Радиоэлектронные устройства (справочник) (стр. 4 )

Рис. 1.22 Рис. 1.23

Рис. 1.25 Рис. 1.24 Рис. 1.26

Выходной каскад состоит из транзисторов VT19 — VT22 и рабо­тает в режиме В. При поступлении на базу транзистора VTJ8 от­рицательной полуволны сигнала напряжение, выделенное на его коллекторном резисторе, открывает транзисторы VT23, VT24 и ток транзистора VT24 протекает через нагрузку и через транзистор VT20 в диодном включении. Напряжение на транзисторе VT20 уве­личивает ток транзистора VTJ9, что приводит к уменьшению напря­жения нз базе транзистора VT21. Транзисторы VT21 и VT22 закры­ваются и не влияют на прохождение сигнала. При поступлении на базу транзистора VT18 положительной полуволны сигнала транзи­сторы VT21 и VT22 открываются, а транзисторы VT23 и VT24 за­крываются.

Схемы включения микросхемы показаны на рис. 1.23, 1.24. На рис. 1.23 изображен повторитель сигналов, а усилитель, изображен­ный на рис. 1.24, имеет максимальный коэффициент усиления. Для балансировки усилителя можно воспользоваться любой из схем, показанных на рис. 1.25, 1.26.

Микросхема К140УД5. Операционный усилитель К.140УД5 (рис. 1.27) по своим характеристикам занимает промежуточное по­ложение между аналогичными по назначению усилителями К140УД1 и К140УД2. Наличие высокоомного входа приближает его к интег­ральной микросхеме К140УД2, а по коэффициенту усиления, коррек­тирующим цепям и частотным свойствам он близок к усилителю КНОУД1. Выводы с промежуточных точек схемы расширяют его возможности. Интегральная микросхема имеет дифференциальный выход со второго каскада, что позволяет соединять последовательно два и большее число каскадов. Кроме того, дополнительные выводы расширяют возможности балансировки интегральной микросхемы.

Рис. 1.27

Частотные характеристики микросхемы для различных коэффи­циентов усиления показаны на рис. 1.28. Амплитуда неискаженного выходного сигнала, как показано на рис. 1.29, нелинейно зависит от сопротивления нагрузки. При этом графики зависимости выходно­го напряжения положительной и отрицательной полярностей имеют различный наклон в зависимости от питающего напряжения (рис. 1.30). От питающего напряжения зависит и коэффициент. уси­ления, причем для разных входов получаются разные зависимости, как показано на рис. 1.31. Изменения входного тока, разности вход­ных токов и смещения входного напряжения от питающего напряже­ния показаны на рис. 1.32 — 1.34.

Для стабилизации ОУ при различных температурах необходимо учитывать изменения входного тока. Зависимость входного тока от температуры показана на рис. 1.35. Разность входных токов меняется от температуры по аналогичному закону, а абсолютные значения раз­ности в 10 раз меньше входных токов.

Схема включения ОУ показана на рис. 1.36. Относительные амп­литудно-частотные характеристики микросхемы при различных схе­мах включения показаны на рис. 1.37 при входном сигнале 1 мВ.

Для балансировки усилителя можно применить три схемы. Схема рис. 1:38 смещает рабочую точку усилителя преимущественно в сто­рону положительных напряжений, а схема рис. 1.39 — в сторону от­рицательных напряжений. На рис. 1.40 балансировка осуществляется в сторону любой полярности выходного напряжения. Диапазон регу­лировки в этой схеме значительно меньше, чём в двух предыдущих.

Рис. 1.28 Рис. 1.29 Рис. 1.30

Рис. 1.31 Рис. 1.32 Рис. 1.33

Рис. 1.34 Рис. 1.35 Рис. 1.36 Рис. 1.38

Рис. 1.37 Рис. 1.39 Рис. 1.40

Рис. 1.41 Рис. 1.42

Рис. 1.43 Рис. 1.44 Рис. 1.45 Рис. 1.46

Рис. 1.47

Микросхема К140УД6. Операционный усилитель (рис. 1.41) име­ет внутреннюю частотную коррекцию. На входе использован составной эмиттерный повторитель на транзисторах VT2 VT3 и VT9 VT10. В эмиттеры транзисторов VT2 и VT9 включены генераторы-тока на транзисторах VT6, и VT12. Коллекторный ток этих транзисто­ров определяется напряжением в базах, которое снимается с дели­теля на транзисторах VT13 и VT14 с соответствующими, резистора­ми. Нагрузкой эмиттерных повторителей VT3 и VT10 являются ге­нераторы токов на транзисторах VT5 и VT11. Ток этих транзисто­ров задается транзистором VT4. Ток транзисторов VT5 и VT11 можно менять внешним резистором, который подключается к выво­дам 1 и 5.

