Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук (стр. 25 )

127 , , / Влияние газостатирования на SAL люминесценцию ZnSe1-xSx // Тез. докл межд. НТ конф. студентов и аспирантов Радиоэлектроника, электротехника и энергетика секц. Полупр. приборы и микроэлектроника. М.: МЭИ. С. 271-272 (2005).

128 , / Исследование изменения Eg ZnS при легировании кислородом // ЖПС. Т.34, в.6, С. 1094-1100 (1981).

129 , , / Определение содержания кислорода в монокристаллах сульфида цинка методом активации быстрыми нейтронами // Неорг. Матер. Т. 14, в. 8. С. 1389 – 1391 (1978).

130 , , / Исследование растворимости ZnO в ZnS (вюрците) // Изв. АН СССР. Сер. Неорг. матер. Т. 14, № 8. С. 1393-1398 (1978).

131 Nam Sungun, Rhee Jongkwang, ungsung, Ki-Seon Lee. / Free-exciton luminescence and strain effect of high-quality ZnS/GaAs epilayers // J. Korean Phys. Vol. 32, №2. P. 156-161 (1998).

132 / Спектроскопия различных структурных форм сульфида цинка с изоэлектронными ловушками кислорода // Дис. докт. физ.-мат. наук. – М.: МЭИ, 1981.

133 S. Larach, R. E. Shrader, C. F. Stocker / Anomalus variation of band gap with composition in Zinc Sulfo - and Seleno-Tellurides // Phys. Rev., Vol. 108, № 3. P. 87-89 (1957).

134 K. Kassali, N. Bouarissa / Composition and temperature dependence of electron band structure in ZnSxSe1-x // Mat. Chem. and Phys. № 76. P. 255-261 (2002).

135 , , и др. / Концентрационная зависимость ширины запрещенной зоны смешанных кристаллов ZnSxSe1-x // ФТП. Т. 11, № 10. С.1934-1937 (1977).

136 A. Ebina, E. Fukunaga, T. Takahashi / Variation with composition of the E0 and E0+D0 gaps in ZnSxSe1-x alloys // Phys. Rev. B, Vol. 10, № 6. P. 2495-2500 (1974).

137 V. Kumar, T. P. Sharma / Structural and optical properties of sintered ZnSxSe1-x films // Optical Materials. № 10. P. 253-256 (1998).

138 S. Armstrong, P. K. Datta, R. W. Miles / Properties of zinc sulfur selenide deposited using a close-spaced sublimation method // Thin Solid Films. № 000-404. P. 126-129 (2002).

139 , ,  / Спектр поглощения ZnO, выделяющегося в ZnSe при насыщении кислородом // Неорг. Матер. Т. 39, №8, С. 920-925 (2003).

140 J. H. Song, E. D. Sim, K. S. Baek, S. K. Chang / Optical properties of ZnSxSe1-x (x<0.18) random and ordered alloys grown by metalorganic atomic layer epitaxy // J. Cryst. Growth, № 000-215. P. 460-464 (2000).

141 Мидерос Мора оптических свойств сульфоселенидов цинка // Маг. дис. – М.: МЭИ, 2005.

142 , , / Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции и ширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x // ФТП. Т. 40, № 10. C. 1185-1191 (2006).

143 N. Lovergine, P. Prete, G. Leo, et al. / MOVPE Growth of Wide Band-Gap II-VI Compounds for Near-UV and Deep-Blue Light Emitting Devices // Cryst. Res. Technol. Vol. 33, № 2. P. 183-195 (1998).

144 K. Leutwein, A. Rauber, J. Shneider. / Optical and photoelectric properties of the F-center in ZnS // Sol. mun. Vol. 5, № 6. P. 783-786 (1967).

145 , , / Связанный экситон на SA центрах в ZnS // Докл. 33 межд. науч.-техн. семинара “Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах”. М.: МЭИ. С. 179-184 (2003).

146 Руманс K./ Структурные исследования халькогенидов при высоком давлении // М.: Мир, 1969.

147 N. K. Morozova, D. A. Mideros, E. M. Gavrishuk / Self-Activated luminescence in ZnS-ZnSe system from positions of the band anticrossing model // Изв. Вузов Физика № 10. С. 166-169 (2006).

148 , , / Особенности спектров люминесценции ZnS(О) и ZnSCu(О) c позиций теории антипересекающихся зон // ФТП (в печати – 2008).

149 , , // Роль фоновых примесей O и Cu в оптике кристаллов ZnSe c позиций теории антипересекающихся зон // ФТП. Т. 42, № 2. С. 131-135 (2008).

150 / Спектроскопия экситонов Ванье – Мота в чистых и активированных полярных кристаллах // Дис. докт. физ.-мат. наук. – Харков: УГУ, 1990.

151 , / Электрические и люминесцентные свойства ZnSe // Кишинев: Штиинца, 1984.

152 G. D. Watkins / Irradation effects in II-VI compounds – in book Radiation effects in semiconductors // P. 301-309 (1971).

153 F. Rong, G. D. Watkins / ODMR observation of close frencel pairs in electron-irradiated ZnSe // Defects in semiconductors Materials Science Forum V. 10-12. P. 837-842 (1986).

154 / Введение в физическую химию кристаллофосфоров // М.:ВШ, 1971.

