
Рис. 7.14
В схеме рис. 7.14,6 регулировка осуществляется за счет изменения эквивалентного сопротивления коллекторной нагрузки транзистора VT1. Регулирующий транзистор VT2 по переменной составляющей подключается параллельно R3. Управляющий сигнал отрицательней полярности открывает транзистор VT2 и уменьшает общее нагрузочное солротивление каскада.
3. МОДУЛЯТОРЫ СО СХЕМОЙ УПРАВЛЕНИЯ
Кодовый модулятор. Преобразователь двоичного кода в напряжение переменного тока в модуляторе (рис. 7.15) построен на транзисторных ключах, которые подключают сигнал к резнсторному делителю. В исходном состоянии транзисторы VT7 — VT11 открыты. Переменный сигнал с частотой 100 кГц, усиленный транзистором VT6 до амплитуды 2,5 В, подается на базы транзисторов VT1 — VT5 через резисторы R1, где он шунтируется конденсаторами через открытые транзисторы VT7 — VT11. При закрывании любого из транзисторов VT7 — VT11 переменный сигнал повторяется одним из транзисторов VT1 — VT5 и через резисторный делитель поступает на выход. В зависимости от разряда и количества закрытых транзисторов сигнал будет изменяться по амплитуде.


Рис. 7.15 Рис. 7.16

Рис. 7. 17
Для уменьшения габаритов устройства в схеме целесообразно применение микросхем. Вместо резисторной матрицы применяется интегральная микросхема К301НС1, транзисторы VT1—VT6 заменяются на две микросхемы К198НТ1, а транзисторы VT7—VT11— на К198НТ13.
Модулятор прямоугольного сигнала. Амплитудный модулятор прямоугольного сигнала (рис. 7.16) работает в широком диапазоне частот. Сигнал с модулирующей частотой поступает в базу транзистора VT1, работающего в линейном режиме. С эмиттера и коллектора этого транзистора снимаются противофазные сигналы, которые подаются на транзисторы VT2 и VT3 через резисторы R5 и R6. Транзисторы VT2 и VT3 работают в дискретном режиме и переключаются с частотой несущего сигнала. Выходной сигнал модулятора формируется суммирующими резисторами R7 и R8. Модулятор имеет хорошую линейность, которая сохраняется до коэффициента модуляции 95%.
Импульсный модулятор. В импульсном модуляторе (рис. 7.17) транзистор VT1 работает в линейном режиме как эмиттерный повторитель, а транзистор VT2 — в ключевом режиме. Источником питания транзистора VT2 является напряжение в эмиттере транзистора VT1. При отсутствии на Входе I гармонического сигнала на выходе существует импульсный сигнал с амплитудой 5 В. Изменение напряжения в базе транзистора VT1, вызванное гармоническим сигналом на Входе 1, вызывает изменения коллекторного напряжения транзистора VT2. На выходе появляется модулированный сигнал. В схеме можно получить 100%-ную AM. Если на выходе подключить колебательный контур, настроенный на первую гармонику импульсного сигнала, то можно получить AM гармонического сигнала.
Ключевой модулятор. Аналоговый ключ (рис. 7.18) построен на полевых транзисторах. Он состоит из трех каскадов. Общий коэффициент ослабления входного сигнала более 100 дБ на частотах от О до 50 МГц. Управление ключами осуществляется дифференциальным усилителем (транзисторы VT8, VT9), Управляющие сигналы с усилителя подаются на затворы полевых транзисторов. Когда транзисторы VT1, VT3 и VT5 открыты, транзисторы VT2, VT4 и VT6 закрыты. Входной сигнал проходит на вход истокового повторителя на VT7. В другом состоянии усилителя транзисторы VT1, VT3 и VT5 закрыты, а транзисторы VT2, VT4 и VT6 открыты. В этом случае пары полевых транзисторов VT1 и VT2, VT3 и УТ4, VT5 и VT6, образующие три звена Г-образных аттенюаторов, значительно ослабляют входной сигнал. Для развязки цепей управления в затворах транзисторов VT1, VT3 и VT5 включены резисторы R2, R3 и R5. В схеме вместо каскада управления на транзисторах VT8 — VT10 можно включить интегральную микросхему К122УД1. Дискретный модулятор на транзисторе. Модулятор (рис. 7.19) работает в импульсном режиме. Когда транзистор открыт, то резистор R4 подключается к нулевому потенциалу и входной сигнал поступает на оба входа ОУ. На выходе сигмал будет ослаблен на 70-90 дБ. При закрывании транзистора резистор R4 отключается от нулевого потенциала. Операционный усилитель работает с коэффициентом усиления, равным единице. В приведенной схеме можно использовать ОУ разных типов.