Выходной сигнал с эмиттера транзистора VT10 подается на усилительный каскад, который обеспечивает общий коэффициент усиления интегральной микросхемы. Нагрузкой транзистора VT10 является генератор тока на транзисторе VT17. Сигнал с эмиттера транзистора VT15 подается в базу усилительного транзистора VT20, в коллектор которого включен транзистор VT18, работающий в ди­намическом режиме. Противофазные сигналы, снимаемые с коллек­торов транзисторов VT17 и VT20, подаются на составной выходной эмиттерный повторитель (транзисторы VT24 и VT27). Для защиты интегральной микросхемы от перегрузок включены транзисторы VT21. VT22, VT25, VT26.

Операционные усилители К140УД6 выпускают двух типов: К140УД6А и К140УД6Б. Каждый тип имеет свою зависимость выход­ного сигнала от сопротивления нагрузки (рис. 1.42). Относительные изменения напряжения смещения от температуры показаны на рис. 1.43. Зависимость от температуры входных токов показана на рис. 1.44, а разности входных токов — на рис. 1.45. Зависимость об­щего коэффициента усиления от питающего напряжения приведена на рис. 1.46. Для балансировки ОУ можно использовать схему вклю­чения, приведенную на рис. 1.47.

Микросхема К140УД7. Схема ОУ приведена на рис. 1.48. Вход­ной сигнал подается в базы транзисторов VT2 и VT3. В эмиттерах этих транзисторов включены динамические нагрузки, выполненные на транзисторах VT4 и VT5 проводимости типа р-n-р. Базовый по­тенциал транзисторов VT4, VT5, а следовательно, и потенциалы эмиттеров транзисторов VT2 и VT3 определяются делителем на тран­зисторах VT9 и VT10, смещение на которые обеспечивается транзи­сторами VT1 и VT12 в диодном включении.

Разностный сигнал при подаче входного сигнала на выводы 2 и 3 выделяется на коллекторном выводе транзистора VT5. Нагруз­кой транзисторов VT4 и VT5 является схема «токовое зеркало», по­строенная на транзисторах VT6 — VT8. Постоянное напряжение на коллекторных выводах транзисторов VT5 и VT8 определяется то-ком через эти транзисторы. Этот ток можно регулировать подключением внешнего резистора к-контактам 1 и 5.

Сигнал с коллектора транзистора VT5 подается на усилитель­ный каскад с большим. входным сопротивлением на транзисторах VT13 и VT16. Коллекторной нагрузкой транзистора VT16 является генератор тока на транзисторе VT15. Ток через транзистор VT15 задается через три токовых трансформатора, построенных по схеме «токовое зеркало» на транзисторах VT10 — VT12.

Рис. 1.48

С коллектора транзистора VT16 сигнал поступает на элшттерный повторитель (транзистор VT19), нагрузкой которого также является генератор тока. Транзисторы VT17 и VT18 служат для уменьшения порога открывания выходных транзисторов VT21 и VT24. Для за­щиты интегральной микросхемы от перегрузки включены транзисто­ры VT22 и VT23.

Описанная схема обладает удовлетворительными техническими характеристиками для редпения многих практических задач. На рис. 1.49 приведена зависимость напряжения шума на выходе ОУ от сопротивления генератора, а на. рис. 1.50 — спектральная плот­ность шумов как функция частоты. Частотная характеристика усили­теля показана на рис. 1.51, а зависимость скорости нарастания вы­ходного сигнала от питающего напряжения — на рис. 1.52. Зависи­мость коэффициента усиления усилителя от частоты приведена на рис. 1.53. Температурная зависимость входного сопротивления, вход­ных токов и разности входных токов, напряжения смещения показа­ны на рис. 1.54, 1.55 и 1.56. Зависимость выходного напряжения ОУ от сопротивления нагрузки показана на рис. 1.55. При нагрузках бо­лее 2 кОм изменения выходного напряжения не наблюдается. Для Rн = 2 кОм амплитуда выходного напряжения линейно зависит от питающего напряжения (рис. 1.58). Так же линейно от питающего напряжения зависит и коэффициент усиления ОУ (рис. 1.59).