Словарь (стр. 37 )

g=(1/c2)П.

.

ПОКАЗАТЕЛЬ ПРЕЛОМЛЕНИЯ, см. Преломления показатель.

ПОККЕЛЬСА ЭФФЕКТ, линейный электрооптич. эффект, изменение по­казателя преломления света в кристал­лах, помещённых в электрич. поле, пропорциональное напряжённости приложенного поля. Как следствие этого эффекта в кристаллах появляет­ся двойное лучепреломление или ме­няется его величина. П. э. наблюдает­ся только у пьезоэлектриков. Был об­наружен в 1894 нем. физиком Ф. Поккельсом (F. Pockels), затем длит. время исследовался мало и находил ограни­ченное применение. Гл. причина — высокие электрич. напряжения (десят­ки и сотни кВ) для получения замет­ного эффекта.

Появление лазеров стимулировало исследования П. э. В последние деся­тилетия было обнаружено и исследова­но большое число крист. систем, об­ладающих большим линейным элект­рооптич. эффектом и, соответственно, требующих малых управляющих на­пряжений (порядка десятков или сотен

вольт). На основе П. э. разработан ряд устройств управления когерентным оп­тич. излучением. Почти все созданные модуляторы света (см. Модуляция света) основаны на П. э. Важное свойство П. э.— малая инерцион­ность, позволяющая осуществлять мо­дуляцию света до частот ~1013 Гц. Кроме того, из-за линейной зависимо­сти между показателем преломления и напряжённостью электрич. поля нелинейные искажения при модуля­ции света относительно невелики. Ма­лая инерционность позволяет исполь­зовать П. э. для модуляции добротно­сти лазеров, с помощью к-рой получа­ют г и г а н т с к и е по мощности световые импульсы малой длительно­сти. П. э. находит применение также в системах углового отклонения све­тового пучка и в устройствах создания двумерного оптич. изображения.

• С о н и н А. С., Василевская A. С., Электрооптические кристаллы, М., 1971; , Парыгин B. Н., Методы модуляции и сканирования света, М., 1970.

.

ПОЛЕ ЗРЕНИЯ оптической системы, часть пространства (или плоскости), изображаемая оптич. .системой. П. з. определяется контурами оптич. дета­лей (такими, как оправы линз, призм), диафрагмами и т. п., к-рые ограничи­вают световые пучки. з.

определяется тем из этих контуров S1S2 (рис.), к-рый виден из центра А входного зрачка (см. Диа­фрагма в оптике) под наименьшим уг­лом (этот контур наз. в х о д н ы м л ю к о м). з. измеряется либо углом 2w, под к-рым виден вход­ной люк S1S2 и соответствующая часть предмета O1O2 из центра входного зрач­ка (у г л о в о е П. з.), либо линейны­ми размерами этой части O1O2 (линей­ное П. з.). Системы, предназначенные для наблюдения за удалёнными объек­тами (телескопы, зрительные трубы), обычно характеризуют угловым П. з., а системы, в к-рых расстояние до объ­екта невелико (напр., микроскопы),— линейным П. з.

В общем случае плоскости объекта O1О2 и входного люка S1S2 не совпа­дают и имеет место виньетирование (с шириной кольца ВВ1, рис.). Если же плоскость S1S2 совмещена с плоскостью объекта, граница П. з. р е з к а. Этого стараются добиться во мн. телескопах, зрительных трубах и др., помещая диафрагму П. з. в фокальную плоскость объектива.

з. в пространстве предметов (см. Изображение оптическое) обратно пропорционален увеличению оптиче­скому системы; так, в биноклях он со­ставляет 5—10°, а в самых больших телескопах не превышает неск. угло­вых мин. В широкоугольных фото-

560

объективах он достигает 120—140° и даже 180°. П. з. микроскопа опреде­ляется отношением П. з. окуляра 2l к линейному увеличению объектива

β:2l/β.

.

ПОЛЕВАЯ ИОНИЗАЦИЯ, то же, что автоионизация.

ПОЛЕВАЯ ЭМИССИЯ, то же, что автоэлектронная эмиссия.

