Словарь (стр. 6 )

катке и сжатии металлов и др. обра­ботке материалов. Текстурированными материалами явл. пьезокерамики, существуют оптич. Т. (см. Поляроид), текстура магнитная и др. Т. распрост­ранены в изделиях из в-в природного происхождения (волокна) и др. мате­риалах.

•  Кудрявцев  И.  П.,  Текстуры в металлах  и  сплавах,  М.,  1965;  Шубни­ков  А. В., Пьезоэлектрические текстуры, М.— П., 1946; Б а н н Ч., Текстура полиме­ров, в кн.: Волокна из синтетических поли­меров, под ред. Р. Хилла, пер. с англ., М., 1957;  Вайнштейн  Б.  К.,  Дифракция рентгеновых  лучей  на  цепных  молекулах, М.,  1963. 

Г.  И.  Дистлер.

ТЕКСТУРА МАГНИТНАЯ, преиму­щественная пространственная ориен­тация осей лёгкого намагничивания в поликрист. ферро - или ферримагн. образце, в результате к-рой он обла­дает магнитной анизотропией. Т. м. возникает: при действии на образец направленных механич. напряжений, создающих предпочтит. ориентацию кристаллитов (см. Текстура); при тер­мич. обработке образца ниже Кюри точки в присутствии магн. поля (тер­момагн. обработка); при термомеха­нич. обработке. м. у магнитно-мягких материалов снижает коэрцитивную силу, уменьшает маг­нитные потери; у магнитно-твёрдых материалов М. т. приводит к увеличе­нию их коэрцитивной силы, остаточной индукции и др.

•  Металлы  и  сплавы  в  электротехнике, 3  изд.,  т.  1—2,  М.—Л.,  1957;  Преоб­раженский  А.,  Теория  магнетизма, магнитные материалы и элементы, М., 1972.

ТЕКУЧЕСТЬ, свойство тел пластиче­ски или  вязко деформироваться под действием  напряжений;  характеризу­ется  величиной,  обратной  вязкости. У вязких тел (газов, жидкостей)  Т. проявляется  при  любых  напряжени­ях, у пластичных тв. тел — лишь при высоких напряжениях, превышающих предел Т.

У разл. тел существуют разные ме­ханизмы Т., определяющие сопротив­ление тел пластич. или вязкому те­чению. У газов Т. связана с переносом импульса из тех слоев, где имеется преобладающее движение молекул газа в направлении течения, к слоям, у к-рых это движение меньше. У жид­костей Т. обусловлена преобладанием диффузии в направлении действия на­пряжений. Элементарным актом при этом явл. скачкообразное перемещение молекулы или пары молекул, или сег­мента макромолекулярной цепи (у высокомол. в-в), сопровождающееся переходом через энергетич. барьер. У крист. тв. тел Т. связывается с движением разл. рода кристалличе­ских дефектов: точечных (вакансий), линейных (дислокаций) и объёмных (краудионов); течение может быть обусловлено также двойникованием под действием напряжения. Медленные течения металлов при высоких темп-рах, полимеров и др. наз. ползучестью материалов.

Т. исследуют как в природе, так и в технике. На проявляется в

740

движениях в атмосфере и гидросфере, тектонич. движениях горных масси­вов. В технике с явлением Т. сталки­ваются, напр., при движениях газов и жидкостей по трубам, при изготов­лении штамповочных изделий и т. д.

.

ТЕЛЕВИЗИОННЫЙ МИКРОСКОП, прибор, в к-ром изображение малого объекта, получаемое с помощью микро­скопа, проецируется на светочувствит. элемент передающей телевизионной трубки и преобразуется в последо­вательность электрич. сигналов, даль­нейшее использование к-рых позволя­ет на экране кинескопа воспроизвести изображение в увеличенном масштабе.

ТЕЛЕГРАФНЫЕ УРАВНЕНИЯ, урав­нения в частных производных, опи­сывающие процесс распространения эл.-магн. волн в линиях передачи (в коаксиальных кабелях, двухпровод­ных линиях и др.):

Здесь V(x, t) и I(х, t) — напряжение и ток в линии, L и С — погонные ин­дуктивность и ёмкость, зависящие от размера проводов, расстояния между ними и св-в заполняющей среды, a R и G — погонные сопротивление и проводимость, учитывающие токи утечки. Структура поля в поперечном сечении линии предполагается ква­зистационарной, что выполняется для волн с λ>> поперечных размеров линии. Т. у. приближённо описывают также распространение сигналов в линиях, состоящих из сосредоточенных ём­костей, индуктивностей и сопротив­лений при условии, что различия ве­личин V и I на соседних звеньях достаточно малы. В идеализированном случае, когда R=0, G=0, эл.-магн. сигналы распространяются вдоль ли­нии со скоростью v=1/√LC без ис­кажения и затухания. Если L и С зависят от частоты со, то Т. у. справед­ливы только для гармонич. волн и записываются для комплексных амп­литуд тока I и напряжения V, так что дI/дt и dv/dt заменяются соответ­ственно на iωI и iωV.

