Партнерка на США и Канаду по недвижимости, выплаты в крипто
- 30% recurring commission
- Выплаты в USDT
- Вывод каждую неделю
- Комиссия до 5 лет за каждого referral
Рис. 5.11

Рис. 5.12
Фильтр низкой частоты с частотой среза 40 Гц. Фильтр низкой частоты шестого порядка (рис. 5.11, а) построен на трех ОУ и имеет спад АЧХ 36 дБ/октава вне полосы пропускания. Применение элементов с 5%-ным разбросом вызывает отклонение частоты среза на 3%. Подстройка фильтра осуществляется с помощью резисторов Rl. R3 и R5. Форма АЧХ проиллюстрирована на рис. 5.11,6.
Фильтры на микросхеме К284СС2. Фильтр нижних частот (рис. 5.12, а) имеет частоту среза 10 Гц. Крутизна спада АЧХ вне полосы не менее 30 дБ/октава. Неравномерность частотной характеристики в полосе пропускания не более 0,2 дБ. Для схемы рис. Ь.12, б частота среза фильтра равна 15 Гц. Крутизна спада АЧХ не менее 42 дБ/октава. Неравномерность частотной характеристики не более 0,5 дБ.
3. УПРАВЛЯЕМЫЕ ФИЛЬТРЫ
Фильтр с положительной обратной связью. Фильтр нижних частот (рис. 5.13, а) имеет большие возможности регулировки формы АЧХ. С помощью сопротивления резистора R2 можно управлять полосой пропускания (рис. 5.13,6). При изменении сопротивления резистора R6 сдвигается граничная частота АЧХ и изменяется коэффициент передачи фильтра на этой частоте (рис. 5.13,6). Влияние сопротивления резистора R3 на АЧХ показано на рис. 5.13, в. Схема фильтра устойчива и допускает применение элементов с допуском 5%. Коэффициент передачи схемы определяется выражением


Рис. 5.13
Фильтры с регулируемым АЧХ. Фильтр (рис. 5.14, а) с регулируемой АЧХ меняет коэффициент передачи в области высоких частот. Частоты, для которых коэффициент передачи равен 0,1 и 0,9, определяются выражениями f1= 1/2пC(R2+R1) и f2=1/2пСR1.
Для схемы рис. 5.14,6, которая осуществляет регулировку в области нижних частот, граничные частоты определяются аналогичными выражениями. В схемах желательно применение ОУ, у которых на входе включены полевые транзисторы. Применение ОУ типа К153УД1 ограничивает динамический диапазон регулировки формы АЧХ.

Рис. 5.14

Рис. 5.15
Управляемый фильтр. Фильтр нижних частот (рис. 5.15) имеет управляемую частоту среза. Управление осуществляется за счет уменьшения переменной составляющей в цепи ООС, что вызывает увеличение коэффициента усиления ОУ. При отсутствии управляющих напряжений фильтр имеет частоту среза приблизительно 30 Гц. С включением транзистора VT2 от Uупр, равного +5 В, частота среза увеличивается на 40 Гц. На столько же увеличивается частота и при включении транзистора VT3.
4. ФИЛЬТРЫ НА МИКРОСХЕМАХ
Перестраиваемый ФВЧ. Схема активного ФВЧ (рис. 5 16) позволяет плавно регулировать частоту среза от 300 Гц до 3 кГц. Перестройка фильтра осуществляется с помощью полевых транзисторов VT1 и VT2, которые работают как переменные резисторы. Частота среза АЧХ определяется из выражения
![]()
где R10 и R2э — эквивалентные сопротивления, образованные параллельным соединением резисторов R1 и R2 и сопротивлений каналов сток — исток полевых транзисторов. Диапазон управляющих напряжений от 2 до 3,6 В. Коэффициент передачи фильтра в полосе пропускания равен 0,96, а коэффициент нелинейных искажений не более 0,7% при входном cm-нале 140 мВ. Крутизна спада АЧХ не менее 40 дБ на декаду.


Рис. 5.16 Рис. 5.17
Двухкаскадный фильтр. Фильтр высоких частот на интегральной микросхеме К284УД2 (рис. 5.17, а) имеет частоту среза 80 Гц. Уходы частоты среза в диапазоне температур от +25 до +80° С составляют 0,2%. Форма АЧХ проиллюстрирована на рис. 5.17,6.
5. ФИЛЬТРЫ НА ТРАНЗИСТОРАХ
Активный ФВЧ с инфранизкой частотой среза. Для получения большого входного сопротивления активного элемента применяется составной каскад, в котором на входе использован полевой транзистор, а биполярный осуществляет следящую ООС (рис. 5.18, а). Входное сопротивление усилителя около 1,8 МОм, что позволило реализовать малогабаритный фильтр с постоянной времени 4 с. Выходное сопротивление равно 100 Ом. Частота среза характеристики 0,25 Гц. На частоте 0,1 Гц затухание сигнала составляет 33 дБ. Амплитуда входного сигнала не менее 3 В. На графике (рис. 5.18,6) приведена АЧХ фильтра.
Фильтр высоких частот на транзисторах. Активный ФВЧ (рнс. 5.19, а) имеет частоту среза 270 Гц. Вне полосы пропускания фильтра падение коэффициента передачи составляет 15 дБ/октава. Подавление сигналов с частотой ниже 50 Гц достигает 40 дБ. Для R4=R5 = 5,6 кОм и R6=120 Ом при неизменных емкостях конденсаторов частота среза будет составлять 150 Гц. На рис. 5.19,6 приведена АЧХ фильтра.