ПОЛЗУЧЕСТЬ МАТЕРИАЛОВ, мед­ленная непрерывная пластич. дефор­мация тв. тела под воздействием пос­тоянной нагрузки или механич. на­пряжения. П. м. в той или иной мере подвержены все тв. тела — как кри­сталлические, так и аморфные, под­вергнутые любому виду нагружений. П. м. имеет место при темп-pax от кри­огенных до темп-р, близких к темп-ре плавления. Поскольку деформация и скорость П. м. увеличиваются с воз­растанием темп-ры, то её вредные по­следствия особенно проявляются при

Кривая ползучести: АВ — участок неуста­новившейся (или затухающей) ползучести (I стадия); ВС — участок установившейся ползучести — деформации, идущей с посто­янной скоростью (II стадия); CD — участок ускоренной ползучести (III стадия); Е0 — деформация в момент приложения нагрузки; точка D — момент разрушения.

повыш. темп-pax. П. м. описывается т. н. кривой ползучести (рис.), к-рая представляет собой зави­симость деформации от времени при постоянных темп-ре и приложенной нагрузке (или напряжении). м. имеет одинаковый вид для ши­рокого круга материалов — металлов и сплавов, ионных кристаллов, полу­проводников, полимеров, льда и др. тв. тел. Структурный же механизм П. м., т. е. элементарные процессы, приводящие к П. м., зависят как от вида материала, так и от условий, в к-рых происходит ползучесть. Осн. ме­ханизмом П. м. (за исключением аморф­ных тел) явл. перемещение дислока­ций и др. дефектов крист. решётки под воздействием механич. напряжений и темп-ры.

Высокое сопротивление П. м. явл. одним из факторов, определяющих жаропрочность. Для сравнит. оценки технич. материалов сопротивление пол­зучести характеризуют пределом ползучести — напряжением, при к-ром за данное время достигается де­формация определённой величины. Иногда сопротивление П. м. характе­ризуют величиной скорости деформа­ции по прошествии заданного времени.

• Р е г е л ь В. Р., С л у ц к е р А. И., , Кинетическая природа прочности твердых тел, М., 1974; , Основы жаропроч­ности металлических материалов, М., 1973.

.

ПОЛИКРИСТАЛЛ, агрегат мелких монокристаллов разл. ориентации (крист. зёрен). Большинство тв. тел (минералы, металлы, сплавы, керамики и др.) имеют поликрист. строение. Св-ва П. обусловлены ср. размером зёрен (от 1— 2•10-6 м до неск. мм), их ориента­цией и межзёренными границами. Если зёрна ориентированы хаотиче­ски, а их размеры малы по сравнению с размером П., то в П. не проявляется анизотропия св-в, характерная для монокристаллов. Если есть преиму­ществ. кристаллографич. ориентация зёрен, то П. явл. текстурированным (см. Текстура) и в этом случае он об­ладает анизотропией. Наличие межзёренных границ существенно сказы­вается на физ., особенно механич. св-вах П., т. к. на них происходит рассеяние электронов проводимости и фононов, торможение дислокаций, зарождение трещин и т. п.

П. образуются при кристаллизации, полиморфных превращениях (см. По­лиморфизм), а также в результате спекания крист. порошков. При дли­тельном отжиге металлич. П. проис­ходит преимуществ. рост отд. зёрен за счёт других (рекристаллизация), приводящий к образованию крупно­зернистых П. или монокристаллов. • См. лит. при ст. Кристаллы.

.

ПОЛИМОРФИЗМ (от греч. polymorphos — многообразный), способность нек-рых в-в существовать в состояниях с разл. атомно-крист. структурой (см. Кристаллохимия). Каждое из таких состояний (термодинамич. фаз), наз. п о л и м о р ф н о й м о д и ф и к а ц и е й, устойчиво при определённых внеш. условиях (темп-ре и давлении). Различие в структуре обусловливает и различие в св-вах полиморфных мо­дификаций данного в-ва. П. был от­крыт в 1822 нем. учёным Э. Мичерлихом. Им обладают нек-рые простые в-ва (аллотропия) и мн. соеди­нения. Так, 2 модификации угле­рода — кубическая (алмаз) и гекса­гональная (графит), резко разли­чаются по физ. св-вам. Белое олово, имеющее тетрагональную объ­ёмно-центрированную кристалличе­скую решётку,— пластичный металл, а серое олово (низкотемпературная модификация) с алмазоподобной тетра­гональной решёткой — хрупкий полу­проводник. Нек-рые в-ва, напр. сера и кремнезём, имеют больше чем две полимерные модификации. П. наблю­дается и в жидких кристаллах.

Области устойчивости полиморфных модификаций и точки перехода между ними определяются фазовыми диаграм­мами равновесия, расчёт к-рых осно­ван на вычислении термодинамич. характеристик, а также спектра коле­баний кристаллической решётки для разл. модификаций.