H. С. Степанов.

ТЕЛЕСКОП СЧЁТЧИКОВ, устройство для выделения и регистрации ч-ц вы­соких энергий, летящих в определён­ном направлении. Т. с. содержит два или более детекторов С1: С2, С3 (Гейгера счётчиков, сцинтилляционных счётчиков, Черенковских счётчиков и др. или их сочетаний), расположенных друг за другом по направлению дви­жения ч-цы и включённых в схемы сов­падений и антисовпадений (см. Совпа­дений метод, рис.). Метод совпаде­ний и антисовпадений позволяет отде­лить сигналы, вызванные ч-цей, про­шедшей через Т. с., от шумовых сиг­налов самих детекторов, неизбежного фона, а также от сигналов, создавае­мых посторонними ч-цами с др. вре­менем пролёта между отд. детекторами или с др. направлением движения.

Т. с, широко применяются в физике ч-ц высоких энергий. Схемы антисо­впадений позволяют исключать посто­ронние ч-цы, напр. с др. пробегами (за детекторами С1, С2, С3, включёнными в схему совпадений, и фильтром, в к-ром тормозятся и останавливаются регистрируемые ч-цы, помещён детектор СA, включённый в схему антисов­падений с детекторами С1, С2, С3).

Угловое разрешение Т. с. (спо­собность выделять частицы, летя­щие в заданном направлении) опре­деляется размерами детекторов и расстоянием между ними (угол а). Телесный угол Т. с. β зависит от размера детектора С3 и расстояния от него до источников ч-ц. Размеры осталь­ных детекторов выбираются так, чтобы в них попадали все ч-цы, вылетающие из мишени и проходящие через детек­тор С3.

ТЕМНЫЙ РАЗРЯД, таунсендовский разряд, самостоятельный квазистацио­нарный электрический разряд в газах при низких давлениях и очень малых токах (менее 10-5 А). Электрич. поле в разрядном промежутке однородно или слабо неоднородно. Объёмный за­ряд имеет очень низкую плотность и практически не искажает поле. Про­водимость в плазменном столбе раз­ряда обусловлена образованием ла­вин, а на электродах — вторичной электронной эмиссией и рекомбинац. процессами. При повышении тока Т. р. переходит в тлеющий разряд.

В.  Н.  Колесников.

ТЕМПЕРАТУРА (от лат. temperatura — надлежащее смешение, нормаль­ное состояние), физич. величина, ха­рактеризующая состояние термодина­мич. равновесия макроскопич. систе­мы. Т. одинакова для всех частей изолированной системы, находящейся в равновесии термодинамическом. Если изолированная система не нахо­дится в равновесии, то с течением вре­мени переход энергии (теплопередача) от более нагретых частей системы к менее нагретым приводит к выравни­ванию Т. во всей системе (первый по­стулат, или нулевое начало термоди­намики). В равновесных условиях Т. пропорциональна ср. кинетич. энер­гии ч-ц тела (см. Статистическая физика). Т. определяет: распределение образующих систему ч-ц по уровням энергии (см. Больцмана статистика) и распределение ч-ц по скоростям (см. Максвелла распределение); степень ионизации в-ва (см. Саха формула); спектральную плотность излучения (см. Планка закон излучения); полную объёмную плотность излучения (см. Стефана — Больцмана закон излучения) и т. д. Т., входящую в качестве параметра в распределение Больцма­на, часто наз. Т. возбуждения, в распределение Максвелла — кинетической Т., в ф-лу Саха — ионизационной Т.,  закон Стефа­на — Больцмана — радиационной температурой. Поскольку для систе­мы, находящейся в термодинамич. равновесии, все эти параметры рав­ны друг другу, их наз. просто Т. си­стемы.

В общем случае Т. определяется как производная от энергии тела в целом по его энтропии. Так определяемая Т. всегда положительна (поскольку ки­нетич. энергия положительна), её наз. абсолютной Т. или Т. по термодина­мич. температурной шкале и обозна­чают Т. За единицу абс. Т. в Между­народной системе единиц (СИ) принят кельвин (К). измеряют по шкале Цельсия (t, °C), она связана с Т (в К) равенством t= Т= 273,15 К, причём 1 °С=1 К. Методы измерения Т. рассмотрены в ст. Термометрия и Пирометрия.

Температурный диапазон физ. яв­лений исключительно широк: практи­чески от абс. нуля Т. (см. Низкие тем­пературы) до 1011 К и выше (см. Высо­кие температуры). Строго говоря, Т. характеризует лишь равновесное сос­тояние тел, однако понятием Т. часто пользуются при рассмотрении нерав­новесных распределений ч-ц и квази­частиц в физ. системах (электронная и ионная Т. неравновесной плазмы, цветовая температура, яркостная температура и т. д.).

ТЕМПЕРАТУРА КИПЕНИЯ (обоз­начается Ткип, Ts), температура рав­новесного перехода жидкости в пар при пост. внеш. давлении. к. давление насыщ. пара над плоской поверхностью жидкости становится равным внеш. давлению, вследствие чего по всему объёму жидкости обра­зуются пузырьки насыщ. пара (см. Кипение). Т. к.— частный случай температуры фазового перехода I рода. В табл. приведены Т. к. ряда в-в при норм. внеш. давлении (760 мм рт. ст., или 101325 Па).