Рис. 16.11
Стабилизатор низковольтного напряжения. Выходное напряжение стабилизатора (рис. 16.14) оп-ределяетсй падением напряжения на переходе база — эмиттер транзистора VT2. Для кремниевых транзисторов выходное напряжение равно приблизительно 0,7 В, а для германиевых — 0,3 В. Максимальный ток стабилизации определяется допустимой рассеиваемой мощностью транзистора VT1. Коэффициент стабилизации составляет 102. Схема не термостабилизирована. Выходное напряжение меняется с коэффициентом 1 мВ/град. Если в базу транзистора VT2 включить стабилитрон, то выходное напряжение будет равно опорному напряжению стабилитрона.


Рис. 16.12 Рис. 16.14

Рис. 16.15
Кольцевой стабилизатор опорного напряжения. Стабилизатор опорного напряжения (рис. 16.15, а) имеет замкнутую систему стабилизации тока, протекающего через транзисторы. Диод VD1 стабилизирует ток транзистора VT1, а диод VD2 — ток транзистора VT2. Каждый диод питается постоянным током. Коэффициент стабилизации выходного напряжения более 400. Он зависит от сопротивления резистора R1. При увеличении сопротивления R1 коэффициент увеличивается. Для R1= 00 кОм можно получить коэффициент более 103. Однако с увеличением этого сопротивления возможны случаи, когда стабилизатор не включается. Здесь существенную роль играет неуправляемый ток коллектора транзисторов Кроме того, коэффициент стабилизации увеличивается с увеличением тока протекающего через стабилитроны. Степень увеличения - коэффициента стабилизации можно определить, если учесть вольт-амперную характеристику стабилитрона С применением стабилитронов типа Д818Е при токе более 10 мА коэффициент стабилизации может быть увеличен 105. В интервале температур от — 20 до +60°С стабилизатор обеспечивает стабильность порядка 10-6 В/град На графиках рис. 16.15, б, в проиллюстрирована работа стабилизатора.

Рис. 16.16

Рис. 16.17

Рис. 16.18 (а — и)
Генератор, тока со следящей ОС. Опорное напряжение стабилизатора (рис. 16.16, о) устанавливается стабилитроном VD1 через который протекает ток транзистора VT1. Для уменьшения выходного сопротивления стабилизатора в генератор введен эмиттерный повторитель на транзисторе VT3. Кроме того, этот транзистор следит за изменением тока транзистора VT1 при изменении сопротив-,ления резистора R1. Однако большой ток нагрузки может вызвать значительный коллекторный ток транзистора VT1, который превысит предельно допустимое значение для стабилитрона, В качестве ограничителя тока стабилитрона служит транзистор VT2. Этот транзистор осуществляет ООС при изменении тока в цепи нагрузки Генератор удовлетворительно работает при незначительных превышениях питающего напряжения над опорным напряжением стабилитрона. Коэффициент стабилизации схемы растет с уменьшением сопротивления резистора RL На графиках рис. 16.16, б, в проиллюстрирована работа схемы.

