Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (стр. 26 )

184 , / Оптические свойства F+-центра в ZnSe // Мат. Элект. Тех. № 2. С. 66-69 (1999).

185 , , / Фотолюминесценция термически обработанных кристаллов селенида цинка. // ЖПС. Т. 30, № 3. С. 459-463 (1979).

186 I. M. Catalano, A. Cingoliani and A. Minafra / Spontaneous and stimulated luminescence in CdS and ZnS excited by multiphonon optical pumping // Phys Rev. B. Vol. 8, № 4. P. 1488-1492 (1973).

187 S. Kishida, K. Matsuura, H. Mori / The 2,5 eV emission band in the Se-treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). Vol. 106, № 1. С. 283-289 (1988).

[1] Коэффициенты пересчета концентрации кислорода в ZnS: 1 мол% » 6,1 масс% » 2,5×1020 см-3 и в ZnSe: 1 мол% » 9 масс% » 2,2×1020 см-3.

[2] Энергия связи свободного экситона в ZnS (s и w) по данным [88,131] равна 40 мэВ. Пересчет положения экситонных полос с температурой (от 300 до 80 К) осуществлялся с помощью зависимостей приведенных в разд. 4.1.

[3] Чувствительность микроанализатора по кислороду низкая ³ 0,5 % (порядка 5×1020 см-3).

[4] Согласно [139] в исходных CVD - конденсатах, которые медленно охлаждаются после выращивания, кислород почти полностью выделяется из твердого раствора в микроскопления и не дает ДВ сдвигов экситонных полос.

[5] В работе [143] снят спектр фотолюминесценции при 10 K на совершенных эпитаксиальных слоях ZnS при лазерном возбуждении. Напряжения на границе с подложкой приводят к расщеплению полосы свободного экситона: FEhh-FElh (табл. 4.1.1).

[6] Спектры МКЛ исследованы в растровом электроном микроскопе при 100К на монокристаллах ZnSe, выращенного из расплава после ионной имплантации кислорода при 300 К дозой 1016 см-2 (1020 см-3), энергии 300 кэВ и последующего отжига при 400˚С 0,5ч (2). Исследования проведены на однородных в РЭМ участках ионнолегированного слоя [98,101].

[7] Следует отметить, что чаще всего FE определяет в спектрах отражения (поглощения) край КДП. В излучении же при этом превалирует ВЕ, соответствующий типу свечения SA или SAL.

[8] Величина смещения экситона ZnSe1-xTex соответствует зависимости [164],

где х, м. д.

[9] При повышении температуры исследования, как видно из рисунка 4.3.1, происходит смена типа свечения SAL® SA, что объясняется в [103,165] изменением положения уровня Ферми и, как следствие, перезарядкой центров.

[10] Некоторое уменьшение расстояния между двумя компонентами SAL, скорее всего, определяется воздействием лазера и выходом кислорода в процессе съемки из тонкого облучаемого слоя твердого раствора. Величина уменьшения [OSe] при этом наблюдалась от 6 до 3ּ1019 см-3.

[11] Детально конденсат CVD-ZnSe описан в [173].

[12] Предельная растворимость кислорода при избытке цинка в ZnSе может быть оценена из соотношения (3.2).

[13] Следует учитывать также, что появление края ~ 350 нм может быть обязано и возбуждению электрона с уровней ЕCu(I) - ЕSA(I) в зону Е– (см. разд. 3.5, рис. 3.5.3, кр. 6).

[14] Согласно рис. 4.5.3, изменение ширины запрещенной зоны ZnSxSe1-x за счет возрастания отношения S/Se на 0,07 м. д. составит 0,105 эВ, так что изменение состава и ширины запрещенной зоны ZnSxSe1-x за счет возрастания отношения S/Se при ГС не определяет эффект смещения SA полос в область SAL, связанный с изменением стехиометрического состава: уменьшением отношения Zn/S(Se). Действительно, величина сдвигов самоактивированных полос достигает сотен мэВ, например до 600 мэВ на рис. 4.5.3.

[15] Выводы о влиянии ГС на уменьшение количества избыточного Zn, т. е. отклонение от стехиометрии ZnSxSe1-x в сторону избытка металлоида, подтверждаются возникновением после газостатирования триады полос фоновой примеси Cu в ИК области спектра (вставка к рис. 4.5.2). Возникновение ИК спектра иона Cu 3d9 при избытке металлоида связано с опусканием уровня Ферми (см. разд. 3.2), и перезарядкой иона Сu 3d10® Cu 3d9 [114,115].

[16] Характерно, что наблюдающийся в спектре ИКЛ связанный экситон 470 нм обязан тем же SA центрам (см. разд. 5.3).

[17] Можно отметить, что насыщение достигается при концентрации центров £1018 см-3, если принять время жизни неравновесных носителей заряда для разрешенных электронных переходов равной 10-8 с. Этого следовало ожидать при концентрациях СТД, входящих в состав комплексов самоактивированной люминесценции ~ 1018 см-3.

[18] С увеличением интенсивности возбуждения связанный экситон ВЕSA усиливается быстрее, чем FE (см. ниже), поэтому при высокой плотности возбуждения превалирует полоса ВЕ, как это показано на рис. 5.3.1.

[19] При этом интенсивность полосы ВЕSA матрицы исследованных нами кристаллов (рис. 5.3.1) очень высока, тогда как области, сильно легированные кислородом, дают слабый по интенсивности FЕZnS·O экситон [114,148].

[20] Неоднородность негазостатированных образцов подтверждается смещением максимума SA полосы в спектрах ИКЛ при изменении Iвозб (рис 5.3.4, кривые 1-3). Это отмечалось ранее в разд. 4.4 (рис. 4.4.3, кривые 2-5).

[21] На рис. 2 экситонные полосы отмечены черточками на спектрах. Для исследуемых образцов они соответствуют (А, В) и С экситонам гексагональной пленки [118].

[22] В области 320 – 330 нм в спектре ФВЛ фиксируются также слабые минимумы, обязанные поглощению экситонными состояниями.

[23] В спектрах исследованных нами кристаллов ZnSּСu(O) мы чаще наблюдали полосу “зеленого ” свечения с максимумом 520 нм, хотя она смещается в диапазоне 505-530 нм, как показано в разд. 4.4.