q, и т. н. эффективные Т. к., состоящие из металлич. основания или пористого тела, в к-ром распределены металлы или соединения металлов 2—4-й группы периодич. системы. Эти соединения в процессе термич. обработки катода (активирование) в вакууме или нейтр. газах выходят на поверхность катода и образуют слой с малой Ф. Наиболее широко применяются: оксидный катод на основе окислов щёлочноземельных металлов; вольфрамобариевый катод, состоящий из металлич. матрицы (порошок W), поры к-рой заполнены соединением Ва (смесь ЗВаО, 5СаО, Аl2O3 и др.); борид-лантановый катод, где активным элементом является гексаборид La (LaB6).
• Термоэлектронные катоды, М., 1966; Никонов Б. П., Оксидный катод, М., 1979.
ТЕРМОЭЛЕКТРОННЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ (термоэмиссионный преобразователь) энергии, устройство для непосредств. преобразования тепловой энергии в электрическую на основе явления термоэлектронной эмиссии. п. как плазменного источника электрич. энергии основано на след. процессе: с катода (поверхность горячего металла с большой работой выхода) «испаряются» эл-ны, к-рые, пролетев межэлектродный промежуток, «конденсируются» на аноде (обычно холодный металл с малой работой выхода); во внеш. цепи течёт ток и т. о. совершается полезная работа. п. превышает 20%.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 |