Рис. 16.18 к
Низковольтный регулируемый стабилитрон. Составной каскад на двух транзисторах разной проводимости (рис. 16.17) по своим характеристикам подобен стабилитрону. С помощью резистора R2 можно устанавливать опорное напряжение. При малых напряжениях на входе через транзистор VT1 протекает незначительный ток. Этот ток не способен открыть транзистор VT2. С увеличением напряжения ток становится настолько существенным, что открывает ся транзистор VT2 и при этом уменьшается его выходное сопротивление. Напряжение, с которого начинают открываться оба транзистора, определяется резистором R2. С помощью эквивалентного стабилитрона можно устанавливать опорное напряжение от 1 до 4 В. При R3 — 25 кОм опорное напряжение составляет 3,5 В.
3. МИКРОСХЕМНЫЕ СТАБИЛИЗАТОРЫ
Микросхемные стабилизаторы. Интегральные микросхемы К275ЕН1 — К275ЕН16А, Б делятся на две группы: группа А имеет разброс выходного напряжения 1,5%, а группа Б — 2,5%. Основные параметры микросхем приведены в табл. 16.1, где Ки — коэффициент нестабильности по напряжению, Ki — коэффициент нестабильности по току; fвx — минимальное входное напряжение; Iвых — выходной ток. Схемы стабилизатороб серии К275 представлены на рис. 16.18, а — д.
Интегральные микросхемы К403ЕН1 — К403ЕН8 делятся на две группы: группа. А имеет нестабильность по напряжению и по току 0,01%, а группа Б — 0,05%. Температурный коэффициент напряжения равен ±0,05 %. Разброс выходного напряжения 2 %. Минимальный ток нагрузки 0,05 А. Рассеиваемая мощность без теплоот-вода 1 Вт, а с теплоотводом — 15 Вт. Параметры микросхем приведены в табл. 16.2, где Uвых — выходное напряжение; (7Bi — входное напряжение, Iн — предельный ток нагрузки.
Таблица 16.1
Тип микросхемы | Uвых, В | K0 % | Ki % | Uвг, В | Iвых. мА | Рис. 16.18 |
К275ЕН1 | + 1,2 | 0,01 | 0,01 | 5 | 50 | а |
К275ЕН2 | + 2,4 | 0.01 | 0,04 | 6 | 50 | а |
К274ЕНЗ | + 3 | 0,005 | 0,01 | 6,5 | 50 | а |
К275ЕН4 | + 4 | 0,002 | 0,005 | 7,5 | 50 | б |
К275ЕН5 | + 5 | 0,02 | 0,003 | 8,5 | 50 | б |
К275ЕН8 | + 6,3 | 0,002 | 0,003 | 9,5 | 50 | б |
К275ЕН9 | — 6,3 | 0,002 | 0,003 | 9,5 | 50 | в |
К275ЕН10 | + 9 | 0,002 | 0,002 | 12,5 | 50 | д |
К275ЕН13 | + 12,6 | 0,002 | 0,002 | 16 | 45 | д |
К275ЕН14 | — 12,6 | 0,002 | 0,002 | 16 | 45 | г |
К275ЕН15 | + 15 | 0,002 | 0,002 | 18,5 | 50 | д |
К275ЕН16 | +24 | 0,002 | 0,002 | 27,5 | 35 | д |
Микросхему можно включать без защиты от к. з., с защитой от к. з., с двумя источниками, с подключением шунтирующего резистора для уменьшения (увеличения) выходного напряжения в пределах 10 %, (рис. 16.18, е — з).
Интегральные микросхемы К142ЕН1, К142ЕН2 применяют как стабилизаторы с регулируемым выходным напряжением. Микросхема К142ЕН1 при токе нагрузки 50 мА имеет на выходе напряжение 3 В при входном напряжении 10 В, а при входном напряжении 20 В выходное напряжение равно 12 В. Микросхема К142ЕН2 при токе нагрузки 50 мА имеет Uвх=20 В, UВЫх=12 В и Uвх = 40 В, Uвых=30 В. Принципиальная схема показана на рис. 16.18, и, схемы включения стабилизатора приведены на рис. 16.18, к. Резистор R2 стоит в цепи схемы защиты. Сопротивление этого резистора равно R2 = Uвых/Iвых мах. Резистор R3 определяется выражением R3= (Uвых+0,5)/0,3. Стабилизатор может выключаться внешним сигналом, который подается на вывод 9. По этой цепи должен протекать ток 0,5 — 1 мА.
Таблица 16.2
Тип микросхемы | Uвых. В | Uвх, В | Iн, А | Рис. 16 18 |
К403ЕНГ | 5 | 11 — 17 | 2 | Ж |
К403ЕН2 | 6 | 12 — 18 | 2 | Ж |
К403ЕНЗ | 9 | 15 — 22 | 1,5 | Ж |
К403ЕН4 | 12 | 18 — 27 | 1,5 | Ж |
К403ЕН5 | 15 | 21 — 31 | 1,5 | 3 |
К403ЕН6 | 24 | 30 — 45 | 1,0 | 3 |
К403ЕН7 | 27 | 33 — 50 | 1,0 | 3 |
К403ЕН8 | 30 | 36 — 54 | 1,0 | 3 |

Рис. 16.19
Стабилизатор на интегральной микросхеме К181ЕН1. Микросхема (рис. 16.19, а) работает с входным напряжением 9 — 20 В. Выходное напряжение равно 3 — 15 В. Максимальный ток стабили - зации 150 мА. Коэффициент нестабильности по напряжению 7-10-3, а по току — 8*10-3. Температурный дрейф выходного напряжения равен 0,01 % на градус. Ток короткого замыкания составляет 0,4 А. На рис. 16.19, б — г показаны зависимости коэффициента стабилизации напряжения от выходного и входного напряжений и от тока нагрузки. Схема включения микросхемы показана на рис. 16.19, д, е. В первой схеме UВых=1,5(R1+R2). Вторая схема имеет защиту от короткого замыкания. Сопротивление резистора R1 определяется выражением R1 = 0,7/1,5 Iвых.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 |


