Б. И.ГОРОШКОВ
РАДИОЭЛЕКТРОННЫЕ УСТРОЙСТВА (СПРАВОЧНИК)
Издательство «Радио и связь», 1984
ПРЕДИСЛОВИЕ
Радиоэлектронные устройства находят широкое применение в различных отраслях народного хозяйства. Создание новых радиоэлектронных приборов связано с большим и кропотливым трудом. В процессе разработки аппаратуры много внимания приходится уделять сбору информации и анализу существующих схемных решений. При этом необходимо учитывать, что применение той или иной схемы зависит от условий эксплуатации и прежде всего от климатических условий, согласования с источником сигнала и нагрузочными цепями. Немаловажное значение имеет элементная база, на основе которой разрабатывается аппаратура. В поиске и-выборе схемных решений существенную помощь может оказать систематизированная и обобщенная информация о существующих схемах различных устройств. Несмотря на то, что за последнее время был выпущен ряд работ, в которых отражалась схемотехника различных устройств радиоэлектроники, на сегодняшний день нет работы, охватывающей по возможности все или почти все устройства общего назначения. Настоящая работа предназначена в той или иной степени устранить этот пробел.
Наряду с. разработками автора в справочнике приведены схемы, которые были собраны за период, начиная с 1961 г. по настоящее время, из очень многих литературных источников, изданных в СССР и за рубежом. Как показал анализ публикуемых схем, большинство из них, за исключением незначительного количества первоначальных, обладает существенной преемственностью по отношению к предыдущим решениям. В связи с этим в данной работе оказалось затруднительным дать ссылку на источник каждой электрической схемы. Автор выражает искреннюю благодарность авторам .всех использованных в работе схем за их кропотливый труд по расчету и экспериментальному изучению схем.
Ввиду справочного характера книги описание схем носит лаконичный характер. В них, как правило, приведены только основные технические характеристики и самые необходимые расчетные соотношения. Тем не менее работа может быть полезной широкому кругу лиц, занимающихся созданием радиоэлектронных устройств, являясь опорной базой для создания более совершенных узлов
Отзывы и критические замечания по содержанию книги, а также предложения по усовершенствованию приведенных схем следует направлять Москва, Почтамт, а/я 693 издательство «Радио и связь», Массовая радиобиблиотека.
Автор
Глава 1
МИКРОСХЕМЫ И СХЕМЫ ИХ ВКЛЮЧЕНИЯ
В настоящее время операционные усилители (ОУ) получили наиболее широкое распространение среди аналоговых интегральных схем. Это обусловлено возможностью реализации на их основе самых различных линейных и нелинейных аналоговых и аналого-цифровых устройств. Различные способы преобразования аналоговых сигналов выдвигают самые разнообразные требования к ОУ. Удовлетворить все эти требования в ОУ одного типа практически невозможно. По этой причине промышленностью выпускаются ОУ нескольких типов, каждый из которых удовлетворяет ограниченному числу. требований. Все вместе они перекрывают широкий диапазон требований.
Операционные усилители строятся на основе трех - или двухкас-кадных структурных схем. Трехкаскадная схема содержит каскады входного дифференциального усилителя, усилителя напряжения и усилителя амплитуды сигнала, объединяющего схемы сдвига уровня и формирования выходного сигнала. Выходные эмиттерные повтори-тели, осуществляющие переход к низкоомной нагрузке, в формировании коэффициента усиления - ОУ не участвуют. В двухкаскадных ОУ входной каскад объединяет функции дифференциального усилителя и усилителя напряжения.
Большое количество различных типов ОУ, выпускаемых серийно, можно разбить на две большие группы по их элементной базе. Первая из этих групп, в которую входят в основном ОУ первого поколения, характеризуется использованием главным образом транзисторов типа n-р-n и большого количества резисторов, в то время как интегральные ОУ второй группы отличаются применением комплементарных структур (совокупностью транзисторов типов n-р-n и р-n-р) и резким уменьшением количества резисторов. К первой группе относятся трехкаскадные ОУ типа К153УД1, а ко второй — двух-каскадные типа К140УД7. Параметры ОУ второй группы значительно лучше. Так, у ОУ типа К140УД7 более широкий диапазон изменения входного дифференциального напряжения, простая схема компенсации смещения, встроенный МОП-конденсатор емкостью около 30 пФ, обеспечивающий устойчивость ОУ для любой конфигурации и параметров цепи обратной связи (ОС). Кроме того, предусмотрена защита ОУ от коротких замыканий по выходу.
Возможности использования современных ОУ можно расширить еще больше, если создать условия для изменения некоторых из его параметров под воздействием внешних управляющих сигналов. Операционные усилители такого типа обычно называют программируемыми. Программируемым ОУ является микросхема К.140УД12.
Основные метрологические характеристики ОУ определяются параметрами его входного дифференциального каскада. Простейшая схема этого каскада представлена на рис. 1.1. Вольт-амперную характеристику эмиттерного диода транзистора с достаточной степенью точности можно описать выражением вида
Iэ=Iэвоexp UБЭ/Фт. (1)
где фт — температурный потенциал (для Т=300 К фт = 26 мВ); IЭБО — обратный ток эмиттера; UБЭ — управляющее переходом база — эмиттер напряжение. Это выражение справедливо при UБЭ >фт. По формуле (1) можно вычислить практически все входные параметры дифференциального каскада. Так, входное дифференциальное сопротивление ОУ равно Rвх. д = 2h11Б, а коэффициент усиления напряжения
Ky. u = UK1/UD = UK2/UD, где UD = Ul—U2. (2)
Таким образом, коэффициент усиления напряжения практически ра-. вен половине коэффициента усиления каскада с общим эмиттером (ОЭ), т. е. выражение (2) можно привести к виду Kи. и = h21ЕRк/2h11Е. Сюда входит входное сопротивление h11В каскада с общим эмиттером, которое зависит от эмиттерного тока транзистора или от номинала источника тока дифференциального каскада I0. Если коэффициент передачи тока транзистора h21Е>1, то h21Е=h21Ефт/Iэ = 2h21Ефт/I0. Тогда получим Rвх. д = 4h21Ефт/Iо и Kу. и=RкIо/4фт. Эти выражения показывают, что регулировкой источника тока I0 входного дифференциального каскада можно изменять такие параметры ОУ, как коэффициент усиления напряжения и - входное дифференциальное сопротивление.
На рис. 1.2 представлены графические зависимости Rвх. д=f(Iо) и Kум=f(I0) для h21Е=100 и Rк=3,5 кОм. Однако эмиттерный ток входного каскада I0 влияет не только на эти параметры, но и на такие не менее важные характеристики, как входной ток ОУ, скорость. нарастания выходного напряжения я потребляемая мощность.
Широко распространенной разновидностью, ОУ являются так называемые ОУ с переменной крутизной, наиболее характерным параметром которых является управляемая проводимость. Выходной каскад усилителя такого типа практически представляет собой источник тока. Программируемый источник тока, который используется для питания входного дифференциального каскада и управления параметрами ОУ, реализован по схеме «токового зеркала».

