
Рис. 15.27

Рис. 15.28
Преобразователь с диодной регулировкой усиления. Коэффициент усиления схемы (рис. 15.29, а) зависит от прямого сопротивления диода VD1, которое нелинейно меняется от приложенного напряжения. На рис. 15.29, б приведено семейство передаточных характеристик схемы в зависимости от сопротивления резистора R5. Меняя сопротивление резистора R5, можно получить передаточные характеристики разнообразной форма. Возможности этой схемы расширятся, если применить два и более последовательно включенных диодов. Характеристика схемы с двумя дирдами также приведена на рис. 15 28, б.
Нелинейный преобразователь на ОУ. В преобразователе (рис. 15.30) используется принцип изменения коэффициента усиления ОУ DA1 в зависимости от амплитуды входного сигнала. Ко-эффициент усиления меняется с изменением эквивалентного сопротивления в т. 5 K=2R3/R4. Сопротивление резистора R4 меняется за счет подключения резисторов R5 — R8. Эти резисторы включаются после того, как сигнал в т. 5 превысит пороговые уровни в т. 1 — 4. Эти уровни можно выбирать любыми в зависимости от формы передаточной функции схемы. Для квадратичной передаточной функции в т. 1 — 4 можно принять пороги 0,1; 0,2; 0,3; 0,4 В. Когда входной сигнал превысит уровень 0,1 В, параллельно резистору R4 подключится резистор R5. Коэффициент усиления DAI увеличится. При превышении входным сигналом уровня 0,2 В дополнительно подключится и резистор R6. Таким - способом можно смоделировать любую возрастающую передаточную функцию. Число пороговых ОУ можно выбрать сколь угодно большим и с любой дискретностью пороговых уровней.

Рис. 15.29

Рис. 15.30

Рис. 15.31
Преобразователь формы сигнала. Устройство (рис. 15.31, а) преобразует сигнал треугольной формы в синосоидальную. В качестве преобразователя используется переменное сопротивление полевого транзистора. При малых напряжениях на входе ОУ коэффици; ент передачи K=R4/Rпт при Rпт — lfs, т. е. JK — SRt, где Ra т и S — сопротивление и крутизна полевого транзистора при напряжении на затворе, близком к нулю. С увеличением входного напряжения сопротивление полевого транзистора увеличивается. Коэффициент передачи ОУ уменьшается. В результате на выходе появляется сигнал не с острой вершиной, а с гладкой. Степень приближения плавного выходного сигнала к гармоническому виду зависит от нелинейности напряжения на затворе, а также от сопротивления резистора R1. Сопротивление резистора R4, при котором на выходе получается гармонический сигнал, зависит от крутизны полевого транзистора. Оптимальный режим достигается при сопротивлении резистора около 200 Ом. При увеличении сопротивления резистора R4 передаточная характеристика станет выпуклее. При уменьшении сопротивления резистора характеристика будет более пологой (рис. 15.31,6).
5. ФАЗОСДВИТАЮЩИЕ СХЕМЫ
Фазовое звено. Фазосдвигающее звено (рис. 15.32, а) работает в диапазоне частот от 0 до 20 кГц. Звено имеет передаточную функцию UВых/Uвх=(1 — jwR3C1)/(l+ jwR3C1). ф= = 1/2 arctgR3C1. а звено (рис. 15.32, б) — передаточную фазовую функцию tgф== — 2wR3C1/l — w2(R3C1)2. Коэффициент усиления на всех частотах равен единице. Фаза выходного сигнала зависит от частоты. Если соединить последовательно три таких звена, то общее усиление не меняется, а фазовый сдвиг меняется в пределах от 0 до 540°. В первом звене происходит отставание выходного сигнала относительно входного, а для второго звена выходной сигнал опережает входной. Зависимости фазового угла от емкости фа-зосдвигающего конденсатора приведены на рис. 15.32, в.
Транзисторное фазовое звено. Фазосдвигающая цепочка (рис. 15.33, о) построена на основе интегратора, выполненного на транзисторе. Постоянная времени цепочки определяется элементами R1, R2, R3, С2 и коэффициентом усиления схемы. Усиление определяется отношением сопротивлений резисторов K=R4/R5. Фазовая характеристика проиллюстрирована на графике рис. 15.33, б.
Фазовращатель на 130°. Фазовращатель (рис. 1534, о) позволяет изменять фазу входного сигнала в пределах от 0 до 180° при неизменной амплитуде выходного сигнала. Изменение фазы сигнала осуществляется на элементах R7, СЗ и R8, С4. Цепь R7, СЗ обеспечивает отставание по фазе от 0 до 90°, а цепь R8, С4 — опережение от 0 до 90°. При R7=R8=R и СЗ=С4 = С фаза выходного сигнала определяется выражением ф=arctg[2wRC/(l — w2R2С2) ].

