Словарь (стр. 8 )

В Т. м. пучок лучей от точечного или щелевого источника света 1 (рис.) линзой или системой линз и зеркал

Рис. 1. Образование теней на экране.

(2—2') направляется через исследуе­мый объект (3) и фокусируется на не­прозрачной преграде (5) с острой кромкой (на т. н. ноже Фуко), так что изображение источника проектиру­ется на самом краю преграды. Если в исследуемом объекте нет оптич. неод­нородностей, то все идущие от него лучи задерживаются преградой. При наличии оптич. неоднородности (4) лучи будут рассеиваться ею и часть их, отклонившись, пройдёт выше преграды. Поставив за ней проекцион­ный объектив (6) или окуляр, можно на экране (7) получить изображение неоднородностей (8) или наблюдать их визуально. Иногда вместо точечного источника света и ножа Фуко приме­няют оптически сопряжённые решётки (растры), перекрывающие ход лучам при отсутствии на их пути неоднород­ностей. Применяются также решётки со щелями в виде цветных светофильт­ров, позволяющие нагляднее опреде­лять характер оптич. неоднородностей. Получение более грубой (теневой) кар­тины зон резкого изменения оптич. плотностей объекта возможно без пере­крытия лучей ножом Фуко или решёт­ками. Просвечивание объекта двумя оптич. системами, установленными под углом друг к другу, позволяет получать стереоскопич. картину рас­пределения неоднородностей в объекте.

• , Теневые ме­тоды, М., 1968; В а л ю с Н. А., Растровые оптические приборы, М., 1966.

.

ТЕНЕЙ ЭФФЕКТ, возникновение ха­рактерных минимумов интенсив­ности (теней) в угловом распределе­нии ч-ц, вылетающих из узлов крист. решётки. Т. э. наблюдается для поло­жительно заряж. ч-ц: протонов, дейт­ронов, α-частиц и более тяжёлых ионов. Тени образуются в направлени­ях кристаллографич. осей (осевая тень) и плоскостей (плоскост­ная тень). Тени обусловлены от­клонением ч-ц, движущихся в направ­лении оси или плоскости, внутриатом­ными электрич. полями атомов, встречающихся на их пути (рис. 1). Угловые размеры тени определяются соотношением: x0 ≈√(Z1•Z2e2/оl), где to — полуширина тени, Z1e и о — заряд и энергия движущейся ч-цы, Z2e — заряд ядра атома кристалла,

l — расстояние между соседними ато­мами цепочки. Интенсивность потока ч-ц (I) в центре тени для кристалла (без дефектов) примерно в 100 раз меньше, чем на периферии (рис. 2).

Т. э. был обнаружен в 1964 незави­симо и Б. Домеем, К. Бьёрквистом (Швеция). В работах Тулинова тени наблюда­лись в потоках ч-ц — продуктов

Рис. 2. Угловое рас­пределение интен­сивности потока вы­летающих из кри­сталла ч-ц в области тени.

яд. реакций на ядрах крист. мишени, облучённой ускоренными ч-цами. В опытах Домея и Бьёрквиста источ­ником заряж. ч-ц являлись α-радиоактивные ядра, введённые в узлы крист. решётки (методом ионного внедрения). Из-за большей универсальности пер­вого метода практически все после­дующие эксперименты проводились по его схеме. В частности, с помощью этого метода удалось наблюдать плос­костные тени, имеющие форму прямых линий.

При использовании фотографиче­ских эмульсий можно регистри­ровать теневую картину (ионограмму)

Риз. 3. Ионограмма  кристалла  (плоскост­ная тень, негативное изображение).

в большом телесном угле (рис. 3). Расположение пятен и линий на ионограмме зависит от структуры кристалла и геом. условий опыта. Распределение интенсивности в пре­делах одной тени (осевой или плоско-

743

стной) определяется многими факто­рами (составом и структурой кристал­ла, сортом и энергией движущихся ч-ц, темп-рой кристалла, кол-вом де­фектов). Пятна и линии на ионограмме по своей природе принципиально отличны от пятен и линий, получае­мых при изучении кристалла дифракц. методами (см. Рентгеновский струк­турный анализ, Электронография, Нейтронография). Из-за малой длины волны де Бройля у тяжёлых ч-ц диф­ракц. явления практически не оказы­вают влияния на образование теней. Т. э. используется в яд. физике и физике тв. тела. На базе Т. э. разра­ботан метод измерения времени т про­текания яд. реакций в диапазоне 10-6 — 10-18 с. Информация о вели­чине т извлекается из формы теней в угловых распределениях заряж. ч-ц — продуктов яд. реакций (форма тени определяется смещением составного ядра за время его жизни из узла ре­шётки). Т. э. используется для иссле­дования структуры кристаллов, рас­пределения примесных атомов и де­фектов. Т. э. относится к группе ориентационных  явлений, наблюдаемых при облучении кристаллов потоками ч-ц (см. также Каналирование частиц).

