79
2. Нарушение герметизации кристаллизатора, что обычно вызывает массовое запаразичивание.
3. Нарушение нормального движения кристаллоносца, приводящее к его вздрагиванию и выкрашиванию кристалла в контакте с ним.
4. Появление трещин в кристалле, выходящих на его поверхность (о причинах их см. в § 3.10).
5. Превышение допустимой скорости снижения температуры, что приводит к переходу раствора в лабильное состояние. Этому почти всегда предшествует порча кристалла, появление включений, расщепление, рост в виде скелета, дендрита и т. д. Разумеется, может действовать одновременно ряд причин, и устранение какой-либо одной из найденных причин не даст тогда ощутимых результатов. В качестве способа борьбы с паразитами можно использовать такой подогрев, который обеспечивает более высокую температуру придонных частей раствора. Это достигается, в частности, если в использующемся, обычно жидкостном, термостате оставить такое количество воды, чтобы кристаллизатор был погружен в нее всего на 10—15 мм. В этом случае температура в кристаллизаторе будет несколько ниже температуры термостата. Последняя мера в общем не может считаться радикальной, так как уменьшение поверхности контакта кристаллизатора с термостатирующей жидкостью приводит к снижению стабильности температуры в кристаллизаторе, что в свою очередь влияет на однородность кристаллов, а также резко увеличивает переохлаждение поверхности раствора.
Заметим, что описанные причины возникновения паразитических кристаллов являются общими для почти всех методов кристаллизации.
Температуру в процессе выращивания снижают либо вручную — один - два раза в сутки (желательно чаще, но на более малые значения), в соответствии с подобранным режимом снижения, либо с помощью специальных устройств (§ 5.4), позволяющих уменьшать ее плавно и непрерывно. Автоматическое снижение температуры, разумеется, предпочтительнее ручного.
Кристаллизацию можно считать законченной по истечении суток с момента последнего снижения температуры. Затем кристалл извлекается из кристаллизатора (§ 4.7). Оставшийся раствор может быть вновь использован. Для этого в раствор добавляется вещество в количестве, равном массе полученного кристалла. Во время длительных опытов бывают заметные потери растворителя. Поэтому после зарядки кристаллизатора нужно измерить уровень раствора, а после окончания опыта и досыпки вещества долить растворитель до прежнего уровня раствора. После этого вновь определяют температуру насыщения и ведут процесс, как было изложено выше.
Даже в случае использования весьма чистых веществ многократное получение кристаллов из одного и того же раствора ведет к накоплению в нем примесей, которые рано или поздно начнут
80
заметно влиять на рост и качество кристаллов. Нужно суметь вовремя уловить этот момент и полностью заменить раствор. Это замечание относится и к ряду последующих методов.
Описываемый метод широко применяется для получения кристаллов из растворов, в том числе из раствора в расплавах солей. Этому способствует относительная простота метода и, по-видимому, большая его освоенность по сравнению со многими другими.
С помощью этого метода выращивается ряд важных в промышленном отношении веществ: дигидрофосфат калия, дигидрофосфат аммония, сегнетова соль, бифталат калия, алюмокалиевые квасцы и др.
В природе при снижении температуры растворов образуется, видимо, наибольшая часть всей массы кристаллов. При снижении температуры кристаллизуются горные породы из магмы, представляющей собой, как уже говорилось в § 1.2, поликомпонентные растворы. При снижении температуры образуются кристаллы различных минералов из растворов при самых разных температурах, в том числе и высокотемпературных (гидротермальных) растворов. При уменьшении температуры кристаллизуется лед, при падении температуры осенью и зимой растут кристаллы в соляных озерах. Заметим, что в последнем случае пересыщение создается также и за счет испарения, что рассматривается в следующем параграфе.
3.3. КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ ПРИ ИСПАРЕНИИ РАСТВОРИТЕЛЯ
Для создания избытка вещества здесь используются различия в скорости испарения из раствора растворенного вещества и растворителя. Поэтому главным требованием для использования этого метода является то, что давление равновесных (насыщенных) паров растворителя над раствором должно быть существенно больше давления равновесных паров растворенного вещества. Это требование практически всегда выполняется для водных растворов ионных соединений, но не всегда реализуется для растворов органических соединений. Вторым общим требованием является превышение давления насыщенных паров растворителя над данным раствором сверх реально существующего давления паров растворителя в окружающей среде.
На рис. 3-2, а показано, какие параметры являются определяющими при постановке выращивания кристаллов по этому методу. Выбор температуры и растворимости взаимообусловлен, что отражают противоположно направленные стрелки между обоими указанными параметрами. Взаимосвязь между основными параметрами в процессе выращивания кристалла методом испарения изображена на рис. 3-2, б. Температура, площадь испарения раствора и разность упомянутых выше давлений определяют количество испарившегося растворителя.* Произведение количества испарившегося
* Вообще говоря, равновесное давление паров растворителя зависит от концентрации раствора, но здесь это несущественно, и соответствующая стрелка отсутствует, так как концентрация раствора в течение выращивания почти не изменяется.
