Радиоэлектронные устройства (справочник) (стр. 35 )

В этих модуляторах могут быть использованы транзисторы П411Б с коллекторным напряжением 40 В и транзисторы ГТ311Ж с коллекторным напряжением 30 В, причем на этих транзисторах можно получить импульсы с частотой повторения до 100 МГц.

Управляемый высокочастотный генератор. Генератор гармони­ческих колебаний (рис. 7.26) собран на транзисторе VT2. Колеба­ния в схеме отсутствуют до тех пор, пока открыты диодные ключи на VD1 и VD2, которые шунтируют контур. Работой диодных клю­чей управляет транзистор VT1. Входной импульс положительной полярности закрывает транзистор VTJ и, следовательно, диоды VD1 и VD2. Поскольку постоянный ток транзистора VT1 протекает через контур, то при закрывании его в контуре возникают колебания ударного возбуждения. Эти колебания в генераторе на VT2 поддер­живаются ПОС через обмотку ОС и резистор R7. По мере возра­стания амплитуды колебаний в генераторе начинают проводить включенные в цепь ООС диоды VD3 и VD4, которые ограничивают ПОС. Таким образом стабилизируется амплитуда гармонических колебаний. При изменении питающего напряжения с 8 до 16 В амплитуда выходного сигнала меняется на 3%. Верхняя граничная частота схемы доходит до 1 МГц.

Генератор радиоимпульсов с низкоомным выходом. Генератор (рис. 7.27) предназначен для работы на емкостную нагрузку. Когда на входе отсутствует управляющий сигнал, транзистор VT1 открыт и находится в насыщении. Через индуктивность протекает ток. С приходом управляющего импульса транзистор закрывается.

Рис. 7.27

В контуре должны возникнуть затухающие колебания. Однако это­го не происходит. При работе эмнттерного повторителя на емкост­ную нагрузку с индуктивным сопротивлением в цепи базы в схеме возникают колебания. Емкость нагрузки, при которой начинает воз­буждаться эмиттерный повторитель, определяется выражением Сн = тк/h21Э R6, где тк — постоянная времени транзистора с ОЭ; h21Э — коэффициент передачи тока в схеме с ОЭ. В результате на выходе существуют незатухающие колебания. Для устранения возбуждения колебаний, когда транзистор VT1 открыт, в схему введен резистор R3.

Амплитуда гармонического сигнала с частотой 10 МГц на на­грузке с емкостью до 2 нФ составляет 5 В, а амплитуда сигнала с частотой 6 МГц на нагрузке с емкостью до 3,5 нФ равна 10 В Длительность управляющих сигналов от 0,1 икс до десятков мил­лисекунд.

5. МОДУЛЯТОРЫ НА ОУ

Дискретный фазовый модулятор. Операционный усилитель в схеме модулятора (рис. 7.28) меняет знак коэффициента усиления в зависимости от полярности управляющего напряжения. Когда уп­равляющий сигнал имеет отрицательную полярность, транзистор VT закрыт. Сигнал поступает на оба входа ОУ, который работает в этом случае как повторитель. Коэффициент усиления будет ра­вен 1. При положительном управляющем сигнале транзистор VT1 открывается. Неинвертирующий вход усилителя в этом случае ока­зывается заземленным. Входной сигнал теперь поступает только на инвертирующий вход. Следователь­но, коэффициент усиления будет ра­вен — 1.

Рис. 7.28

Амплитуда допустимого входно­го сигнала определяется допусти­мыми параметрами ОУ. Управляю­щий сигнал отрицательной полярно сти должен превышать амплитуду входного сигнала. В противном слу­чае отрицательная полярность вход­ного сигнала откроет переход база — эмиттер транзистора VT1 и на вы­ходе появится искаженный сигнал.

Фазовый модулятор на ОУ. Ц основу фазового модулятора (рис 729, а) положена RС-цепь, подключенная к неинвертируюшему входу ОУ Независимо от частоты входного сигнала амплитуда выходного сигнала остается постоянной. Фазорегулируемая RС-цепочка построена на конденсаторе С1 и сопротивлении полевого транзистора. Зависимость фазы выходного сигнала от управляюще­го напряжения в затворе полевого транзистора показана на рис. 7.29,6. Следует иметь в виду, что при фазовых сдвигах близ­ких к 90°, могут возникнуть нелинейные искажения в выходном сигнале, если амплитуда вход­ного сигнала более 100 мВ

Рис. 7.29

Модулятор на полевом тран­зисторе и ОУ. Модулятор (рис. 7.30) построен на ОУ, ко входам которого подводится гар­монический сигнал. Переключе­ние фазы выходного сигнала осу­ществляется с помощью полевого транзистора VT1, который может находиться в открытом или за­крытом состоянии. Управление полевым транзистором осуществ­ляется транзистором VT2. При нулевом напряжении в базе тран­зистора VT2 полевой транзистор закрыт. Положительное управля­ющее напряжение открывает транзистор VT2. В затворе полевого транзистора будет нулевой потенциал, который является для него открывающим.

