Параллельно-последовательный преобразователь. Генератор (рис. 12.18) формирует на выходе импульс, амплитуда которого превышает напряжение питания. В этой схеме используется принцип параллельного соединения конденсаторов С2 — С4 при заряде через резисторы R2, R5 и R9 и последовательного соединения при разряде.
Запускающий импульс включает лавинный транзистор VT1, а затем за счет роста напряжения на коллекторах транзисторов VT2 и VT3 включаются и последующие транзисторы. Конденсаторы С2 — С4 включаются через транзисторы на резистор R10. На выходе появляется импульс с утроенной амплитудой. На резисторе R10 сопротивлением 150 Ом амплитуда импульса равна 400 В, а на резисторе сопротивлением 75 Ом близка к 300 В. Время нарастания импульса 2 не. Предельная частот J запуска определяется допустимой рассеиваемой мощностью транзисторов и постоянной времени зарядной цепи. Длительность запускающих импульсов может лежать в пределах от 0,1 до 0,5 икс, амплитуда — от 5 до 20 В.

Рис. 12.18

Рис. 12.19
Закрытый релаксатор. Все транзисторы (рис. 12.19) находятся в закрытом состоянии. Конденсатор С заряжен до напряжения 12 В. Когда на вход приходит положительный импульс, транзистор VT2 входит в насыщение и на эмиттер транзистора VT1 передается импульс отрицательной полярности. Транзистор VT1 открывается, и начинается процесс разряда конденсатора через последовательно соединенные резисторы R2 и R3. Падение напряжения на резисторе R2 откроет транзистор VT3. Коллекторный ток этого транзистора удерживает в насыщении транзистор VT2. На выходе появляется положительный сигнал. Проводящее состояние транзистора VT2 удерживается коллекторным током транзистора VT3. Все транзисторы будут находиться в проводящем состоянии пока продолжается разряд конденсатора. Процесс разряда конденсатора прекращается, когда на эмиттере транзистора VT1 будет напряжение — 0,6 В. Тогда транзистор VT1 закрывается, что вызывает запирание транзисторов VT2 и VT3. Когда транзистор VT2 выходит из насыщения, конденсатор начинает заряжаться через резистор R4, что вызывает появление напряжения на диоде. Это напряжение дополнительно закрывает транзистор VT1. В результате запираются все транзисторы.
Длительность импульса прямо пропорциональна емкости конденсатора. Указанные на схеме номиналы элементов дают длительность импульса 1 с. Работа релаксатора проиллюстрирована эпюрами напряжений.

Рис. 12.20

Рис. 12.21
Релаксатор с запускающим транзистором. Входной сигнал отрицательной полярности (рис. 12.20, а) амплитудой 2 В и длительностью 10 мкс закрывает транзистор VT3. Положительный перепад напряжения в коллекторе транзистора VT2 закрывает транзистор VT1. За этим последует закрывание транзистора VT2. Конденсатор С1 заряжается через резистор R4. Все время заряда конденсатора транзисторы VT1 и VT2 будут находиться в закрытом состоянии. По мере заряда конденсатора положительное напряжение в затворе полевого транзистора уменьшается. Когда это напряжение сравняется с напряжением на делителе Rl, R2 минус пороговое напряжение полевого транзистора, оба транзистора откроются и будут находиться в устойчивом состоянии. На рис. 12.20,6 приведены эпюры напряжений схемы и график зависимости длительности выходного импульса т от сопротивления резистора R4.
Расширитель импульсов с полевым транзистором. Генератор импульсов (рис. 12.21, а) построен на двух усилителях. Входной сигнал положительной полярности длительностью 10 мкс с амплитудой 3 В закрывает транзистор VT1. За время действия входного сигнала конденсатор С1 заряжается до напряжения питания через резистор R2 и диод VD2. С прекращением действия входного сигнала транзистор VT1 открывается. Положительный перепад напряжения на конденсаторе С1 закроет транзисторы VT2 и VT3. Конденсатор разряжается через резистор R3. Транзисторы VT2 и VT3 будут находиться в закрытом состоянии до тех пор, пока напряжение в затворе не достигнет порога открывания полевого транзистора. Длительность отрицательного импульса на выходе схемы можно регулировать в широких пределах изменением постоянной времени RsCi. Работа устройства проиллюстрирована на рис. 12.21, б.
Релаксатор на полевом транзисторе. В исходном состоянии транзисторы VT2 и VT3 (рис. 12.22) открыты, а транзистор VT1 закрыт напряжением на диоде, которое возникает от протекающего через транзистор VT3 тока. Входной импульс отрицательной полярности открывает транзистор VT1. Положительный перепад напряжения на коллекторе этого транзистора закрывает полевой транзистор VT2. В закрытом состоянии будет и транзистор VT3. Он закрыт напряжением на диоде, которое определяется током транзистора VT1. В таком состоянии схема будет находиться, пока заряжается конденсатор С1 через резистор R2. Когда напряжение на конденсаторе достигнет порога открывания полевого транзистора, потечет базовый ток транзистора VT3. Этот транзистор откроется, а транзистор VT1 закроется. Схема вернется в исходное состояние. На выходе формируется импульсный сигнал длительностью 10 с. Длительность выходного сигнала можно регулировать в широких пределах при изменении номиналов элементов R2 и С1.