Рис. 15.32

Рис. 15.33
Эмиттерные повторители имеют большое входное сопротивление, в результате исключается шунтирование конденсаторов СЗ и С4 при малых сопротивлениях резисторов R7 и R8. На рис. 15 34, б приведена зависимость угла поворота от сопротивления R7=R8.
6. ИНТЕГРАТОРЫ, ДИФФЕРЕНЦИАТОРЫ
Простой интегратор. В цепь ООС ОУ (рис. 15.35, а) включен конденсатор. Постоянная времени интегратора зависит от номиналов R1 и С1 и коэффициента усиления ОУ. Указанные на схеме номиналы реализуют верхнюю частоту полосы пропускания АЧХ 35 Гц. Рабочий диапазон интегратора начинается с частоты выше 40 Гц. На рис. 15.35, б представлена АЧХ интегратора.

Рис. 15.34
Составной интегратор. Фильтр нижних частот (рис. 15.36, .а) по своим характеристикам близок к интегратору с граничной частотой 200 Гц. В схеме осуществляется комбинированная фильтрация высокочастотных составляющих входного сигнала. Первая ступень состоит из цепочки R1, С1, а вторая — из R3, С2. На рис. 15.36, б, приведена АЧХ интегратора.

Рис. 15.35
Фильтровый интегратор. В качестве Интегратора (рис. 15.37, а) применяется Т-образный ФНЧ с полосой пропускания 30 Гц. Амплитудно-частотная характеристика интегратора приведена на рис. 15.37, б.
Регулируемый интегратор. Интегратор (рис. 1538, а) построен с таким расчетом, чтобы можно было менять полосу пропускания с помощью потенциометра в цепи ООС. Можно принять резисторы R2 и R3 как части одного потенциометра. При изменении резисторов меняется коэффициент усиления: для кривой 1 R2=100 кОм, R3= = 10 кОм, Дf=14 кГц; для кривой 2 R2=100 кОм, R3=100 кОм, Дf = 8 кГц; для кривой 3 R2=10 кОм, R3=10 кОм, Af = 2,5 кГц. Соответствующие примерам АЧХ приведены на графике рис. 15.38,6.
Интегратор на ОУ. Интегратор (рис. 15.39, а) построен таким образом, что накопительный конденсатор подключен одним выводом к общей шине. Это позволяет сбрасывать накопленную энергию на конденсаторе. Интегратор может работать в дискретном режиме. Верхняя частота полосы пропускания АЧХ 130 Гц. Коэффициент усиления в полосе пропускания составляет 200. Амплитуда входного сигнала 3 мВ. На рис. 15 39, б приведенд АЧХ интегратора.
Транзисторный интегратор. Интегратор на транзисторах (рис. 15.40, а) имеет большой динамический диапазон. Этот диапазон можно увеличить изменением питающих напряжений. С помощью подбора сопротивления резистора R2 можно менять постоянную времени интегратора. В указанных на рисунке графиках наблюдается прямая зависимость между параметрами интегратора-для R2=10 кОм Дf=1,5 кГц, а для R2=25 кОм Дf=600 Гц (рис. 15.40, б).

Рмс. 15.36


Рис. 15.37 Рис. 15.38

Рис. 15.39

Рис. 15.40

Рис. 15.41
Сбрасываемый интегратор. Сброс интегратора (рис. 1541, а) осуществляется при поступлении на управляющий вход положительного импульса. Первый транзистор работает в нормальном режиме. При напряжении на интегрирующем конденсаторе больше 0,7 В транзистор VII обладает достаточным коэффициентом передачи тока и шунтирует значительный ток. При напряжении на конденсаторе меньше 0,7 В коэффициент передачи транзистора падает. Для уменьшения остаточного напряжения на конденсаторе исполь зуется инверсное включение транзистора VT2. В этом случае неподобранные транзисторы дают около 20 мВ. На рис. 1541, б приведена зависимость остаточного напряжения от управляющего

Рис. 15.42
Интегратор на ОУ со сбросом на транзисторах. Интегратор (рис. 15 42, а, б) построен на ОУ, в цепь ООС которого включен конденсатор. Для разряда конденсатора в схему введены два транзистора, которые находятся в закрытом состоянии. С приходом управляющего напряжения положительной полярности один из транзисторов открывается. При любой полярности выходного сигнала ОУ транзисторп работают в нормальном режиме. Через этот транзистор протекает основной ток разряда конденсатора. Инверсное включение транзистора уменьшает остаточное напряжение на конденсаторе. Зависимость остаточного напряжения от управляющего сигнала показана на рис. 15 42, в. Время разряда конденсатора с б В до 10 мВ составляет меньше 1 икс.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 |