Рис. 1.1 Рис. 1.2
Вместо коллекторных резисторов применяют аналогичную схему. Принципиальная схема усилителя с переменной крутизной представлена на рис, 1.3. Для данной схемы справедливы следующие соотношения:
![]()
Для суммарного тока дифференциального каскада можно получить
![]()
Передаточная проводимость при этом - равна
![]()
Схема токового зеркала, используемая для питания дифференциального каскада и реализованная на транзисторах VT3 и VT4, описывается следующим соотношением: S = I0/I3 = h21E/(h21E+2). Если коэффициент передачи тока транзисторов VT3 и VT4 уменьшается до 20, что вполне реально для малых коллекторных токов, то отношение 5 равно 0,9 вместо 1, т. е. появляется погрешность передачи токов. Для уменьшения этой погрешности обычно применяют более сложные схемы токового зеркала, позволяющие получить значительно меньшую погрешность при равном коэффициенте передачи тока используемых транзисторов. Так, схема, реализованная на транзисторах VT13 — VT15, обеспечивает коэффициент усиления K=0,9 при коэффициенте передачи по току h21Е = 4 и описывается выражением
![]()
Если к высокоомному выходному каскаду с переменной крутизной подключить буферный эмиттерный повторитель, то в результате получится регулируемый ОУ.

Рис. 1.3

Рис. 1.4
Примером программируемого ОУ является интегральная микросхема К140УД12. Упрощенная схема этого ОУ приведена на рис. 1.4. Управление входными параметрами ОУ осуществляется регулировкой рабочего тока. Входной каскад ОУ построен по каскодной схеме на комплементарных транзисторах, причем транзисторы типа n-р-n имеют большой коэффициент передачи тока, а у транзисторов типа р-n-р он может изменяться. Тем самым обеспечивается полная симметрия входного каскада. Так как эмиттерные токи транзисторов VT1 и VT2 определяются их базовыми токами, то входное сопротивление ОУ и коэффициент усиления входного каскада также зависят от эмиттерных токов VT1 и VT2, а следовательно, могут регулироваться изменением рабочего тока по входам Si, 52. Входное сопротивление такого ОУ примерно в.2 раза больше, чём у ОУ с простейшим дифференциальным каскадом, вследствие использования каскодной схемы. Кроме высокого входного сопротивления кас-кодный усилитель обладает лучшими частотными характеристиками, ,в частности, за счет уменьшения коэффициента пересчета емкостей переходов коллектор — база транзисторов VT1 и VT2 ко входу по сравнению со схемой с общим эмиттером. Эмиттерный повторитель на транзисторе VT7 и схема сдвига уровня на транзисторах VT4 и VT6 предназначены для согласования входного дифференциального каскада и выходного буферного усилителя. Транзисторы VT21 и VT22 устраняют искажения, возникающие в выходном каскаде, построенном на комплементарных транзисторах и работающем в режиме АВ. Транзисторы VT23 и VT24 служат для защиты выходного каскада от короткого замыкания.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 |


