Выращивание кристаллов из растворов (стр. 44 )

Выращивание кристаллов методом осмоса. — В кн.: Кристал­лизация жидкости. Минск, 1963, вып. 2, с. 25—27.

X. Некоторые химические элементы. — В кн.: Теория и практика выращивания кристаллов. М., Металлургия, 1968, с. 190—212.

Выращивание кристаллов в гелях. М., Мир, 1973. 112 с.

О простом способе исключения образования паразитных кри­сталлов при выращивании кристаллов из раствора. — Кристаллография, 1973, т. 18, № 5, с. 1111.

Барта Ч„ Новый метод выращивания кальцита без давления. — В кн.: Рост кристаллов. М., Наука, 1965, т. 6, с. 5—8.

, Способ выращивания кристаллов LilOs из растворов в статических условиях. — Кристаллография, 1977, т. 22, вып. 5, с. 1113—1114.

Исследование кинетики растворения и роста кристаллов. Автореф. канд. дис. Новосибирск, 1975. 20 с.

Кристаллизатор для выращивания методом испарения / , , . — Кристаллография, 1961, т. 6, вып. 1, с. 146—147.

, , Методика изучения кристаллиза­ции труднорастворимых соединений. — Кристаллография, 1980, т. 25, № 6, с. 1307—1310.

, , Лабораторная мето­дика выращивания крупных ограненных кристаллов и ориентированных блоков сульфата лития. — В кн.: Рост кристаллов. М., Изд-во АН СССР, 1961, т. 3, с. 290—295.

Аппарат для выращивания кристаллов из водных растворов методом испарения растворителя. — Кристаллография, 1964, т. 9, вып. 4, с. 584—585.

, К выращиванию кристаллов методом темпера­турного перепада в условиях свободной конвекции раствора. — Кристаллография, 1960, т. 5, вып. 3, с. 452—458.

, Семенова 3. В. Возникновение двойников роста при элек­трокристаллизации меди на поверхности грани (111) монокристалла меди.— Электрохимия, 1966, т. 2, вып. 2, с. 184—188.

Об ячеистой структуре конвективного потока жидкости в вертикальном цилиндре круглого сечения. — Инж.-физ. журн., 1961, т. 4, № 8, с. 80—86.

О свободной тепловой конвекции в водных растворах солей, заполняющих вертикальные трубы круглого сечения. — Инж.-физ. журн., 1963, т. 6, № 3, с. 106—109.

Метод концентрационной конвекции и применение его к вы­ращиванию кристаллов KDP. — Автореф. канд. дис. Горький, 1970. 22 с.

Сэмпсон Дж. Л., Ди- Улучшенный кристаллизатор с испарением в замкнутом объеме. — Приборы для науч. исследований, 1963, т. 34, № 10, с. 83.

, , Закономерности образования вто-

193

ричных субиндивидов при расщеплении кристаллов. — В кн.: Кристаллография и кристаллохимия. Л., Изд-во ЛГУ, 1974, вып. 3, с. 193—201.

Выращивание крупных кристаллов кварца. — В кн.: Новые исследования по кристаллографии и кристаллохимии. М., ИЛ, 1951, сб. 3, с. 143—159.

Гидро - и термомеханические условия в вертикальном цилиндрическом сосуде, f— В кн.: Рост кристаллов. М., Наука, 1967, т. 7, с. 346—349.

Hamid S. A. Die Zuchtung von KJ03.~J. Cryst. Growth, 1974, v. 22, N 4, S. 331—332.

Nicolau J. F. A crystallizer for growing large single crystals from solution under steady-state concentration convective conditions — Krist. und Technik, 1974, v. 9, N 12, p. 1331—1347.

Rouse L. M. t White E. A. D. Crystal growth by electrolitic concentration. — J. Crystal Growth, 1976, v. 34, N 2, p. 173—176.

Schlichta P J. t Knox R E. Growth of crystal by centrifugation. — J. Crystal Growth, 1968, v. 3—4, p. 808—813.

К ГЛАВЕ 4

, С, О возможности опре­деления пересыщения раствора при выращивании кристаллов иодата лития. — Кристаллография, 1975, т. 20, вып. 4, с. 883—885.

Прецизионный метод определения температуры насы­щения прозрачных растворов. — В кн.: Рост кристаллов. М., Изд-во АН СССР, 1957, т. 1, с. 337—340.

Куан-Хан-Ханг. Определение температуры насыщения растворов по изме­рению удельного сопротивления с четырехэлектродной установкой. — Вестн. ЛГУ, сер. геол. и геогр., 1966, № 6, вып. 1, с. 146—149.

, Автоматический регулятор пересыщения рас­творов — регулирующий Ас-метр. — Изобретения. Открытия. Пром. образцы. Товарные знаки, 1974, № 14, с. 129—130, авт. свид. № 000.

, О соотношении правых и левых форм кри­сталлов MgS04 • 7НгО, образованных из водных растворов. — В кн.: Рост кри­сталлов. М., Наука, 1965, т. 5, с. 233—236.

Almedia S. P., Crouch Т. Н. Magnetic densimeter using an Mf sensing coil. — Rev. Sci. Instrum., 1971, v. 42, N 9, p. 1344—1348.

Hales J. H. An apparatus for accurate measurement of liquid densities over an extended temperature range.—J. Phys. and Sci. Instr., 1970, v. 3, N 11, p. 855—861.

