Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (стр. 24 )

67 X. Liu, M.-E. Pistol, L. Samuelson, S. Schwetlick, and W. Seifert / Nitrogen pair luminescence in GaAs // Appl. Phys. Lett. Vol. 56. P. 1451-1453 (1990).

68 S. B. Healy, A. Lindsay and E. P. O’Reilly / Influence of cluster states on band dispersion in bulk and quantum well (ultra-)dilute nitride semiconductors // IEE Proc.-Optoelectron. Vol. 151, № 5, P. 397-401 (2004).

69 P. R.C. Kent, L. Bellaiche and A. Zunger / Pseudopotential theory of dilute III-V nitrides // Semicond. Sci. Technol. Vol. 17. P. 851-859 (2002).

70 A. Lindsay and E. P. O’Reilly / A tight-binding based analysis of the band anti-crossing model in GaNxAs1-x // Physica E. Vol. 21. P. 901-905 (2004).

71 , , / Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTe1-x // ФТП. Т. 6, в. 4. С. 698-702 (1972).

72 , , / Исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSxTe1-x // Физика полупроводников. Т. 10, в. 6. С. 1193-1195 (1975).

73 / Твердые растворы (ZnTe)x(CdSe)1-x Спектральное исследование энергетической структуры смешанных монокристаллов CdSexTe1-x // ФТП. Т. 6, в. 4. С. 698-702 (1972).

74 , / Обработка порошковых рентгенограмм несовершенных монокристаллов методом наименьших квадратов // Сб. Труды МИИТ. № 000. С. 113-116 (1977).

75 / Исследование и разработка нейтронно-активационных методов определения некоторых легких элементов // Дис. канд. техн. наук. – М.: ЦНИИЧермет им. Бардина, 1968.

76 / Термодинамика поведения кислорода в соединениях A2B6 в процессе химического анализа с использованием газовой хроматографии // Маг. Дис. – М.: МЭИ. 1999.

77 J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager III, S. X. Li, E. E. Haller, Hai Lu, William J. Schaff. / Universal bandgap bowing in group-III nitride alloys // Sol. m. Vol. 127. P. 411-414 (2003).

78 S. X. Li, E. E. Haller, K. M. Yu, W. Walukiewicz, J. W. Ager III, J. Wu, W. Shan, Hai Lu and William J. Schaff. / Effect of Native Defects on Optical Properties of InxGa1-xN Alloys // Lawrence Berkeley National Laboratory, Paper LBNL-57562 (2005).

79 ,  , и др. / Оптическая спектроскопия глубоких состояний в ZnTe // ФТТ. Т. 40, в. 6. С. 1010-1017 (1998).

80 F. A. Kroeger and J. A.M. Dikhoff / The function of oxygen in Zinc Sulfide Phosphors // J. of the Electrochemical Soc. Vol. 99, № 4. P. 144-154 (1952).

81 , , / О центрах люминесценции самоактивированного ZnS и ZnS–O, Cu // Тр. ФИАН. Т. 138. С. 157-165 (1983).

82 , , / Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов // Рига: Зинатне, 1979.

83 Экситоны / Под. ред. , // М.: Наука, 1985.

84 M. Hanke, D. Henning, A. Kaschte / A tight-binding description of isovalent impurity clusters // Phys. Stat. Sol. (b). Vol. 143. P. 665-661 (1987).

85 , , / Сосуществование связанных с дефектами экситонов большого и малого радиуса в твердых телах // Письма в ЖЭТФ. Т. 39, в. 2. С. 54-56 (1984).

86 , , / Экситонные спектры твердого раствора ZnSe1-xTex // ФТТ. Т. 29, в. 2. С. 337-384 (1987).

87 U. Flesh, R. A. Hoffman and R. Rass / Exciton luminescence of cubic ZnS crystals // J. Lumines. № 3. P. 137-142 (1970).

88 Физика и химия соединений АIIВVI / Под. ред. М. Авена // М.: Мир, 1970.

89 / Химия несовершенных кристаллов // М.: Мир, 1969.

90 / Влияние сложного легирования изоэлектронными примесями кислорода и теллура на оптические свойства сульфида кадмия и селенида цинка // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1995.

91 , / Сульфид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред.  В. – М.: Наука, 1987.

92 W. Van Gool / Fluorescent centers in ZnS // Phys. Res. Reр. Suppl. № 3. P. 1-119 (1961).

93 , , / О растворимости кислорода в CdS // Неорган. матер. Т. 29, № 7. C. 1014-1016 (1993).

94 , ,  / Экситонный спектр CdS с контролируемым изменением стехиомет­рии и концентрации кислорода // ЖПС. Т. 60, № 3. C. 341-348 (1994).

95 , , / Определение содержания кислорода в соединениях А2В6 кинетическим методом с использованием газовой хроматографии // Докл. межд. науч.-тех. 30 семинара "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах". М.: МЭИ. С. 211-215 (2000).

96 , Назарова К. Н. / Изменение собственно-дефектной структуры CdS (ZnSe) при легировании изоэлектронными примесями O и Te // Неорган. матер. Т. 32, № 5. С. 542-545 (1996).