При закрытом полевом транзисторе входной сигнал поступает на инвертирующий вход ОУ. Коэффициент усиления усилителя опре­деляется резисторами R3 — R5. Когда полевой транзистор открыт, входной сигнал поступает на оба входа. Однако, поскольку неинвер­тирующий вход имеет сигнал в два раза больше, чем сигнал на инвертирующем входе, то на выходе будет существовать сигнал, совпадающий по фазе с входным сигналом. Общий диапазон изме­нения фазы выходного сигнала составляет 180°.

Рис. 7.30

Глава 8

ДЕТЕКТОРЫ

Детектирование является процессом, обратным модуляции. Возможны три вида детектирования: амплитудное, частотное и фа­зовое. Кроме этого существует синхронное детектирование, которое в равной степени может быть применено для любого вида модуля­ции. При синхронном детектировании осуществляется процесс пере­множения входного сигнала с опорным. Опорный периодический сигнал может носить как гармонический, так и релейный характер. Большое распространение получил релейный вид опорного сигнала.

Несинхронное детектирование не требует дополнительного сиг­нала. При таком детектировании каждый вид модуляции требует свою преобразующую схему. Амплитудное детектирование осуществ­ляется с помощью выпрямительного диода. Частотное детектирова­ние требует предварительного преобразования ЧМ колебаний в AM, например, с помощью колебательного контура, резонансная ча­стота которого расстроена относительно частоты высокочастотного сигнала, с дальнейшим амплитудным детектированием. Аналогичную структуру имеют фазовые детекторы, с той лишь разницей, что для преобразования ФМ колебаний в AM используется, например, RС-цепь.

Простые детекторы имеют ряд существенных недостатков, ко­торые заставляют усложнять схему детекторных устройств. Для AM сигнала существенные ограничения возникают из-за порога от­крывания выпрямительного диода. По этой причине чувствитель­ность детектора получается низкой. Применение транзисторов и ОУ значительно увеличивает динамический диапазон детектора. Необ­ходимость точного преобразования малых сигналов связана со все-расширяющимся использованием в радиоэлектронных устройствах микросхем и соответствующим снижением уровней рабочих сиг­налов.

Расстроенный одиночный контур, используемый в ЧМ детекто­рах, имеет ограниченный линейный участок. Для расширения ли­нейного участка возможно применение двух расстроенных контуров, но и в этом случае выходная характеристика детектора оставляет желать лучшего. В последнее время в качестве частотного детек­тора применяются дифференцирующие схемы. Амплитуда выходного гармонического сигнала в этих схемах прямо пропорциональна ча­стоте входного сигнала.

Детектирование ФМ сигналов не отличается принципиально от детектирования ЧМ сигналов. Здесь могут применяться те же ме­тоды, что и при детектировании ЧМ колебаний.

Общим детектором для всех видов модуляции является синхрон­ный детектор. Перемножение входного сигнала с опорным форми­рует на выходе синхронного детектора сигнал, несущий информацию об изменении амплитуды, частоты и фазы входного сигнала. Пусть UBX. = A (t)cos[w0t+f (t)] и Uоп = соsw0t. Выходной сигнал описы­вается выражением

После фильтрации высокочастотных составляющих получим Uвыx = = A(t)cosf(t) /2 Здесь при A(t)=const и f(t)=ф(t) получим Uвых = cos ф (t) — фазовый детектор, для f(t) =Qt — частотный де­тектор, а для f (t) = const Uвых==A(t)/2 — амплитудный детектор. Установка рабочего режима ОУ, который используется в устрой­ствах, показана в гл. 1.

1. ДВУХПОЛУПЕРИОДНЫЕ ДЕТЕКТОРЫ

Измерительный детектор. Детектор (рис. 8.1, а) измеряет дей­ствующее значение переменного сигнала с частотами более 500 кГц. Малое падение напряжения на базо-эмиттерном переходе в тран­зисторе позволяет измерять сигналы с амплитудой от 50 мВ. Вход­ное сопротивление схемы для положительной полуволны сигнала больше 100 Ом, а для отрицательной полуволны — более 2 кОм. На рис. 8.1,6 проиллюстрирована зависимость показаний измеритель­ного прибора от входного сигнала.

Рис. 8.1

Детектор с большим динамическим диапазоном. Детектор (рис. 8.2) осуществляет преобразование входных сигналов с амп­литудами от единиц милливольт до 5 В. Кроме детектирования схема осу­ществляет усиление преобразованного сигнала. Регулировка усиления выпол­няется с помощью резистора R2. Коэф­фициент усиления может меняться от единицы до нескольких тысяч.

При действии на входе сигнала положительной полярности на выходе ОУ DA2 формируется сигнал также по­ложительной полярности, причем диод VD4 будет закрыт, а диод VD3 откры­вается и к выходу подключается рези­стор R2. С этого резистора на инверти­рующий вход ОУ DA2 подается сигнал ООС. Отрицательная полярность вход­ного сигнала проходит через усилитель DA2 и открывает диод VD4. По сигна­лу отрицательной полярности ОУ работает в режиме повторителя сигнала. Через резистор R2 отрица­тельный сигнал поступает на вход ОУ DA1. На его выходе фор­мируется сигнал положительной полярности, который проходит через диод VD2 на выход схемы. Коэффициент передачи для этой полуволны входного сигнала также устанавливаемся резистором R2. В детекторе можно применить различные типы интегральных микросхем.