Mullin /. W. The measurement of supersaturation.—Chem. Eng. (Gr. Brit.), 1972, N 261, p. 186—187, 193.

Torgesen J. L., Horton А. Т., Say lor C. P. Equipment for single crystal growth from aqueous solution. —J. Res. Nat. Bur. Stand. (USA), 1963, v. 67c, N 1, p. 25—32.

К ГЛАВЕ 5

, Максуд ян Г. Е., К методике стабилизации тем­ператур. — Докл. АН АрмССР, 1973, т. 57, № 1, с. 15—18.,

, Регулятор температуры повышенной надеж­ности.— В кн.: Монокристаллы и техника. Харьков, 1973, вып. 1 (8), с. 182—185.

О выращивании кристаллов из раствора с применением специ­альной центробежной помпы в качестве мешалки. — Кристаллография, 1965, т. "10, № 2, с. 263.

Фиклистов Я. Н., Кинетика массообмена при колебательном движении твердого тела в жидкости. — Докл. Львовск. политехи, ин-та. Химия и хим. технол., 1963, т. 5, вып. 1-2, с. 104—108.

ПРЕДМЕТНЫЙ УКАЗАТЕЛЬ

Абсорбция 54

Автодеформация в кристаллах 58

Адсорбция 48

Атом межузельный 5

Блок мозаичный 8

Блочность 8

Вакансия 5

Вектор Бюргерса 6

Включение протогенетическое 12

—  раствора площадное 43 точечное 43

—  сингенетическое 12

—  эпигенетическое 12 Воздействие рН на рост 53

Волны кинематические плотности ступеней 30

Время жизни частицы на поверхности 49

Всаливание 21

Выклинивание кристалла 52

Выращивание кристаллов гидротермальное 109

----- из раствора в расплаве 73

----- путем транспортных реакций 110

Вырост 52

Высаливание 21

Габитус кристалла 37

Гетерометрия 58

Градиент температуры 102

Граница двойниковая когерентная 10

----- некогерентная 10

—  дислокационная (мозаичная) 8

—  индукционная 8

Давление кристаллизационное 127 Движение раствора ламинарное 101

----- турбулентное 101

Двойник зарождения 60

—  магнитный 8

—  механический 8

—  полисинтетический 8

—  превращения 8

—  прорастания 10

—  роста 9

—  слипания 9

—  срастания 10

—  электрический 8 Декорирование дислокаций 7

Дендрит (дендритное образование, дендритная форма) 59 Дефект абсорбционный 121

—  адсорбционный 121

—  двумерный 8

—  диффузионный 121

—  нульмерный 5

—  одномерный 5

—  трехмерный 12

—  упаковки 10 Диаграмма кинетическая 57

—  полярная поверхностной энергии 11

----- скоростей роста 38

Дислокации, выявление 7 Дислокация винтовая 6

—  краевая б

—  смешанная 6 Домен 8

Зародыш двумерный 36 —критический 24

— трехмерный 24

Зарождение кристаллов гетерогенное 24

----- гомогенное 23

Затравка 148

Зона «мертвая» 49

Излом 28

Изоморфизм совершенный 19

Кинетика роста 38

----- диффузионный лимит 40

----- кинетический лимит 39

----- смешанная 40

Конвекция раствора вынужденная 42

----- естественная (свободная) 41

----- концентрационная 110

----- тепловая 100

Конус (бугор) роста 30

Коэффициент извлечения вещества 103

Коэффициент распределения примеси неравновесный (эффективный) 56

--------- равновесный 54

—  растворимости температурный 41 Кристалл аномально-смешанный 58 паразитический 25

—  скелетный вершинный 43

----- реберный 43

Кристаллизация массовая 4

Место приложения (см. Точка роста) Метасоматоз 94

Метод выращивания кристаллов 72 Методика выращивания 73 Механизм (модель) Кабреры 49

— роста двумерными зародышами 36
дислокационный 30

----- нормальный 28

----- трехмерными зародышами 38

Модификация метода выращивания 73 Мозаичность (см. Блочность) Облако Коттрелла 7 Область диффузионная 40

—  заторможенного роста (см. Зона «мертвая») —кинетическая 39

—  лабильная, пересыщенных растворов 23

—  метастабильная, пересыщенных растворов 23

196

— смешанная (смешанной кинетики) 40
Облик кристалла 37

Огранка кристалла 37 OD-кристаллы (OD-структуры) 11 Отжиг кристалла 7 «Охрупчивание» кристаллов 61 Параметр управляющий 73 Перегрев раствора 25 Перекристаллизация 134 Переохлаждение раствора 24 Перепад температур внешний 102

--- внутренний 102

Пересыщение абсолютное 21

— относительное 21

Пирамида вицинальная (вициналь) 30

—  (сектор) роста грани 57 Плавка зонная 136 Плавление инконгруэнтное 3 Поверхность вицинальная 12

—  индукционная (см. Граница индукционная)

—  кристалла 11

—  несингулярная 12

—  сингулярная 12 Политипизм (политипия) 10 Потенциал химический 22

Правила растворимости (правила Шредера) 141 Правило Панета 53 Примесь 18

—  активная (поверхностно-активная) 19

—  изоморфная 19 Принцип Кюри 43 Произведение растворимости 22 Процесс стационарный 22 Расплав 13