97 / Исследование цинксульфидных люминофоров, активированных кислородом // Дис. канд. хим. наук. – М.: МХТИ, 1974.

98 , ,  и др. / Селенид цинка. Получение и оптические свойства // Под. ред. – М.: Наука, 1992.

99 , / Связанная с кислородом люминесценция "беспримесного" ZnS // ЖПС. Т. 17, № 2. С. 261-268 (1972).

100 / Кислород в сульфиде кадмия и его влияние на оптические свойства // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1993.

101 / Оптические свойства селенида цинка, содержащего кислород // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1986.

102 , , / Исследование растворимости ZnO в ZnS (вюрците) // Изв. АН СССР. Неорган. матер. Т. 14, № 8. С. 1393-1398 (1978).

103 / Оптика центров, обязанных присутствию кислорода и меди в соединениях A2B6 (на примере ZnSe) // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 2003.

104 Нгуен Чан Ха. / Связь некоторых свойств с дефектообразованием в ZnS и ZnSe // Маг. Дис. – М.: МЭИ. 2007.

105 , / Равновесие точечных дефектов и самоактивированная люминесценция в кристаллах ZnS, ZnSe // Докл. 36 межд. науч.­-техн. семинара “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С. 163-168 (2006).

106 , Нгуен Чан Ха, / Комплексы точечных дефектов, ответственных за самоактивированное свечение и растворимость кислорода в ZnS и ZnSе. // Докл. 38 межд. науч.­-техн. семинара “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С.151 – 156 (2008).

107 , , / Эволюция первичной радиационной дефектности в ионных материалах // Изв. Вузов. Физика. №11, С. 5-29 (1996).

108 G. D. Watkins / Optical properties of zinc vacancy in ZnSe // Bull. Amer. Phys. Soc. V. 15, № 3. P. 290 -296 (1970).

109 и др. / Электропроводность тонких слоев ZnS // М.: Труды НТ конф. M.: МЭИ. C. 30-36 (1969).

110 , , / Характеристика полос люминесценции ZnS(О) и ZnSе(О) с позиций теории антипересекающихся зон // “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С. 146-150 (2008).

111 M. Kitagawa, Y. Tomomura / Photo-assisted homoepitaxial growth of ZnS by molecular beam epitaxy // J. Cryst. Growth. Vol. 101. P. 52-55 (1990).

112 , / Связанный экситон на SA и SAL центрах ZnS(О) и ZnSe(О) // Изв. Вузов. Электроника. (в печати – 2008).

113 , ,  / Исследование центров люминесценции, обязанных присутствию меди и кислорода в ZnSe // ФТП. Т. 35, в. 1. С. 25-33 (2001).

114 , ,  , , / Преобразование центров люминесценции CVD-ZnS при газостатировании // ФТП. Т. 38, в. 1, С. 39-43 (2004).

115 , , / Влияние давления и температуры на равновесие точечных дефектов и ширину запрещенной зоны ZnS // Неорг. Матер. Т. 40, № 11, С. 1138-1145 (2004).

116 / Растворимость и кристаллизация сульфида и селенида цинка в щелочных гидротермальных растворах // Автореф. канд. дисс. – М.: ИКАН, 1987.

117 , , / Фотолюминесценция селенида цинка ионно-имплантированного кислородом // Кр. сооб. по физике: ФИАН. № 11-12, С. 23-28 (1996).

118 Морозова. Н. К. / Природа оптического поглощения сульфида цинка. // Дис. канд. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1964.

119 J. D. Cuthbert, D. G. Thomas / Optical properties of tellurium as an isoelectronic trap in cadmium sulphide // J. Appl. Phys. Vol. 39, № 3. P. 1573-1580 (1968).

120 D. Lee, A. Mysyrowicz, A. V. Nurmikko, B. J. Fitzpatrick / Exciton Self-Trapping in ZnSe-ZnTe Alloys // Phys. Rev. Lett. V. 58, № 14. P. 1475-1478 (1987).

121 A. Reznitsky, S. Permogorov, S. Verbin, et al. / Localisation of exciton Anderson transition in ZnSe1-xTex solid solutions // Sol. m. Vol. 52, №1. P. 13-16 (1984).

122 , . , и др. / Кластеры Ten – центры эффективной илучательной рекомбинации в ZnSe1-xTex (х ≤ 0,2) // ФТТ. Т. 27, в. 6. С. 1734-1741 (1985).

123 S. Pergomorov, A. Reznitsky, S. Verbin, et al. / Localized excitons in CdS1-xSex solid solutions // Phys. Stat. Sol. (b). Vol. 113, № 2. P. 589-594 (1982).

124 H. Kanzaki, S. Sakuragi, K. Sakamoto / Excitons in AgBr1-xClx – transition of relaxed state between free and selftrapped exciton // Sol. mun. Vol. 9, № 13. P. 999-1002 (1971).

125 , , / Влияние кислорода на электронную зонную структуру ZnS // ФТП. Т. 39, № 5, С.513-520 (2005).

126 S. Iida / Growth and characterization of p-type VPE ZnS layers // J. Cryst. Growth. Vol. 101. P. 141-146 (1990).