155 , / О природе центров зеленой люминесценции ZnS×O, Cu  // ЖПС. Т. 35, №3. С.551-553 (1981).

156 G. B. Stringfellow, R. H. Bube / Photoelectronic properties of ZnSe crystals // Phys. Rev. Vol. 171, № 3, P. 903-916 (1968).

157 / Сцинтилляционные кристаллы полупроводниковых соединений A2B6. Получение, свойства, применение // М.:НИИТЭХИМ 1989.

158 V. D. Ryjikov, V. Havrushin, A. Klazlauskaz et al / Research of the recombination centres in isovalently doping monocrystals ZnSe:Te // J. Lumines. Vol. 52, № 1-4. P. 71-81 (1992).

159 / Спектроскопия глубоких центров в монокристалла ZnSeּTe методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения // ФТП. Т. 22, №7. С. 1163-1170 (1988).

160 / Высокоэффективные полупроводниковые сцинтилляторы на основе соединений A2B6 // М.:НИИТЭХИМ, 1984.

161 I. Yao, M. Kato, J. J. Davies, H. Taning / Photoluminescence of exitons bound at Te isoelectronic traps in ZnSe // J. of Crys. Growth. Vol. 86. P. 552-557 (1988).

162 A. Ramos, C. Levelut, J. Petiau, J. Villain / Distribution of chalogen atoms in the wurtzite CdSxSe1-x solid solution: experimental study by x-ray absorption // J. Phys. Condens. Matter. Vol. 5. P. 3507-3518 (1993).

163 C. Gourdon, P. Lavallard, S. Permogorov, A. Reznitsky / Evidence for persistence of free and impurity-bound excitons in Se Rich CdS1-xSex alloys // J. of Luminescence. Vol. 39, № 4. P. 269-274 (1988).

164 , , / Концентрационный сдвиг ширины запрещенной зоны твердого раствора ZnSe1-xTex (0 < x < 1) // ФТП. Т. 21, № 2, С. 350-352 (1987).

165 , , / Роль кислорода в формировании глубоких центров люминесценции ZnSe // Неорг. матер. Т. 35, № 8, С. 917-922 (1999).

166 , , / Выращивание и свойства нелегированного ZnSe p-типа проводимости // Изв. АН СССР. Неорг. Матер. Т. 22, № 3. С. 387-391 (1991).

167 , , / Исследование ростовых неоднородностей монокристаллов гидротермального сфалерита с помощью растрового электронного микроскопа // Кристаллография. Т. 25, № 4. С. 829-835 (1979).

168 , , / Возможности использования оптических методов контроля качества монокристаллах гидротермального ZnS // Кристаллография. Т. 24, № 5. С. 1088-1092 (1979).

169 , , и др. / Тущение краевого излучения ZnS при введении центров свечения и тушения // ЖПС. Т. 17, в. 4. С. 636-641 (1972).

170 , ,  и др. / Люминесценция ZnSe, сильно легированного медью // Неорган. матер. Т. 38, № 6. С. 674-681 (2002).

171 / Физика соединений АIIВVI // М.: Наука, 1986.

172 , , / Влияние ионного легирования кислородом на оптические свойства сульфида кадмия // Неорг. матер. Т. 30, № 6. С. 731-736 (1994).

173  ,  , , / Собственные дефекты в люминесценции CVD-конденсатов ZnSe // ЖПС. Т. 63, №5. С. 731-738 (1996).

174 , , / Влияние контролируемого изменения собственных точечных дефектов и кислорода на оптические свойства CdS // ФТП. Т. 28, №10. С. 1699-1713 (1994).

175 , , Недеогло Д. Д. и др. / Влияние способа легирования кристаллов n-ZnSe медью на структуру центров свечения длинноволновой люминесценции // ФТП. Т. 32, №2. С. 171-177 (1998).

176 R. Тriboulet, J. O. Ndap, A. Tromson-Carli, et. al. / Growth by solid phase recrystallization and assessment of large ZnSe crystals of high purity and structural perfection // J. Cryst. Growth. Vol. 159, № 1-4. P. 156-160 (1996).

177 H. Samelson, A. Lempicki / Fluorescence of cubic ZnSּCl crystals // Phys. Rev. В. Vol. 125, № 3. С. 901-909 (1962).

178 , и др. / Исследование оптических и структурных свойств порошков сульфида цинка и люминофоров на их основе с целью отработки методики контроля их качества // Отчет о научно-исследовательской работе – М.: МЭИ, 1990.

179 , , и др. / Получение массивных слоев ZnSxSe1-x CVD-методом с последующей газостатической обработкой // Неорг. Матер. Т. 42, № 8. С. 928-933 (2006).

180 S. Kishida, K. Matsuura, H. Mori / Temperature dependence of the 2,5 eV emission in Se – treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a). Vol. 109, № 2, P. 617-623 (1988).

181 S. Kishida, K. Matsuura, A. Matsuoka / The transient behaviors of the 2,5 eV emission band in Se – treated ZnSe crystals // Phys. Stat. Sol. (a), Vol. 105, № 2. P. K165-K168 (1988).

182 , , / Фотолюминесценция кристаллов n-ZnSe, легированных донорной и акцепторной примесями из солевого расплава LiCl // ФТП. T. 31, в. 11. С. 1327-1331 (1997).

183 , , / Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами // ФТП. Т. 24, № 2. С. 538-543 (1990).