Рис. 5.18

Рис. 5.19

Рис. 5.20
Корректирующий фильтр. Фильтр высоких частот (рис. 5.20, а) имеет частоту среза 1 кГц. Подавление сигналов с частотами ниже 1 кГц происходит за счет ООС, которая осуществляется через транзистор VT1. Глубина этой связи тем больше, чем больше амплитуда сигнала на конденсаторе С2. Частотную характеристику фильтра можно менять, подключая в эмиттер транзистора VT2 конденсатор СЗ. С этим конденсатором возникает подъем характеристики на частотах выше 5 кГц. При подключении этого конденсатора в коллектор транзистора VT2 возникает завал на частотах выше 5 кГц. На рис. 5.20, б приведена АЧХ фильтра для двух значений емкости СЗ.
6. ФИЛЬТРЫ С ПОВТОРИТЕЛЯМИ НАПРЯЖЕНИЯ
Двойной Т-образный мост. Характеристики режекторного фильтра, представляющего двойной Т-образный мост (рис. 5.21, а), определяются выражениями коэффициент передачи
![]()
фазовая характеристика
![]()
где fо=1/2пRС и e=l/Q. На рис. 5.21,6 и в соответственно представлены АЧХ и ФЧХ для ряда значений Q.
Пассивный фильтр. Для расчета параметров схемы (рис. 5.22) принимается С1 — С и R3 = R, где 2пf0 = I/RC — средняя частота.

Рис. 5.21
Номиналы других элементов определяются следующим образом: R1 = KR, R2 = 6R, С2 = С/к, C3 = C/b. Условие нулевого затухания на средней частоте fо имеет вид b = к/(к — 1), в то время как условием получения максимума передаточной функции (коэффициент усиления больше 1)
![]()
На средней частоте сигнал на входе фильтра находится в фазе с входным сигналом. Максимальный коэффициент усиления имеет место, когда к приближается к бесконечности, а b= 1,207. На практике можно принять k=100, тогда коэффициент усиления будет равен 1,2.
Комбинированный двойной Т-образный фильтр. С помощью фильтров (рис. 5.23, а, б) можно регулировать затухание на центральной частоте. Схемы фильтров имеют два входа. Сигнал для входа mUBX получается с помощью усилителя, схема которого приведена на рис. 5.23, в. При изменении положения движка потенциометра т изменяется от +1 до — 1. Усилитель имеет низкое выходное сопротивление и не влияет на точность установки центральной частоты фильтра при изменении сопротивления резистора R/2.


Рис. 5.22 Рис. 5.23
Для первого фильтра коэффициент передачи будет определяться выражением
![]()
где x = w/w0, w0=1/RС.
При x=1, К=т. Для второго фильтра
![]()
При х=1 K = m/2.


Рис. 5.24 Рис. 5.25
Полосовой фильтр. Фильтр (рис. 5.24, а) содержит два звена ФВЧ и два звена ФНЧ. Для устранения связи между RC в схему введен ОУ, включенный по схеме повторителя. Для увеличения частотной селекции входного сигнала можно последовательно включить несколько каскадов. Схема включения ОУ приведена в гл. 1. На рис. 5.24, б приведены АЧХ звеньев для ряда значений элементов.
Режекторный фильтр с ОС. Наличие ОС в двойном Т-образном фильтре (рис. 5.25) позволяет увеличить его добротность - с 0,25 до 30. Центральная частота фильтра 50 Гц. На частоте 52 Гц затухание составляет 1- дБ. Если применить регулируемую ОС, введя в цепь эмиттера транзистора VT2 потенциометр, то можно изменять полосу затухания фильтра. В фильтре можно применить интегральную микросхему К198НТ4А, которая представляет собой сборку из трех транзисторов.
Комбинированный режекторный фильтр. Двойной Т-образный мост (рис. 5.26, а) имеет частоту режекции 1,5 кГц. При использовании в схеме элементов с допуском 5% не удается получить достаточного подавления сигнала на режекторной частоте. Чтобы увеличить подавление, необходимо подбирать сопротивление резистора R6. Ослабление сигнала на режекторной частоте при этом может достигать 103 раз. Частоту режекцин фильтра можно изменять подбором сопротивления резистора R2. Изменение частотной характеристики в зависимости от сопротивлений резисторов R1 и R2 показано на рис. 5.26,6.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 |