81
|
растворителя на концентрацию раствора (в граммах на 100 г растворителя) дает массу избыточного вещества в растворе. От количества испарившегося растворителя зависит наличный объем раствора. Масса избыточного вещества, будучи отнесенная к объему раствора, определяет пересыщение. Рост кристалла приводит к уменьшению массы избыточного вещества, т. е. и к уменьшению пересыщения.
Общие требования к устройствам для кристаллизации по этому методу следующие.
1. Кристаллизатор должен быть термостатирован. При слабой зависимости растворимости от температуры и в случае не очень высоких требований к качеству кристаллов нередко применяется пассивное термостатирование (§ 5.3), обеспечивающее отсутствие резких колебаний температуры. Оно не ликвидирует плавных, хотя, может быть, и значительных, ее изменений, которые не так опасны для кристалла. Дело в том, что при медленных колебаниях температуры, например в период ее повышения, пересыщение уменьшается. Но одновременно при повышении температуры увеличивается скорость испарения, что препятствует уменьшению пересыщения. При понижении температуры действуют обратные тенденции. Таким образом, происходит частичная саморегулировка пересыщения. Однако всегда, когда есть возможность, следует использовать активное термостатирование (воздушные термостаты, например, или хотя бы сушильные шкафы).
2. Испарение раствора необходимо вести при изоляции раствора от пыли, находящейся в воздухе. Несоблюдение этого приводит к появлению паразитических кристаллов.
Выделим два варианта осуществления описываемого метода.
а) Испарение растворителя в атмосферу. Это один из простей
ших приемов получения кристаллов. Здесь необходимы: сосуд лю
бой формы, предпочтительно из стекла (стандартный кристалли
затор, стеклянная банка, колба), пыленепроницаемый фильтр —
лист фильтровальной бумаги или кусок плотной ткани для пере
крытия отверстия сосуда и кусок шпагата, которым закрепляется
фильтр. Фильтр можно прижать перфорированной крышкой или
плоским кольцом. Щелей между фильтром и торцом отверстия ис
пользуемого сосуда не должно быть. Поэтому крышка должна
быть плоской и не должна коробиться при увлажнении и нагреве.
Если торец сосуда недостаточно плоский, его пришлифовывают.
На рис. 3-3, а показан такой кристаллизатор, помещенный в пассивный термостат.
б) Испарение растворителя в закрытом сосуде. Для использования этой методики, помимо желания ускорить испарение, могут
быть и другие причины. Первая — невозможность получения кристалла вышеописанным путем, из-за того что равновесное давление
паров растворителя над раствором меньше, чем реально существующее в атмосфере. Растворы некоторых солей (например, Nal)
поглощают из воздуха воду и разбавляются. Вторая — нежелательность испарения растворителя в атмосферу, из-за того что он
83

либо ядовит, либо имеет неприятный запах, огнеопасен или дефицитен.
Для поддержания испарения в закрытом сосуде создают внутри него перепад давления паров растворителя. Это может быть сделано путем помещения в указанный сосуд какого-нибудь вещества, поглощающего пары используемого растворителя, как это делается в обычном эксикаторе, в который для поглощения водяных паров помещается концентрированная серная кислота или обезвоженный хлористый кальций. Если же вещество, поглощающее пары, трудно подобрать (например, пары органических растворителей) или если стремятся к повышенной чистоте при кристаллизации, так как поглотители паров сами испаряются и их пары поглощаются раствором, то можно организовать местный боковой подогрев кристаллизатора. На удаленных от него стенках сосуда идет конденсация паров, и конденсат в простейшем варианте этой методики стекает на дно сосуда (рис. 3-3, б).
Методика постановки опыта при выращивании кристаллов по описываемому способу следующая. Вымешиванием или с использованием табличных данных приготавливается раствор, насыщенный при выбранной температуре роста. Раствор перегревается на 8—10° С и заливается в чистый, можно мокрый, кристаллизатор. Если растворимость вещества сильно зависит от температуры, то кристаллоносец вводится в раствор, когда температура будет выше температуры роста на 2—3°С. Раствор можно заливать в кристаллизатор, в котором уже находятся затравки. В этом случае, чтобы предотвратить их полное растворение, затравки следует помещать в углубления, высверленные в пластине из какого-либо инертного материала (фторопласт, оргстекло). Кристаллизатор закрывается заранее подготовленными фильтром, крышкой с отверстиями (или кольцом) и устанавливается в термостат или эксикатор. После установки кристаллизатора его нельзя переставлять, двигать,
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 |