•, Влияние крис­таллической решетки на некоторые атомные и ядерные процессы, «УФН», 1965, т. 87, в. 4; К а р а м я н С. А., М е л и к о в Ю. В., , Об использова­нии эффекта теней для измерения времени протекания ядерных реакций, «Физика эле­ментарных частиц и атомного ядра», 1973,

ТЕНЗОРЕЗИСТИВНЫЙ ЭФФЕКТ, из­менение электрич. сопротивления тв. проводника (металла, полупроводни­ка) в результате его деформации. Особенно велик Т. э. в полупроводни­ках, где он связан с изменением энер­гетич. спектра носителей заряда при деформации: с изменением ширины запрещённой зоны и энергий иониза­ции примесных уровней; с относит. изменением энергий отдельных долин зоны проводимости; с расщеплением дырочных зон, к-рые в отсутствии деформации вырождены; с изменением эффективных масс носителей заряда (см. Зонная теория). Всё это приводит к изменению концентрации носителей и их эффективной подвижности. Кроме того, деформация влияет на процессы рассеяния носителей через изменение спектра фононов и появление новых дефектов. э. при малых деформациях пропорц. упругому на­пряжению:

где Δσij — изменение тензора уд. электропроводности, σ≈1/3(σхх+σyy+σzz) —ср. уд. электропровод­ность кристалла, Pkl — тензор упру­гих напряжений, а Пijkl — тензор четвёртого ранга, наз. тензором коэфф. пьезосопротивления, характеризую­щий Т. э. в однородных полупровод­никах. Абс. величина компонент Пijkl достигает в полупроводниках значений 10-9 — 10-8 м2/Н.

Вольтамперная характеристика полупроводниковых приборов часто определяется малой областью объёма полупроводников, поэтому при кон­центрации механич. напряжений имен­но в этой области даже малое меха­нич. усилие создаёт значит. изменение высоты потенциального барьера для носителей, что приводит к изменению вольтамперной хар-ки прибора. По­лупроводниковые тензоэлементы слу­жат чувствительными датчиками ме­ханич. напряжений (>10 В/Н) и уско­рений.

• Б л а т т Ф. Дж.. Физика электрон­ной проводимости в твердых телах, пер. с англ., М., 1971; Физика полупроводников, пер. с англ., М., 1977; Г л а г о в с к и й Б. А., П и в е н И. Д., Электротензометры сопротивления, 2 изд., Л., 1972; , Физиче­ские принципы работы полупроводниковых датчиков механических величин, «Акусти­ческий журнал», 1972, т. 18, в. 1, с. 1.

Ш.  М.  Коган.

ТЕОРЕМА СРТ (читается «цэ-пэ-тэ»), теорема квант. теории поля, согласно к-рой ур-ния теории инвариантны от­носительно CPT-преобразования, т. е. не меняют своего вида, если одновре­менно провести три преобразования: зарядового сопряжения С (замены ч-ц античастицами), пространственной инверсии Р (замены координат ч-ц r на - r) и обращения времени Т (заме­ны времени t на - t). Т. СРТ была сформулирована и доказана нем. физиком Г. Людерсом (1951) и швейц. физиком В. Паули (1955). Она выте­кает из осн. принципов квант. теории поля. В силу Т. СРТ, если в природе происходит нек-рый процесс, с той же вероятностью в ней может происходить и процесс, в к-ром ч-цы заменены соот­ветствующими античастицами, про­екции их спинов имеют противопо­ложный знак, а начальные и конечные состояния процесса поменялись мес­тами. Из Т. СРТ, в частности, сле­дует, что массы и времена жизни ч-цы и античастицы равны; электрич. за­ряды и магн. моменты ч-цы и анти­частицы отличаются только знаком; вз-ствие ч-цы и античастицы с грави­тац. полем одинаково (нет «антигра­витации»). Для распадов нестабиль­ных ч-ц в тех случаях, когда вз-ствие ч-ц в конечном состоянии пренебрежи­мо мало, Т. СРТ требует, чтобы энерге­тич. спектры и угловые распределе­ния продуктов распадов для ч-цы и античастицы были одинаковы, а про­екции спинов противоположны.

На опыте ни одного случая наруше­ния Т. СРТ не обнаружено. Точность, с к-рой проверено равенство масс ч-цы и античастицы для К°- и К~0-ме­зонов, составляет примерно 10-15, что на 10 порядков превышает лучшую точность, достигнутую для масс др. ч-ц: ~ 10-5 для эл-на и позитрона,