Рис. 12.22
3. МНОГОКАСКАДНЫЕ РЕЛАКСАТОРЫ
Формирователь коротких импульсов. Устройство (рис. 12.23) предназначено для получения коротких импульсов на низкоомной нагрузке. Оно запускается сигналом любой формы и, в частности, гармоническим. В основу формирователя положен усилитель с ПОС, снимаемой с нелинейной нагрузки. Можно построить две схемы: для получения положительной и отрицательной полярности импульсов.
В начальном состоянии транзисторы VT1 — VT4 закрыты. Входной сигнал положительной полярности открывает транзисторы VT1 и VT4. Эмиттерные токи этих транзисторов начинают заряжать конденсатор С2. Одновременно на базы транзисторов VT2 и VT4 поступает сигнал с коллектора VT1, вызывающий быстрый рост зарядного тока конденсатора С2. По мере заряда этого конденсатора напряжение на нем возрастает и в результате приводит к закрыванию транзисторов VT1 и VT4. На резисторе R2 формируется короткий импульс. После окончания формирования импульса открываются транзисторы VT2 и VT3 и эмиттерными токами разряжают конденсатор С2. Для уменьшения длительности выходного импульса ПОС снимается с диодов VD1 и VD2, которые представляют значительное сопротивление лишь в первый момент включения транзисторов. Далее сопротивление диодов уменьшается и тем самым уменьшается и ПОС. Уменьшение связи ведет к закрыванию транзисторов VT1 и VT4.
Формирователь работает от входных сигналов на частотах от 5 кГц до 25 МГц. Выходной импульс с амплитудой от 5 до 10 В имеет длительность 10нс, фронт — 5 не и срез — 3 не.
Мультивибратор с токозадаю-щим элементом. В основу преобразователя (рис. 12.24) положен обыкновенный мультивибратор, в котором вместо базовых резисторов включены транзисторы VT3 и VT4. Эти транзисторы работают в режиме генераторов тока. Коллекторный ток транзисторов определяется напряжением на базе и резистором в эмиттере. Изменяя напряжение на базе, можно менять ток разряда конденсаторов С1 и С2 и тем самым менять частоту мультивибраторов. Диапазон изменения входного напряжения лежит в пределах от — 5 до +5 В при сохранении линейной зависимости частоты следования импульсов от входного напряжения. Частота следования импульсов при нулевом входном напряжении и коэффициенте преобразования определяется конденсаторами С1 и С2. Для С1 = С2 = С, f=35 С К., где С — в микрофарадах, а К — в мегагерцах на вольт.


Рис. 12.23 Рис. 12.24
Управляемый мультивибратор с большим динамическим диапазоном. Для перекрытия большого динамического диапазона по частоте в мультивибраторе (рис. 12.25) заряд конденсаторов ОС осуществляется через генератор тока. Зарядный ток определяется управляющим напряжением и резисторами R2 и R4. Минимально возможный зарядный ток определяется утечкой транзисторов VT2 и VT3, максимальный ток существует при управляющем напряжении, равном напряжению питания. Если при нулевом управляющем напряжении частота мультивибратора меньше 1 Гц, то при максимальном напряжении частота будет больше 10 кГц.
В некоторый момент времени транзистор VT1 откроется, а транзистор VT6 закроется. Отрицательный перепад напряжения в коллекторе транзистора VT1 пройдет на базу транзистора VT3 и закроет его. Начинается процесс заряда конденсатора С1 коллекторным током транзистора VT2. Напряжение на базе транзистора VT3 будет линейно увеличиваться. В определенный момент, когда напряжение на конденсаторе С1 будет равно напряжению источника питания, транзистор VT3 откроется. За этим последует открывание транзистора VT6. Отрицательный перепад напряжения в коллекторе этого транзистора закроет транзистор VT4. Будет закрыт и транзистор VT1. Схема перейдет в новое состояние. Начнется новый полупериод работы мультивибратора.
|
Из за большого объема этот материал размещен на нескольких страницах:
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 68 69 |