Рис. 7.18


Рис. 7.19 Рис. 7.20
Переключатель гармонических сигналов. Управление гармоническими сигналами в переключателе (рис. 7.20) осуществляется с помощью полевых транзисторов разного типа проводимости Входной сигнал подключается на один из двух выходов Полевые транзисторы управляются коллекторным напряжением транзистооа VT3 Отрицательное напряжение открывает транзистор VT1 а положительное — транзистор VT2.
4. МОДУЛЯТОРЫ ВЧ КОЛЕБАНИЙ НА БИПОЛЯРНЫХ ТРАНЗИСТОРАХ
Транзисторный выключатель. Устройство (рис 721) предназначено для дистанционного включения переменного сигнала при отрицательном управляющем сигнале 1 В входной сигнал с амплитудой менее 1 В не проходит через транзисторы VT1 и VT2 Ослаб ление входного сигнала может превышать 100 дБ на частотах до 10 МГц. Для открывания схемы на управляющий вход подается напряжение положительной полярности 2 — 3 В. В этом режиме оба транзистора открыты. Коэффициент усиления схемы равен 09
Диодный выключатель. При отсутствии сигнала на управляющем входе (рис. 7.22) транзистор VT2 закрыт. Положительное коллекторное напряжение закрывает диоды VD1 и VD2 Положительное напряжение на управляющем входе открывает транзистор VT2 и на его коллекторе появляется напряжение минус 4 В которое откроет диоды. Входной сигнал с амплитудой 0,5 В, через диоды пройдет на выходы. Частота входного сигнала 100 МГц Диодный выключатель может работать в широком диапазоне частот Для уменьшения нижней граничной частоты входного сигнала необходимо увеличить емкости конденсаторов. При входном сигнале с амплитудой более 1 В выходной сигнал имеет нелинейные искажения
Диодный высокочастотный выключатель. Импульсный модулятор высокочастотного сигнала (рис. 7.23) представляет собой диодный переключатель. Когда управляющий транзистор закрыт отрицательное напряжение на его коллекторе закрывает диоды VD1 и VD2 и открывает диод VD3. Конденсатор С1 ослабляет входной сигнал, который проходит через закрытый диод VD1. В результате этого общее ослабление на выходе схемы составит более 70 дБ. При открывании транзистора VT1 положительное напряжение открывает диоды VD1 и VD2 и закрывает диод VD3. Входной сигнал через диоды поступает на выход. Схема может управлять сигналами с частотой до 30 МГц. Скорость переключения может составлять 500 кГц.



Рис. 7.21 Рис. 7.22 Рис. 7.23

Рис. 7.24
Генератор радиоимпульсов. Генератор (рнс. 7.24) построен на одном транзисторе, включенном с ОБ. Коэффициент трансформации в пределах 0,3 — 0,15 не критичен. При запуске схемы на управляющий вход поступает положительный импульс с амплитудой до 5 В. Цепочка R2, С2 создает автоматическое смещение. Для трансформатора с обмотками (w1=25 витков, w2 = Q витков, w3 = 2 витка), намотанными на каркасе диаметром 7 мм, частота гармонического сигнала равна 20 — 30 МГц. Колебания нарастают за 2 — 3 периода. Длительность спада радиоимпульса определяется сопротивлением резистора R1. Для R1 — 1 кОм затухание происходит за 2 — 3 периода. Если применить транзистор ГТ313, можно получить колебания с частотой 100 — 150 МГц; при этом трансформатор должен иметь обмотки (w1=4,5 витка; w2=1 виток) на каркасе диаметром 7 мм, R2 = 91 Ом; С2=18 пФ. Нарастание колебаний происходит за 5 — 7 периодов.

Рис. 7.25

Рис. 7.26
Импульсные высокочастотные модуляторы. В модуляторе (рис. 7.25) транзистор работает в режиме лавинного пробоя. При больших коллекторных напряжениях переход эмиттер — база транзисторов имеет участок с отрицательным дифференциальным сопротивлением. Максимумом 5-образной характеристики можно управлять напряжением в цепи базы. В данных модуляторах коллекторное напряжение выбрано немного меньше напряжения лавинного пробоя. При отсутствии входного сигнала транзистор закрыт. Положительный сигнал в цепи базы открывает транзистор. Эмиттерный переход смещается в область отрицательного сопротивления. В эмит-терной цепи возникают релаксационные колебания, частота которых определяется цепочкой R3, С2. Конденсатор С1 шунтирует колебания в цепи коллектора. В схеме рис. 7.25, а на выходе формируются импульсные сигналы положительной полярности с амплитудой 5 В и частотой порядка 20 кГц. Схема рис. 7.25, б позволяет получить сигналы отрицательной полярности с амплитудой 2 В и частотой около 70 кГц.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 |


